富士通推出65纳米ASIC和SoC工艺

富士通推出65纳米ASIC和SoC工艺 上网时间 : 2005年09月30日   打 印 版   推 荐 给 同 仁   发 送 查 询   富士通最近为先进ASIC和系统级芯片(SoC)设计推出65纳米工艺技术，酝酿出下一波半导体浪潮。富士通有两种65nm工艺：CS200和CS200A，面向ASIC和客户自有工具(COT)应用。两种技术制成的晶体管据称门长30nm，比90nm技术减少了25%。 CS200和CS200A采用11层铜互连层，而不是10层，使复杂SoC设计成为可能。富士通还利用了铜和多孔渗水超低K内连技术。CS200系列设计用于高端高性能服务器处理器设备及其它先进系统。CS200A系列的应用包括移动产品，如蜂窝电话、笔记本、计算机和其它需要最小功耗的数字消费类产品。 该公司声称，较小的晶体管采用镍聚合物取代90nm CS100晶体管用的聚合钴/多晶硅堆栈。镍聚合物的低片状电阻确保低门阻抗，实现了高速。封装选择包括标准BGA和倒装芯片BGA。 目前推出65nm技术的公司还包括英特尔、东芝、德州仪器和台积电(TSMC)等。英特尔日前宣称将研发第一代65nm工艺技术的超低功率衍生技术。