三星电子再度将NAND闪存芯片存储容量提升一倍

三星电子再度将NAND闪存芯片存储容量提升一倍
三星电子(Samsung Electronics Co.)宣布找到了一个搭建NAND闪存芯片基础架构的新途径，并已把此类芯片的理论存储容量提升了一倍至32G，从而延续了自1999年以来每年都将此类芯片的存储容量扩大一倍的趋势。由新型芯片组合而成的数据存储卡最大容量可达64G，而目前流行的存储卡容量大多为1G、2G或4G。 在宣布这条消息的同时，三星电子半导体业务的总裁Hwang Chang-gyu还预计芯片部门第三季度的收入将创历史新高。 这标志着芯片部门的收入将比今年上半年有大幅回升。今年上半年，芯片部门的收入仅比上年同期增长了1%。三星电子芯片部门目前的最高收入为5.09万亿韩圆（约合52.4亿美元）是在去年第四季度创造的。要想在第三季度追平这个纪录，芯片销售额必须要比去年第三季度的4.59万亿韩圆增长11%以上。 Hwang表示，近几周来DRAM芯片市场格外红火。他说，三星电子目前只能满足70%的DRAM芯片定单，供不应求的局面可能持续到下半年乃至2007年。 在竞相提升NAND闪存芯片存储容量的角逐中，日本企业东芝(Toshiba Corp.)是三星电子的头号竞争对手。NAND闪存芯片广泛应用于数码存储卡、数码相机、数码音乐播放器和其他设备中。 三星电子通常在9月份公布最新取得的科技成果，同时往往也取得相对于东芝的领先优势。但最近三星电子在把科技成果应用于产品方面要落后于东芝。 例如，东芝今年推出8G闪存芯片的时间比三星电子早了6个月。三星电子早在2004年9月就宣布具备了生产这种芯片的能力，但直到2个月前三星电子所产的8G闪存芯片才开始投放市场。三星电子的管理人士将产品上市的延误归咎于一个新的生产工序出了问题。三星电子表示，在16G闪存芯片的生产中已不存在这些问题，16G闪存芯片将于明年年初面市。 闪存芯片容量扩充至32G标志着三星电子首次脱离了上世纪70年代初期英特尔(Intel Corp.)为记忆芯片设计的基础框架。 为了达到增加存储量的目标，芯片设计师在芯片上增添了越来越多的电路，并缩短了电路之间的间距。紧凑的设计有时导致电子发生移位现象，从而造成电路中断并引发故障。 三星电子现在是用绝缘材料来控制电子移位现象的发生。该公司表示，这种设计还可以降低生产成本。Hwang称，三星电子准备在2008年年初开始量产32G闪存芯片。 另外，三星电子还宣布开发出了一种NOR闪存芯片的替代品，NOR芯片目前普遍应用在手机上面。这种新开发的替代芯片与个人电脑中使用的DRAM芯片有些相似，但与DRAM芯片不同的是，它无需供电也能存储数据，这一点又与闪存芯片相同。