|
电子元件识别
电阻：
|
电阻的色环与数字
|
|
数字
|
0
|
1
|
2
|
3
|
4
|
5
|
6
|
7
|
8
|
9
|
0.1
|
0.01
|
|
颜色
|
黑
|
棕
|
红
|
橙
|
黄
|
绿
|
蓝
|
紫
|
灰
|
白
|
金
|
银
|
|
四环电阻
|
第一、二环为有效数字。第三环为有效数字后面的零的个数，以10的n次方平表示（n为0-9）。色环也可以为金、银两色，金色表示10的-1次方，银色表示10的-2次方。第四环为误差，金色表示±5%，银色表示±10%。
例：
1、棕、灰、黄、金，其电阻值为18*10000±5%，记为180k±5%。
2、棕、红、金、金，其电阻值为12*0.1±5%，记为1.2±5%。
|
|
五环电阻
|
前三个色环为有效值，第四个色环为有效值后面零的个数，以10的n次方平表示（n为0-9）。最后一个色环为误差。
例：
1、黄、白、白、棕、棕，电阻值为499*10±1%，记为4.99k±1%。
2、橙、白、红、红、棕，电阻值为392*100±1%，记为39.2k±1%。
|
|
色环识别
|
四环电阻误差位通常为金色，五环电阻误差位通常为棕色。
|
电容器
它的单位以F，µF,F表示。它们之间的关系是：1F=1000mF=1000000µF，1F=1000nF=1000000pF。国际电工委员会规定电容量表示法为：m代表1/1000，µ代表1/1000000，n代表1/1000000000，p代表1/1000000000000。用二位数字表示有效数字，再用一个字母表示数值的量级。如：1p2表示1.2pF,220n表示0.22µF，3µ3表示3.3µF,2m2表示2200µF。
另一种表示法，是用三位数字表示电容量，最后用一个字母表示误差。三位数字中的前两位表示有效值，第三位表示10的n次方，n=1-8，特殊情况是n=9时，不表示10的9次方，而表示为10的-1次方。
例如：
"102"表示10*100=1000pF
"223"表示22*1000=22000pF=0.022µF
"474"表示47*10000=0.47µF
"159"表示15*0.1=1.5pF
有效数字后面的字母表示误差值，由于制造电容的材料不同，误差范围也不相同，有的误差甚大。误差值与字母的对应关系如表所示：
|
国外电容器容量误差与字母代号对照表
|
|
字母
|
D
|
F
|
G
|
J
|
K
|
M
|
N
|
P
|
S
|
Z
|
|
误差%
|
±0.5
|
±1
|
±2
|
±5
|
±10
|
±20
|
±30
|
±100,-20
|
±50,-20
|
±80,-20
|
例如：102K，表示该电容容量为1000pF(±10%)。
电容器耐压的标注也有两种常见方法，一种是把耐压值直接印在电容器上，另一种是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V（伏）。
|
字母
|
A
|
B
|
C
|
D
|
E
|
F
|
G
|
H
|
J
|
K
|
Z
|
|
耐压值
|
1.0
|
1.25
|
1.6
|
2.0
|
2.5
|
3.15
|
4.0
|
5.0
|
6.3
|
8.0
|
9.0
|
例如：
1J代表 6.3*10=63V
2F代表 3.15*100=315V
3A代表 1.0*1000=1000V
1K代表 8.0*10=80V
数字最大为4，如4Z代表90000V。电容器（瓷介电容器）也有色码表示法；它的颜色与色环电阻表示法基本相同。第一、二道色码为数字的有效位。第三道为倍乘数，第四道为误差范围，第五道为温度系数。另外，电解电容器，通常直接写上耐压和容量，当电解电容器损坏时，要用原来标定值代换。
例如：滤波电容坏了，原来标定的电压值为200V，容量为330µF，更换时耐压和容量都必须符合要求。耐压可用超过200V的代换，而容量通常也用原来值。安装时，不得将极性接反，接反极性会暴裂。
晶体二极管
二极管通常都用玻璃或塑料封装，它具有单向导电特性，二极管负极有标记，例如：黑色塑料封装的二极管负极端有一道白色环。二极管有容限电流，耐压和频率要求，更换二极管时要注意这三点。微机电源中的二极管容易损坏，低频整流二极管损坏时，可用1N4006，1N5407等代换。1N4006为低频二极管，最大电流为1A，反向击穿电压为700V，1N5407最大电流为3A，反向击穿电压为700V。高频整流二极管损坏时，可有FR204代用，最大电流为2A，反向击穿电压为400V，其它二极管损坏时，要根据它在电路中的作用选择型号。一般在电源电压不高的逻辑电路中，选用1N4148即可，它的最大电流为150mA，耐压为75V。
晶体三极管
1、日、美、西欧晶体三极管标称法
日本半导体器件型号的标称方法
|
2
|
S
|
C
|
3
|
0
|
3
|
9
|
d,e,f,g:日本电子协会登记顺序号
c：A,B为PNP管；A,C为高频管；C,D为NPN管；B,D为低频管
|
|
a
|
b
|
c
|
d
|
e
|
f
|
g
|
b:为日本电子工业协会注册产品，无论什么管都为S
a:1表示二极管 2表示三极管
|
其中，第1位数字表示PN结的数量，二极管用1表示，三极管用2表示。第2位字母表示
注册过了，所有的管子都用S表示。第3 位表示管型，对三极管来说，其中A表示PNP高频管，B表示PNP低频管，C表示NPN高频管，D表示NPN低频管，F表示P控制极可控硅，G表示N控制极可控硅，H表示N基极单结晶体管，J表示P沟道场效应管，K表示N
沟道场效应管，M表示双向可控硅。最后的数字表示公布的顺序号。
在晶体管上通常不印2S。因为所有晶体管的前两位都是相同的，所以就省略了。如2SC3039在晶体管上只印C3039，它是NPN高频三极管
2、美国对晶体管的命名法
|
2
|
N
|
x
|
x
|
x
|
x
|
a:用1表示二极管，2表示三极管
|
|
a
|
b
|
c
|
d
|
e
|
f
|
b:N表示注册过标记，c,d,e,f:注册顺序号
|
第1位数字表示PN结数，用1表示二极管，用2表示三极管。第二位是字母，所有管子都用N，它表示已注册过的标记，后面紧跟着就是注册顺序号。从美国的晶体管标称法上看不出管型，也看不出频率范围。有时，会遇到晶体管上只有数字，而无2N字样。
3、欧洲国家晶体管标称法
很多欧洲国家都采用国际电子联合会推荐的命名法。命名格式如下所示：
|
B
|
U
|
5
|
0
|
8
|
A
|
a:使用的材料 b:类型和特性
|
|
a
|
b
|
c
|
d
|
e
|
f
|
c,d,e:登记的序号 f:按某一参数分档标记
|
如BU508A，可以从
|
第一部分
|
第二部分
|
|
用字母表材料
|
用字母表类型及主要特性
|
|
符号
|
意义
|
符号
|
意义
|
符号
|
意义
|
|
A
|
锗材料
|
A
|
检波，开关和混频二极管
|
M
|
封闭磁路中的霍尔元件
|
|
B
|
变容二极管
|
P
|
光敏器件
|
|
B
|
硅材料
|
C
|
低频小功率三极管
|
Q
|
发光器件
|
|
D
|
低频大功率三极管
|
R
|
小功率可控硅
|
|
C
|
砷化镓
|
E
|
隧道二极管
|
S
|
小功率开关管
|
|
F
|
高频小功率三极管
|
T
|
大功率可控硅
|
|
D
|
锑化铟
|
G
|
复合器件有其他器件
|
U
|
大功率开关管
|
|
H
|
磁敏二极管
|
X
|
倍增二极管
|
|
R
|
复合材料
|
K
|
开放磁路中霍尔元件
|
Y
|
整流二极管
|
|
L
|
高频大功率三极管
|
Z
|
稳压二极管（齐纳二极管）
|
|
