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提高晶体管的开关速度的方法有?
一般都是关速度不够快，开速度一般只要有足够的驱动电流就行；而关速度由于饱和后有存储载流子，很难做快，特别是大功率管。如果要求不高，只要b和e之间的电阻足够小（功率管一般要100欧以内），如果真要很快，就要想办法反向驱动，放掉存储载流子，具体可参考TTL的内部电路。要求更高，就要用肖特基二极管来钳位，但开关的压降会增大。
补充：请到www.中下载TI（德州仪器）的SN74LS00D的PDF档，里面有内电路图，可看到其中低电平输出管的基极和发射极之间，有个三极管和1.5k、3k电阻，这种接法称为有源泄放回路，简单有效，值得参考。 另外，我最近做了实验，觉得开关大电流还是要用场效应管的，一来场效应管没有饱和存贮时间的问题，二来栅极无非就是一个大电容，只要让驱动电路瞬间送出数百毫安即可，驱动管不会饱和也不会持续消耗功率。用示波器观察，从单片机输出到输出管的栅极只有几十纳秒的延迟，到漏极要再加上一百纳秒左右，跟手册的数据差不多，已无法再快了。 |
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