反射损耗
反射损耗与电磁波的波阻抗Zw和屏蔽材料的特征阻抗Zs有关。一般表达式为：
从式中可以看出，对于特定的屏蔽材料（Zs一定），被屏蔽的电磁波的波阻抗越高，则反射损耗越大；对于确定的电磁波（Zw 一定），屏蔽材料的阻抗越低，则反射损耗越大。
屏蔽材料的阻抗计算方法为：
在远场：电磁波的波阻抗为377?。
在近场：电场波和磁场波的波阻抗是不同的，因此做近场屏蔽时，要分别考虑电场波和磁场波的情况。由于电场波的波阻抗较高，因此反射损耗较大。磁场波的波阻抗较低，往往反射损耗较小。
电场波：屏蔽体距离辐射源越近，反射损耗越大。
磁场波：屏蔽体距离辐射源越远，反射损耗越大。
