日本三菱电机公司(MITSUBISHI)的集成电路命名方法
日本三菱电机公司集成块命名方法由电特性：公司标志、温度范围、仿制系列名称标志、原产品系列、电路功能、封装形式六部分组成。
温度范围：
5工业用／商业用
9军用
原产品系列：
0 CMoS
1 线性电路
3 TTL
10～19 线性电路
仿制系列名称(厂商)
K Mosteek公司MK系列
L Inter公司系列
T 德克萨斯公司系列 S 金属——陶瓷封装
G 通用仪器公司系列
封装形式：
K 玻璃——陶瓷封装
P 塑料封装
日本富士通有限公司集成电路命名方法
日本富士通有限公司(FUJITSU)集成电路命名由电路性能、速度、电路序号、微型组件四部分组成。
电路性能：
N
E
H
L低功率
封装：(供定货用)
c 陶瓷
M 标准型(塑料)
z 陶瓷双列直插
日本电气公司集成块命名方法
日本电气公司(NEC)集成块命名一般由五部分组成，第一部分UP表示微型器件，第二部分表示电路种类，第三部分为电路序号，第四部分表示封装形式，第五部分表示是否为改进型。
电路种类：
A 分立器件
B 数字双极器件
C 线性电路
D 数字CMoS
封装形式：
C 塑料封装
D 陶瓷或陶瓷双列直插
松下电器公司集成电路命名方法
日本松下电器公司命名由电路种类+电路序号两部分组成。
电路种类：
AN 模拟
DN 数字
M·J 研制型号
MN MoS电路
日本三洋公司集成电路命名方法
日本三洋公司集成电路命名由电路种类及电路序号两部分组成：
电路种类：
LA 双极线性电路
LB 双极数字电路
LD CMOS电路
STK 厚膜电路
电路序号：
用四位数字表示，其中前二位区分电路主要功能，后二位是序号。其中“12 ××”表示高频头放大器集成电路；“32××”表示前置放大集成电路；“33××”表示FM解调器集成电路；“41 ××～45××”表示功率放大集成电路；“55××”表示直流电机速度控制电路。
日立公司集成电路命名方法
日立公司集成电路命名是由电路种类、仿制产品标志、电路序号、改进型、封装形式五部分组成。
电路种类：
HA模拟
HD数字
HM RAM电路
HN RoM电路
仿制产品标志：
11，12高频使用
13，14声频使用
17 工业应用
封装形式：
P 塑料封装
M 金属封装
C 瓷封装
日本东芝公司集成电路命名方法
东芝公司集成电路命名是由电路种类、用四位数字表示的电路序号、用英文字母表示是否改进型、封装形式共四部分组成。
电路种类：
TA 双极线性电路
TC CMoS电路
TD 双极数字电路
TM MoS电路
电路序号：
序号第一位分类：
4代表CMOS4000系列电路
7代表视听电路
封装形式：
P 塑料封装
M 金属封装
C 陶瓷封装
A 改进型
中国集成电路命名方法
中国集成电路型号由五部分组成，各部份代表意义如下：
第一部分：用字母表示器件国标 符号C 表示“中国制造”
第二部分：用字母表示器件类型 符号T： TTL，H：HTL，E：ECL， C：CMOS，F：放大器，D：音响、电视电路器件，W：稳压管，j：接口器件，B：非线性器件，M：存贮器，U：微型计算机器件。
第三部分：用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号(一般四位)，(与国际上品种保持一致)。
笫四部分：用字母表示器件的工作温度范围，C：0～70℃，E：-40～85℃，R：-55～85℃，M：-55～125℃。
第五部分：用字母表示器件的封装，W：陶瓷扁平，B：塑料扁平，F：全密封扁平，D：陶瓷双列直插，P：塑料双列直插，H：黑瓷低溶玻璃扁平，J：黑陶瓷双列直插，K：金属菱形，T：金属圆形。
集成电路生产厂家的识别
集成电路(IC)产品型号有多种多样，较多见的是用前缀表示厂家。为便于读者查对IC的生产厂家，现按各种IC型号冠字字母顺序排列如下。
前缀 生产厂家
AB 乐德HF0公司
AD 美国模拟器件公司
ADc 美国半导体公司
AM 选进微型器件公司
AN 日本松下电子工业株式公司
AY 美国通用仪器公司
19A 上海无线电十九厂
BA 日本东洋电具制作所
BG 北京东光电工厂
BGD 北京市半导体器件研究所
BH 北京半导体器件三厂
BJ 北京电子管厂
BL 北京半导体六厂
BW 北京半导体器件五厂
CA 美国无线电公司
CD 无锡江南无线电厂 美国国家半导体公司
CF 常州半导体厂
CH 上海无线电十四厂
CL 苏州半导体总厂
CoP 美国无线电公司
CS 美国齐端半导体器件公司
CX 日本索尼公司
D 无锡江南无线电器材厂 甘肃秦安七四九厂 风光电工厂 天光集成电路厂
DAC 美国半导体公司
DG 北京东光电工厂
DL 大连仪表元件厂
DN 日本松下电子工业株式公司
EA 日本电气(美国)公司电子陈列部
E、ER 甘肃秦安天光电工厂
F 甘肃秦安永红器材厂 美国仙童公司
FC 上海八三三一厂
FD 苏州半导体总厂
FG 北京电子管厂 湖北襄樊仪表元件厂
FL 贵州都匀风光电工厂
FS 贵州都匀四四三三厂 上海无线电七厂 宜昌半导体厂
FY 上海八三三一厂
G 国际微电路公司
5G 上海元件五厂
GD 上海电器电子元件厂
HA 日本日立株式会社
HD 日本日立公司
HF 杭州无线电元件二厂
HG 华光电子器件厂
HM 日本日立株式会社
HMI 哈里斯半导体公司
HN 日本日立株式会社
ICL 美国英特锡尔公司
IX 日本夏普股份公司
HZT 日本日立株式会社
8JM 北京电子管厂
KC 日本索尼股份公司
KD 北京半导体器件五厂
L 日本三洋电机股份公司
LA 日本三洋电机股份公司
LB 日本三洋电机股份公司
LC 日本三洋电机股份公司 美国通用仪器公司
LD 陕西骊山微电子公司
LDD 上海半导体六厂
LE 日本三洋半导体公司
LF 美国国家半导体公司
LG 美国通用仪器公司
LH 美国NSC 上海无线电十九厂
LJ 陕西骊山微电子公司
LM 美国国家半导体公司
LP 美国国家半导体公司
M 日本三菱电机株式会社
MA 加拿大米特尔半导体公司
MB 日本富士通有限公司
MC 美国莫托洛拉半导体公司
MCM 美国莫托洛拉半导体公司
MD 加拿大米特尔半导体公司
MH 加拿大米特尔半导体公司
MK 美国莫斯特卡公司
ML 加拿大米特尔半导体公司
MLM 美国莫托洛拉半导体公司
MMS 美国奠托洛拉公司
MN 日本松下电器公司
MP 美国微功耗系统公司
MSM 日本冲电气公司
MT 密特尔半导体公司
MWS 美国无线电公司
N 美国西格尼蒂克公司 南京半导体器件总厂
NE 荷兰飞利浦公司 英国麦拉迪公司
NJM 日本新日元
NLM 日本新日元
NT 江苏南通晶体管厂
QS 长春微电子工厂
RCA 美国无线电公司
RSN 美国德克萨斯仪器公司
S 美国微系统公司
SAB 西德西门子公司
SAS 西德西门子公司
SB 上海无线电十九厂
SBP 美国德克萨斯仪器公司
SC 上海无线电七厂
SD 北京半导体器件二厂
SDA 西德西门子公司 欧洲电子联盟
SF 上海无线电七厂
SG 长沙韶光电工厂 通用硅公司
SH 美国仙童公司
SL 上海半导体器件斗一六厂 普莱赛公司
sMc 美国德克萨斯仪器公司
SN 美国德克萨斯仪器公司
SNA 美国德克萨斯仪器公司
SNC 美国德克萨斯仪器公司
SNH 美国德克萨斯仪器公司
SNM 美国德克萨斯仪器公司
SP 英国普利斯半导体有限公司
STK 日本三洋电机株式会社
STS 上海无线电七厂、十九厂
So 西德西门子公司
6S 北京电子管厂
TA 日本东芝电气株式会社 无锡七四二厂
TAA 欧洲联合共同体(西门子、西格尼蒂克、史普拉格、德律风根、仙童、莫托洛拉等)
TB 天津半导体器件一厂
TBA 风光电工厂 欧洲共同体 贵州四四三三厂 法国汤姆逊公司 日本日立株式会社
TC 日本东京芝浦电气股份公司
TCA 西德德律风根公司
TD 日本东芝电气株式会社
TDA 荷兰飞利浦公司 英国麦拉迪公司 欧洲电子联盟 意大利亚帝斯电子元件公司 日本日立株式会社 日本电气公司
TM 日本东芝电气株式会社
TMS 美国德克萨斯仪器公司
TL 美国德克萨斯仪器公司
TFK 西德德律风根公司
TPA 西德西门子公司
U 西德德律风根公司
μA 美国仙童公司
μAA 西德西门子公司
μDA 欧洲电子联盟
μLS 美国史普拉格公司
μLX 美国史普拉格公司
μPA 日本电气公司
μPC 美国电子公司 日本电气株式会社
μPD 日本电气株式会社
UAA 西德西门子公司
uM 通用半导体公司
UL 美国史普拉格公司
uLA 美国史普拉格公司
ULN 美国史普拉格公司 锦州七七七厂
x 电子工业部二十四研究所 南昌无线电二厂
7XF 陕西商县卫光电工厂
XFC 延河无线电厂 甘肃秦安永红电工厂
XG 四川新光电工厂 湖南长沙绍光电工厂
XGF 八七九厂
XR 美国埃克亚集成系统公司
XW 无锡半导体总厂
YA 贵州凯里永光电工厂
ZF 甘肃秦安永红电工厂
