元件好坏的判别 一、绝缘栅型场效应管(或IGBT)好坏的简易判别方法 1、原理图 3、判断极性 将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,将黑表笔固定接在某一电极上,另一表笔(红表笔)分别接其它 两只管脚,若阻值均为无穷大,对调用红表笔固定接在这一电极(原黑表笔接的那只管脚)上,另一表笔 (黑表笔)分别接其它两只管脚,若阻值均为无穷大,则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。其余两 极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红 表笔接的为漏极(D);黑表笔接的为源极(S)。 4、判断好坏 将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的漏极(D),红表笔接IGBT 的源极(S),此时万用表的指针 指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值 较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G),这时IGBT 被阻 断,万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。 注意:若进第二次测量时,应短接一下源极(S)和栅极(G)。 任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1K Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同 样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。 附图 IGBT 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET 等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。 目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放 大的复合结构。 IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源 极) 。 从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻 大, 器件发热严重, 输出效率下降。 IGBT的特点: 1.电流密度大. 2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。 3.低导通电阻。. 4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。 5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%. 代换ICBT时应注意的几个问题: 由于IGBT管工作在高电压、大电流状态,工作温度高,易损坏,据不完全统计,在电磁炉故障维修中,IGBT管损坏占80%以上,而各厂家采用的IGBT管型号繁杂,有的厂家还把IGBT管型号标注打磨掉,因此,维修中不得不考虑IGBT的代换。代换时应注意以下二点: 1、IGBT管的主要参数宜大不宜小,2000W以下的电磁炉可选用最大电流为 2、应区分IGBT管内是否含有阻尼二极管,内含有阻尼二极管的IGBT管可代换不含阻尼二极管的IGBT管,若用不含阻尼二极管的IGBT管代换内含有阻尼二极管的IGBT管时,应在新更换的IGBT管的漏极和源极之间并接一只快速恢复二极管,如图所示。部分快速恢复二极管的型号及主要参数如表所示。 电磁炉常用IGBT管型号和主要参数
二、DB1整流桥堆好坏的测量 1、整流桥堆原理图 2、好坏的测量 方法一: 用万用表R*1K档,黑表笔接 “—”端,红表笔接“+”端,阻值在30K左右;对调表笔测量时,指针不动,表明该桥堆是好的。 方法二: 1)、用表R*1K档,黑表笔接其中的一个“~”端,红表笔接“+”端,阻值在10K左右;再用黑表笔接其中的另一个“~”端,红表笔接“+”端,阻值在10K左右;以上两次测量,在对调表笔后测量时,指针不动。 2)、然后用黑表笔接“—”端,红表笔分别接两个“~”端时,阻值均在10K左右;以上两次测量,在对调表笔后测量时,指针不动。则表明此桥堆是好的。 电磁炉显示号码与故障对照 E0-------内部电路故障 E1-------锅检 E2-------IGBT过热 E3-------过电压 E4-------欠电压 E5------瓷板温度高 E7------ 宝仕电磁炉 E1-----锅检 E2-----过压 E3-----欠压 E4-----面板过热 E5-----传感器检测 E6-----IGBT温度检测 E7-----内部电路故障 |
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