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DIY年度回顾系列：存储市场回顾与展望
出处：pconline 2011年01月20日 作者：冰冷之火 责任编辑： lvke
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2010年存储行业产品回顾： 硬盘容量极限之路：各品牌3TB硬盘上市 继希捷在去年率先推出外置3TB移动硬盘、西部数据推出3TB绿盘之后，日立在2010年下半年也推出了3TB超大容量硬盘。可以说3TB硬盘的时代已经来临，将对我们现有的电脑平台发出冲击。
不过，并不是人人都可以享用到3TB的容量。由于DOS时代遗留下来的逻辑块寻址模式（LBA）设计无法寻址2.1TB容量以上的硬盘容量，因此，这些3TB硬盘上使用的是Long LBA寻址技术，这种技术增加了用于寻址硬盘存储空间的地址字节数。可是旧有的Windows XP等操作系统并不原生支持这种新的寻址模式，因此到目前为止只有Windows Vista/7 64位系统和修改版的Linux系统用户才可以正常使用这种硬盘。 硬盘发展新思路：会“学习”的混合硬盘
混合硬盘(HHD)，又被称作固态混合硬盘(SSHD)，可以看作是介于传统机械硬盘(HDD)和固态硬盘(SSD)之间的一种产品，其将闪存模块直接整合到机械硬盘上，不仅在具备普通机械硬盘原有大容量的同时还能提供更快速的读写速度，而且还可以通过不断的“学习”进一步提高性能。
这就是混合硬盘奇特的“学习”能力了，其具备的Adaptive Memory自适应性存储技术可以实时对硬盘文件的使用频率进行监测和分析，并把使用频率较高的文件复制到闪存中，以便快速进行重新调用，从而达到加快硬盘读写性能的目的。从这里我们也可以看出，内置的4GB闪存模块并不是关键所在，Adaptive Memory自适应性存储技术才是决定混合硬盘性能高低的核心。 高性能存储新选择：消费级PCI-E接口固态硬盘
随着固态硬盘性能不断的提高，主流的SATA 3Gbps接口已经难以继续发挥固态硬盘在传输速度上的性能优势，而拥有更高带宽的PCI-E接口显然是一个不错的选择，只是采用这种方案的产品一般都面向企业级应用，在价格上比较昂贵。2010年OCZ就推出了一款不仅采用了带宽更高的PCI-E x4接口设计，同时还在内部采用两颗SandForce SF-1200主控组建了RAID 0阵列的消费级PCI-E接口固态硬盘。
虽然出于控制成本的考虑，PCI-E接口固态硬盘采用了SATA、PCI-X、PCI-E双重转接方案，相比自行组建的Intel ICH10R RAID0阵列方案在性能上要稍差一点，但是这样不仅省去了用户组建RAID0阵列的麻烦，性能方面更稳定，同时在价格上和容量上也相对更便宜一些，可以让高性能的PCI-E接口固态硬盘更贴近主流消费者。
2011年存储行业市场展望： 内存将走进30nm制程时代 总体上看，2011年下半年大部分内存芯片厂商将使用各种基于30nm技术的制程来制造内存芯片产品。三星和Hynix正在积极向30nm制程迁移。更有趣的是，日本尔必达公司则正在计划从65nm或65nm的缩减版制程一步跳跃到30nm节点制程，转换完成后，尔必达内存芯片产品的成本将大幅降低。
韩国厂商垄断内存芯片市场 从市场角度看，与NAND闪存市场众商家实力接近的局面有所不同，内存市场很有可能会呈现出韩国厂商独领风骚的局面。目前，仅有韩国的三星和Hynix公司可以称为一级内存厂商，而镁光，南亚，华亚则因财力，技术实力方面稍逊一筹而排在第二集团；尔必达，力晶，瑞晶等财力和技术实力较落后，并正试图赶上的厂商则排在第三集团。
三星目前无疑是DRAM内存界的老大。他们几乎独霸了作为30nm制程DRAM制造的必需品之一的ASML公司生产的NXT液浸光刻机市场。这样，2011年将是三星市场份额大增的一年，相比全球DRAM容量产量增长45-50%的幅度，三星公司的增长幅度可达70%左右。 业界对内存行业2011年发展预估 国外著名的Barclays公司的分析师C.J. Muse汇总了近期内存市场的最新信息，并对2011年的内存市场态势做了预测，表示2011年将是NAND闪存而不是DRAM内存大行其道的一年。 iSuppli DRAM和内存部高级分析师麦克哈罗德表示，经过了2010年的良好发展，今年DRAM市场可能会遇到麻烦。随着产品的供过于求，今年价格的将会严重下滑，DRAM的产品需求的萎缩状况将会持续到2013年，未来一段时间该产品的价格将无望回归到去年的水平。
而全球知名的内存品牌厂商宇瞻科技标准型产品事业处处长罗雪茹女士在接受采访时也表示：“2011年对内存行业的最大考验是要如何掌握需求的变化来弹性的调整库存的消化速度。对于2010年内存行情的虎头蛇尾加上诸多的全球经济不确定因素，使得2011年的操作层面进一步加深，必须更趋保守。” NAND Flash市场前景一片看好 而与此相反的是，2011年NAND Flash市场则前景一片看好，需求量将会乐观成长。专业人士预估2011年NAND Flash位需求成长率较2010年成长约80.2%至9,281.4M 16Gb equiv (数据源：集邦科技)，主要是消费性电子产品需求量的提升，让NAND Flash产业变得更加火热。
同时，苹果效应产生的作用将会使得2011年全球NAND闪存供应继续吃紧。根据DRAMeXchange的调查，2011年平板电脑的整体市场将大幅提升至将近5,200万台，无论iPad会占据多大的份额，对NAND闪存的需求量都不会下滑，这对整个闪存产业都是不小的冲击。 固态硬盘2011年将迎来快速发展 近日，存储解决方案厂商OCZ Technology宣布，它们将退出DRAM产品的业务，专注于固态硬盘（SSD）产品的研发和销售。OCZ一直以高端的DRAM/内存产品而闻名于业界，虽然近年来已经扩大其产品线例如冷却装置和电源产品等，但DRAM依然是占相当大比重的产品，如今OCZ宣布退出DRAM转向SSD，可见其对SSD市场的看好程度。 OCZ表示，SSD的收入增长迅速，目前已经达到公司总收入的78%，增长速度为325%，已经超过所有其它类别的产品，因此这促使他们决定停止DRAM业务，并退出市场。
加上目前希捷科技、西部数据、三星、东芝、富士通、英特尔、AMD、美光科技、SanDisk和LSI Logic等各大厂商已经开始全力力挺固态硬盘，都在随着下一代处理器开始成型而大力开发闪存技术。我们有理由相信，随着固态硬盘技术的不断完善与发展，数据写入速度很可能会提高，内存使用寿命的问题可能也不会是太大的问题，加上正在迅速下降的闪存价格，固态硬盘在2011年将迎来一次快速的发展。
2011年存储行业产品展望： 新一代DDR4内存2011年面世 韩国三星公司日前正式宣布，该公司成功使用30nm工艺推出了业界首款DDR4内存产品。对此三星公司内存市场部的执行副总裁Dong-Soo Jun表示：“新款DDR4 DRAM内存将会为我们先进的绿色内存带来更多的优势，特别是在当我们为主流应用使用下一代工艺推出4G DDR4产品的时候。”
根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling(传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术)方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。
之前JEDEC方面则预计在2011年完成DDR4内存规范的制定工作，于2012年开始商用。不过据了解，目前三星公司正在与大量服务器厂商合作，以确保DDR4内存技术在今年下半年完成JEDEC的标准制定，相信一旦标准制定完成，快的话相关产品、在今年年底前就能够正式面市了。 混合硬盘刚起步，普及仍需时日 混合硬盘对于硬盘的发展思路来说是一个新的改变，不仅比性能高、容量小且动辄上千元的固态硬盘便宜不少，同时在实际使用时性能上的差距也在逐渐缩小，可以说为笔记本用户们提供了一个新的选择，可以缓解部分对硬盘性能有需求，但笔记本硬盘位不够和资金不足的消费者。
但是我们也要看到，目前混合硬盘在技术和成本上还需进一步加强控制，毕竟比传统500G笔记本硬盘贵了将近一倍的价格对于大多数普通消费者来说还是难以接受的，如果在价格上降低到一个相对适当的价位，相信对于混合硬盘快速的普及会有更好的帮助。 固态硬盘进入混战时期 毫无疑问，固态硬盘是下一代存储介质的先锋者。随着人们对速度和稳定性的要求越来越高，固态硬盘的上升空间还会非常大，笔者相信2011年将会有更多的DIY业界厂商关注和进入固态硬盘市场。
2011被誉为平板电脑的普及年，其实从另一个角度也可以说成是固态硬盘快速发展的一年。2011年固态硬盘这个市场将会从价格战扩大到品牌战、产品种类大展，甚至还不乏特色产品的出现。显然，未来几年内固态硬盘将像平板电脑一样迎来大红大紫的时代，会变得非常给力。 更多存储频道重点文章，请走以下捷径：
《PC最后的性能短板!提升硬盘性能该如何选》
总结：就那样，眼睛不断地一睁一闭，2010年就过去了。笔者针对存储行业过去一年的市场表现和产品状况作出了一个总结后，根据搜集到的资料再预测一下未来行业、品牌和产品的动向，希望这些总结、预测以及小内幕能帮助大家更加认识这个存储行业和领域。（DIY各产品线年度回顾和展望文章会陆续发布，敬请继续关注PConline DIY硬件频道。） |
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