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由于此耦合电感并非理想器件,所以存在漏感,而实际线路中也会存在杂散电感。当MOS关断时,漏感和杂散电感中的能量会在MOS的漏极产生很高的电压尖峰,从而会导致器件的损坏。故而,我们必须对漏感能量进行处理,最常见的就是增加一个RCD吸收电路。用C来暂存漏感能量,用R来耗散之。
下面先让我们仿真一下反激flyback电路的工作过程。在使用耦合电感仿真的时候,我们需要知道saber中,耦合电感怎么用。简单的办法,就是选择一个理想的线性变压器,然后设置其电感量来仿真。还有一个办法,就是利用耦合电感K这个模型来仿真。下图是我们用来仿真的电路图,为了让大家能看到元件参数的设置,我把所有元件的关键参数都显示出来了。还有,因为仿真的需要,我把输入和输出共地,实际电路当然是隔离的。
细心的朋友可能会注意到,变压器的初级电感量是202uH,参与耦合的却只有200uH,那么有2uH是漏感。次级是50uH,没有漏感。变压器的电感比是200:50,那么意味着变压器的匝比NP/NS=2:1设定瞬态扫描,时间10ms,步长10ns,看看稳态时的波形吧:
来自: LFS65 > 《我的图书馆》
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