单、双极型晶体管

一、单极型晶体管

　　单极型晶体管也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。

　　特点：
　　输入电阻高，可达10⁷ ~ 10¹⁵ Ω，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10¹⁵ Ω。
　　噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。

　　分类：
　　根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。

　　二、双极型晶体管

　　双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用。它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。

　　特点：
　　三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。

　　分类：
　　根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。
　　硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。