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模式A —— SRAM/PSRAM(CRAM) OE翻转 模式A与模式1的区别是NOE的变化和相互独立的读写时序。 模式2/B —— NOR闪存 模式2/B与模式1相比较，不同的是NADV的变化，且在扩展模式下(模式B)读写时序相互独立。（只有当设置了扩展模式时(模式B)，FSMC_BWTRx才有效，否则该寄存器的内容不起作用。） 模式C —— NOR闪存 - OE翻转 模式C与模式1不同的是，NOE和NADV的翻转变化，以及独立的读写时序。 模式D —— 带地址扩展的异步操作 模式D与模式1不同的是NADV的翻转变化，NOE的翻转出现在NADV翻转之后，并且具有独立的读写时序 复用模式—— 地址/数据复用的NOR闪存异步操作 复用模式与模式D不同的是地址的低16位出现在数据总线上 |
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