电磁炉中市电检测单元电路可分为两个方面,一是浪涌检测保护电路,二是过欠压检测保护电路。
一、市电检测单元电路的特点 2.典型“市电浪涌检测保护电路”的特点 3.典型“V+浪涌检测保护电路”的特点 4.利用电流互感器取样的“市电浪涌检测保护电路”的特点 5.典型“市电过/欠压检测保护电路”的特点 的特点正相反:一是为了消除各种杂波对电路的干扰,特设一个滤波电解电容C33;二是过欠压信号一般只向MCU报告,而不直接参与保护;三是由于取样信号为直流,与浪涌的系列高峰尖波信号大不一样,所以采用具有上、下限的“窗口”比较器。其中多数机型的“窗口”是由MCU内部设定,进行数字处理,少量机型是在MCU外部由两个比较器组成窗口比较器,进行电压比较,如图5所示(引自永兴电磁炉)。当市电电压过高时、“窗口”上限比较器翻转输出低电平;当市电电压过低时,“窗口”下限比较器翻转输出低电平,均使IBGT管停止工作,从而达到保护目的。 6.“市电浪涌和过欠压共用检测保护电路”的特点 二、对上述电路的分析与提示 对于电磁炉其他的检测保护电路(如过欠压、管压、管温、锅温、电流等)的安全性(安全系数)容易控制,例如“市电过欠压”,可将它的取样“窗口”设定在安全区的范围之内,使其留有一定的余量,即使有所超越上、下限,检测保护电路才动作,也不至于使IGBT管损坏。而唯有浪涌检测保护电路的安全性难以控制,因为浪涌信号来势迅猛、且瞬息即逝,这就要求浪涌检测保护电路的动作(响应)一定要快。然而,将浪涌取样点设在整流桥之后,需要借助整个整流桥BR进行整流取样,由于整流桥BR压降损失很大,会使浪涌信号宽度进一步变窄、延时作用进一步增加,对IGBT管的保护极为不利。所以笔者认为“V+浪涌”的保护作用不及“市电浪涌”,二者之间不能画等号。要想使“浪涌”保护动作快,就应该为该单元电路设置完全独立的整流取样电路。 2.这是“V+浪涌检测保护电路”而不是“+300V电压检测电路” 有些维修资料将图2所示的“V+浪涌检测保护电路”认作是“+300V电压检测电路”,并且认为当“市电电压大幅度升高”时,利用对“市电平均值”的检测来实现对IGBT管的保护。首先根据前面所述,图2所示电路的特点不适宜对“市电平均值”的检测,因为对“市电平均值”检测取的是“直流信号”,一是应将电路中的加速电容C14去掉;二是一定要加上一个滤波电解电容,反倒需要将尖峰波滤掉,以免对电路产生干扰;三是输入的是“直流信号”,所以没有必要对比较器进行稳定输出处理。另外根据笔者对+300V电压测试的一组数据:310V/待机、200V/P1、200V/P2、198V/P3、196V/P4、196V/P5,可以看出待机时电压很高,一般可达310V(100Hz纹波幅度很小,约为2V左右),可是一旦进入工作时,电压立刻大幅度下降至200V以下(100Hz纹波幅度变得很大,约为40V左右),由此可见,即使设置一个真正的“+300V电压检测电路”(即适合对“市电平均值”进行检测的电路),又能起到多大的保护作用?所以应当深入认识这个问题。 3.关于“全波整流”取样的说法电路如图4所示。 4.关于“限流降压”取样的说法电路如图6所示。 |
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