常用电子元器件参考资料
第一节部分电气图形符号
一．电阻器、电容器、电感器和变压器
图形符号名称与说明图形符号名称与说明
电阻器一般符号
电感器、线圈、绕组或扼
流图。注：符号中半圆数
不得少于3个
可变电阻器或可调
电阻器
带磁芯、铁芯的电感器
滑动触点电位器
带磁芯连续可调的电感器
极性电容
双绕组变压器
注：可增加绕组数目
可变电容器或可调
电容器
绕组间有屏蔽的双绕组变
压器
注：可增加绕组数目
双联同调可变电容
器。
注：可增加同调联数
在一个绕组上有抽头的变
压器
微调电容器
248
二．半导体管
图形符号名称与说明图形符号名称与说明
二极管的符号
发光二极管
(1)
(2)
JFET结型场效应
管
(1)N沟道
(2)P沟道
光电二极管
PNP型晶体三极管
稳压二极管
NPN型晶体三极
管
变容二极管
全波桥式整流器
三．其它电气图形符号
图形符号名称与说明图形符号名称与说明
具有两个电极
的压电晶体
注：电极数目
可增加
或
接机壳或底板
熔断器
导线的连接
指示灯及信号
灯
导线的不连接
扬声器
动合(常开)触点开
关
蜂鸣器
动断(常闭)触点开
关
接大地手动开关
249
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数
一．电阻器和电位器
1．电阻器和电位器的型号命名方法
表1电阻器型号命名方法
第一部分：主称第二部分：材料第三部分：特征分类
意义
符号
意义
符
号
意义
符
号电阻器电位器
第四部分：序号
R电阻器T碳膜1普通普通
W电位器H合成膜2普通普通
S有机实芯3超高频――
N无机实芯4高阻――
J金属膜5高温――
Y氧化膜6――――
C沉积膜7精密精密
I玻璃釉膜8高压特殊函数
P硼碳膜9特殊特殊
U硅碳膜G高功率――
X线绕T可调――
M压敏W――微调
G光敏D――多圈
R热敏B温度补偿用――
C温度测量用――
P旁热式――
W稳压式――
Z正温度系数――
对主称、材
料相同，仅性能
指标、尺寸大小
有差别，但基本
不影响互换使用
的产品，给予同
一序号；若性能
指标、尺寸大小
明显影响互换
时，则在序号后
面用大写字母作
为区别代号。
示例：
(1)精密金属膜电阻器
RJ73
第四部分：序号
第三部分：类别（精密）
第二部分：材料（金属膜）
第一部分：主称（电阻器）
(2)多圈线绕电位器
WXD3
第四部分：序号
第三部分：类别（多圈）
第二部分：材料（线绕）
第一部分：主称（电位器）
250
251
2．电阻器的主要技术指标
(1)额定功率
电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称
为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，
而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功
率，如表2所示。
表2电阻器的功率等级
名称额定功率（W）
实芯电阻器0.250.5125－
线绕电阻器
0.5
25
1
35
2
50
6
75
10
100
15
150
薄膜电阻器
0.025
2
0.05
5
0.125
10
0.25
25
0.5
50
1
100
(2)标称阻值
阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值
系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适
用于电位器和电容器。
表3标称值系列
标称值系列精度电阻器（:）、电位器（:）、电容器标称值（PF）
E24
±5%
1.0
2.2
4.7
1.1
2.4
5.1
1.2
2.7
5.6
1.3
3.0
6.2
1.5
3.3
6.8
1.6
3.6
7.5
1.8
3.9
8.2
2.0
4.3
9.1
E12
±10%
1.0
3.3
1.2
3.9
1.5
4.7
1.8
5.6
2.2
6.8
2.7
8.2
－
－
E6±20%1.01.52.23.34.76.88.2－
表中数值再乘以10
n
，其中n为正整数或负整数。
(3)允许误差等级
表4电阻的精度等级
允许误差(%)±0.001±0.002±0.005±0.01±0.02±0.05±0.1
等级符号EXYHUWB
允许误差(%)±0.2±0.5±1±2±5±10±20
等级符号CDFGJ（I）K（II）M（III）
3．电阻器的标志内容及方法
(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额
定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数
阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5Ω，2K7表
示2.7kΩ，
表５
文字符号RKMGT
表示单位欧姆(Ω)千欧姆(10
3
Ω)兆欧姆(10
6
Ω)千兆欧姆(10
9
Ω)兆兆欧姆(10
12
Ω)
例如：
RJ71－0.125－5k1－II
允许误差±10%
标称阻值(5.1kΩ)
额定功率1/8W
型号
由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1kΩ，允许误差
为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）
标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义
如图1和图2所示。
标称值第一位有效数字
标称值第二位有效数字
标称值有效数字后0的个数
允许误差
颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差
黑00
0
10
棕11
1
10
红22
2
10
橙33
3
10
黄44
4
10
绿55
5
10
蓝66
6
10
紫77
7
10
灰88
8
10
白99
9
10
―20%~+50%
金
1
10
?
±5%
银
2
10
?
±10%
无色±20%
图1两位有效数字阻值的色环表示法
三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表
示10×10
2
＝1.0kΩ±20%的电阻器。
四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示
15×10
3
＝15kΩ±5%的电阻器。
五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表
示275×10
4
＝2.75MΩ±1%的电阻器。
252
一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较
标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。
有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判
断。
标称值第一位有效数字
标称值第二位有效数字
标称值第三位有效数字
标称值有效数字后0的个数
允许误差
颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍率允许偏差
黑000
0
10
棕111
1
10
±1%
红222
2
10
±2%
橙333
3
10
黄444
4
10
绿555
5
10
±0.5%
蓝666
6
10
±0.25
紫777
7
10
±0.1%
灰888
8
10
白999
9
10
金
1
10
?
银
2
10
?
图2三位有效数字阻值的色环表示法
4．电位器的主要技术指标
(1)额定功率
电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功
率不等于中心抽头与固定端的功率。
(2)标称阻值
标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。
(3)允许误差等级
实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许±20%、±10%、±5%、±2%、±1%
的误差。精密电位器的精度可达0.1%。±
(4)阻值变化规律
指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任
何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式）。
253
在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音
机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替，
但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。
5．电位器的一般标志方法
WT－23.3k±10%
允许误差±10%
标称阻值3.3kΩ
额定功率2W
碳膜电位器
254
WX－1510ΩJ
允许误差±5%
标称阻值510Ω
额定功率1W
线绕电位器
二．电容器
1．电容器型号命名法
表6电容器型号命名法
第一部分：主
称
第二部分：
材料
第三部分：
特征、分类
意义符号意
义
符
号
意义
符
号
瓷介云母玻璃电解其他
第四部分：
序号
C瓷介1圆片非密封－箔式非密封
Y云母2管形非密封－箔式非密封
I玻璃釉3迭片密封－烧结粉固体密封
O玻璃膜4独石密封－烧结粉固体密封
Z纸介5穿心－－－穿心
J金属化纸6支柱－－－－
B聚苯乙烯7－－－无极性－
L涤纶8高压高压－－高压
Q漆膜9－－－特殊特殊
S聚碳酸脂J金属膜
H复合介质W微调
D铝
A钽
N铌
G合金
T钛
电
容
器
E其他
对主称、材料相同，仅尺
寸、性能指标略有不同，
但基本不影响互使用的产
品，给予同一序号；若尺
寸性能指标的差别明显；
影响互换使用时，则在序
号后面用大写字母作为区
别代号。
示例：
(1)铝电解电容器
CD11
第四部分：序号
第三部分：特征分类（箔式）
第二部分：材料（铝）
第一部分：主称（电容器）
(2)圆片形瓷介电容器
CC1－1
第四部分：序号
第三部分：特征分类（圆片）
第二部分：材料（瓷介质）
第一部分：主称（电容器）
(3)纸介金属膜电容器
CZJX
第四部分：序号
第三部分：特征分类（金属膜）
第二部分：材料（纸介）
第一部分：主称（电容器）
2．电容器的主要技术指标
(1)电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，
40V，63V，100V，160V，250V，400V。
(2)电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。
表7
容许误差
±2%
±5%
±10%
±20%
+20%
-30%
+50%
-20%
+100%
-10%
级别0.2IIIIIIIVVVI
(3)标称电容量：
表8固定式电容器标称容量系列和容许误差
系列代号E24E12E6
容许误差±5%（I）或（J）±10%（II）或（K）±20%（III）或（m）
标称容量
对应值
10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,
33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90
10,12,15,18,22,27,3
3,39,47,56,68,82
10,15,22,23,47,68
注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10，其中n为正整数或负整数，单位为pF。
n
3．电容器的标志方法
(1)直标法容量单位：F（法拉）、μF（微法）、nF（纳法）、pF（皮法或微微法）。
1法拉=微法=微微法，1微法=纳法=微微法
6
10
12
10
3
10
6
10
1纳法=微微法
3
10
例如：4n7表示4.7nF或4700pF，0.22表示0.22μF，51表示51pF。
有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100pF；用小于
1的数字表示单位为μF的电容，例如0.1表示0.1μF。
255
(2)数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，
后一位表示位率。即乘以10
i
，i为第三位数字，若第三位数字9，则乘10
-1
。如223J代表22×10
3
pF
＝22000pF＝0.22μF，允许误差为±5%；又如479K代表47×10
-1
pF，允许误差为±5%的电容。
这种表示方法最为常见。
（3）色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从
顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。
有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。
三．电感器
1．电感器的分类
常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、
偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。
2．电感器的主要技术指标
(1)电感量:
在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比
其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即：
I
L
?
=
式中：?＝磁通量I＝电流强度
(2)固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感
器的固有电容。
(3)品质因数：
电感线圈的品质因数定义为：
R
L
Q
ω
=
式中：ω－工作角频率，L－线圈电感量，R－线圈的总损耗电阻
(4)额定电流：线圈中允许通过的最大电流。
(5)线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。
2．电感器电感量的标志方法
(1)直标法。单位H（亨利）、mH（毫亨）、μH（微亨）、
(2)数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。
(3)色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种
颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为μH，第四种颜色是误差位。
256
四．半导体分立器件
1．半导体分立器件的命名方法
（1）我国半导体分立器件的命名法
表9国产半导体分立器件型号命名法
第一部分第二部分第三部分
第四部分第五部分
用数字表示器
件电极的数目
用汉语拼音字母表示器
件的材料和极性
用汉语拼音字母
表示器件的类型
符
号
意义符
号
意义符
号
意义符
号
意义
2
3
二极管
三极管
A
B
C
D
A
B
C
D
E
N型，锗材料
P型，锗材料
N型，硅材料
P型，硅材料
PNP型，锗材料
NPN型，锗材料
PNP型，硅材料
NPN型，硅材料
化合物材料
P
V
W
C
Z
L
S
N
U
K
X
G
普通管
微波管
稳压管
参量管
整流管
整流堆
隧道管
阻尼管
光电器件
开关管
低频小功率管
（＜3MHz,
α
f
P
C
<1W）
高频小功率管
（≥3MHz
α
f
P
C
<1W）
D
A
T
Y
B
J
CS
BT
FH
PIN
JG
低频大功率管
（＜3MHz,
α
f
P
C
≥1W)
高频大功率管
（≥3MHz
α
f
P
C
≥1W）
半导体闸流管
(可控硅整流器)
体效应器件
雪崩管
阶跃恢复管
场效应器件
半导体特殊器件
复合管
PIN型管
激光器件
用数字
表示器件
序号
用汉语拼
音表示规
格的区别
代号
例：
1)锗材料PNP型低频大功率三极管：2)硅材料NPN型高频小功率三极管：
3AD50C3DG201B
规格号规格号
序号序号
低频大功率低频大功率
PNP型、锗材料PNP型、锗材料
三极管三极管
3)N型硅材料稳压二极管：4)单结晶体管：
2CW51BT33E
序号规格号
稳压管耗散功率
N型、硅材料三个电极
二极管特种管
半导体
（2）国际电子联合会半导体器件命名法
257
表10国际电子联合会半导体器件型号命名法
第一部分第二部分第三部分第四部分
用字母表示使
用的材料
用字母表示类型及主要特性
用数字或字母加
数字表示登记号
用字母对同一
型号者分档
符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义
A
检波、开关和
混频二极管
M封闭磁路中的
霍尔元件
A
锗材料
B变容二极管P光敏元件
C
低频小功率三
极管
Q
发光器件
B
硅材料
D
低频大功率三
极管
R
小功率可控硅
E隧道二极管S小功率开关管
三
位
数
字
通用半
导体器件
的登记序
号（同一
类型器件
使用同一
登记号）
C
砷化镓
F
高频小功率三
极管
T
大功率可控硅
G
复合器件
及其它器件
U
大功率开关管
D
锑化铟
H磁敏二极管X倍增二极管
K
开放磁路中的
霍尔元件
Y
整流二极管
R
复合材
料
L
高频大功率三
极管
Z
稳压二极管即
齐纳二极管
一
个
字
母
加
两
位
数
字
专用半
导体器件
的登记序
号（同一
类型器件
使用同一
登记号）
A
B
C
D
E
L
同一
型号器
件按某
一参数
进行分
档的标
志
示例（命名）：
AF239S
AF239型某一参数的S档
普通用登记序号
高频小功率三极管
锗材料
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母
是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的
产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP
型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功
率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手
册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，
顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN
型。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如h
FE
或N
F
）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测
量。
(3)美国半导体器件型号命名法
258
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号
命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。
表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分
用符号表示
用途的类型
用数字表示
PN结的数目
美国电子工业协会
(EIA)注册标志
美国电子工业协会
(EIA)登记顺序号
用字母表示
器件分档
符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义
1二极管JAN
或J
军用品
2三极管
3三个PN
结器件
无
非军用品
nn个PN
结器件
N
该器件
已在美国
电子工业
协会注册
登记
多
位
数
字
该器件在
美国电子工
业协会登记
的顺序号
A
B
C
D
L
同一
型号的
不同档
别
例：
1)JAN2N29042)1N4001
JAN2N29041N4001
EIA登记序号EIA登记序号
EIA注册标志EIA注册标志
三极管二极管
军用品
美国晶体管型号命名法的特点：
1)型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、
主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能
是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。
2)组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。
3)除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3NLL开头的晶体管分立器件，大都是美国制
造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。
4)第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特
性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而2N3465为N沟道场效应管。
5)不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数
的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。
6)登记序号数大的通常是近期产品。
(4)日本半导体器件型号命名法
日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日
本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。
日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号
及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符
号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：
M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。
N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。
Z－松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。
259
H－日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。
T－日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。
G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。
S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。
第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，
Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数h
FE
的分档标志。
表12日本半导体器件型号命名法
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分
用数字表示类型
或有效电极数
S表示日本电子工
业协会（EIAJ）的
注册产品
用字母表示器件
的极性及类型
用数字表示在日
本电子工业协会
登记的顺序号
用字母表示
对原来型号
的改进产品
符
号
意义
符
号
意义
符
号
意义
符
号
意义
符
号
意义
APNP型高频管
BPNP型低频管
CNPN型高频管
0
光电(即光敏)
二极管、晶体
管及其组合
管
DNPN型低频管
1二极管FP控制极可控硅
GN控制极可控硅
HN基极单结晶体管
JP沟道场效应管
2
三极管、具有
两个以上PN
结的其他晶
体管K
N沟道场效应管
M双向可控硅
3
L
L
具有四个有
效电极或具
有三个PN结
的晶体管
n-
1
具有n个有效
电极或具有
n-1个PN结
的晶体管
S
表示已在日
本电子工业协
会(EIAJ)注册
登记的半导体
分立器件
四
位
以
上
的
数
字
从11开
始，表示在
日本电子工
业协会注册
登记的顺序
号，不同公
司性能相同
的器件可以
使用同一顺
序号，其数
字越大越是
近期产品
A
B
C
D
E
F
L
L
用字母
表示对原
来型号的
改进产品
示例：
1）2SC502A（日本收音机中常用的中频放大管）
2SC502A
2SC502型的改进产品
日本电子工业协会登记顺序号
NPN型高频三极管
日本电子工业协会注册产品
三极管（两个PN结）
260
2）2SA495（日本夏普公司GF－9494收录机用小功率管）
2SA495
日本电子工业协会登记顺序号
PNP高频管
日本电子工业协会注册产品
三极管（两个PN结）
日本半导体器件型号命名法有如下特点：
1)型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极
管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2)第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。
3)第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三
极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4)第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，
顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为
200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先
后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。
5)第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6)日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省
略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。
7)在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频
率f
T
为100MHz，所以，它们也可当高频管用。
8)日本通常把P
cm
≥1W的管子，称做大功率管。
2．常用半导体二极管的主要参数
表13部分半导体二极管的参数
类
型
参
数
型
号
最大
整流
电流
/mA
正向
电流
/mA
正向压
降(在左
栏电流
值下)/V
反向
击穿
电压
/V
最高反
向工作
电压/V
反向
电流
/μA
零偏
压电
容
/pF
反向恢复
时间/ns
2AP9≥2.5≥4020
2AP7
≤16
≥5
≤1
≥150100
≤250
≤1
f
H
(MHz)1
50
2AP11≤25≥10≤10
普通
检波
二极
管
2AP17≤15≥10
≤1
≤100
≤250
≤1
f
H
(MHz)4
0
2AK13010
2AK2
≥150
≤14020
≤3
≤200
2AK5≥200≤0.96040≤2≤150
2AK10≥10≤17050
2AK136040
锗
开
关
二
极
管
2AK14
≥250
≤0.77050
≤2
≤150
2CK70A~E≥10≤3
2CK71A~E≥20
≤1.5
≤4
2CK72A~E
≥30
≤0.8
2CK73A~E≥50
2CK74A~D≥100
2CK75A~D≥150
硅
开
关
二
极
管
2CK76A~D≥200
≤1
A≥30
B≥45
C≥60
D≥75
E≥90
A≥20
B≥30
C≥40
D≥50
E≥60
≤1
≤5
类
型
参
数
型
号
最大
整流
电流
/mA
正向
电流
/mA
正向压
降(在左
栏电流
值下)/V
反向
击穿
电压
/V
最高反
向工作
电压/V
反向
电流
/μA
零偏
压电
容
/pF
反向恢复时
间/ns
261
262
2CZ52B
LH
2
0.1
≤1
25
L600
同2AP普通二极
管
2CZ53B
LM
6
0.3
≤1
50
L1000
2CZ54B
LM
10
0.5
≤1
50
L1000
2CZ55B
LM
20
1
≤1
50
L1000
2CZ56B
LB
65
3
≤0.8
25
L
1000
1N4001
L4007
30
1
1.1
50
L
1000
5
1N5391
L5399
50
1.5
1.4
50
L
1000
10
整
流
二
极
管
1N5400
L5408
200
3
1.2
50
L
1000
10
3.常用整流桥的主要参数
表14几种单相桥式整流器的参数
参数
型号
不重复正向
浪涌电流/A
整流
电流/A
正向电
压降/V
反向漏
电/μA
反向工作电压/V最高工作
结温/
o
C
QL110.05
QL220.1
QL460.3
QL5100.5
QL6201
≤10
QL7402
QL8603
≤1.2
≤15
常见的分档为：25，
50，100，200，400，
500，600，700，800，
900，1000
130
4.常用稳压二极管的主要参数
表15部分稳压二极管的主要参数
工作电流为
稳定电流
稳定电
压下
环境温度
<50
o
C
稳定电
流下
稳定电流下环境温度
＜10
o
C
测试条件
参
型数
号
稳定电压
/V
稳定电
流/mA
最大稳定
电流/mA
反向漏电
流
动态电
阻/Ω
电压温度系
数/10
-4
/
o
C
最大耗散
功率/W
2CW512.5~3.571≤5≤60≥-9
2CW523.2~4.555≤2≤70≥-8
2CW534~5.841≤1≤50-6~4
2CW545.5~6.538≤30-3~5
2CW567~8.827≤15≤7
2CW578.5~9.8
10
26≤20≤8
2CW5910~11.820≤30≤9
2CW6011.5~12.5
5
19
≤0.5
≤40≤9
0.25
2CW1034~5.850165≤1≤20-6~4
2CW11011.5~12.52076≤0.5≤20≤9
2CW11316~191052≤0.5≤40≤11
1
2CW1A530240≤201
2CW6C153070≤81
2CW7C6.0~6.51030≤100.050.2
5.常用半导体三极管的主要参数
(1)3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管
表163AX51(3AX31)型半导体三极管的参数
原型号3AX31
新型号3AX51A3AX51B3AX51C3AX51D
测试条件
P
CM
(mW)100100100100T
a
＝25
o
C
I
CM
(mA)100100100100
T
jM
(
o
C)75757575
BV
CBO
(V)≥30≥30≥30≥30I
C
＝1mA
极
限
参
数
BV
CEO
(V)≥12≥12≥18≥24I
C
＝1mA
I
CBO
(μA)≤12≤12≤12≤12V
CB
＝-10V
I
CEO
(μA)≤500≤500≤300≤300V
CE
＝-6V
I
EBO
(μA)≤12≤12≤12≤12V
EB
＝-6V
直
流
参
数h
FE
40~15040~15030~10025~70V
CE
＝-1VI
C
＝50mA
f
α
(kHz)≥500≥500≥500≥500V
CB
＝-6VI
E
＝1mA
N
F
(dB)－≤8－－V
CB
＝-2VI
E
＝0.5mAf＝1kHz
h
ie
(kΩ)0.6~4.50.6~4.50.6~4.50.6~4.5
h
re
(×10)≤2.2≤2.2≤2.2≤2.2
h
oe
(μs)≤80≤80≤80≤80
交
流
参
数
h
fe－－－－
V
CB
＝-6VI
E
＝1mAf＝1kHz
h
FE
色标分档(红)25~60；(绿)50~100；(蓝)90~150
管脚
B
EC
（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管
表173AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数
型号3AX81A3AX81B测试条件
P
CM
(mW)200200
I
CM
(mA)200200
T
jM
(
o
C)7575
BV
CBO
(V)-20-30I
C
＝4mA
BV
CEO
(V)-10-15I
C
＝4mA
极限
参数
BV
EBO
(V)-7-10I
E
＝4mA
I
CBO
(μA)≤30≤15V
CB
＝-6V
I
CEO
(μA)≤1000≤700V
CE
＝-6V
I
EBO
(μA)≤30≤15V
EB
＝-6V
V
BES
(V)≤0.6≤0.6V
CE
＝-1VI
C
＝175mA
V
CES
(V)≤0.65≤0.65V
CE
＝V
BE
V
CB
＝0I
C
＝200mA
直流
参数
h
FE
40~27040~270V
CE
＝-1VI
C
＝175mA
交流
参数
f
β
(kHz)≥6≥8V
CB
＝-6VI
E
＝10mA
h
FE
色标分档(黄)40~55(绿)55~80(蓝)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400
管脚
B
EC
（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管
263
表183BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数
型号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31C测试条件
P
CM
(mW)125125125125T
a
=25
o
C
I
CM
(mA)125125125125
T
jM
(
o
C)75757575
BV
CBO
(V)-15-20-30-40I
C
＝1mA
BV
CEO
(V)-6-12-18-24I
C
＝2mA
极限
参数
BV
EBO
(V)-6-10-10-10I
E
＝1mA
I
CBO
(μA)≤25≤20≤12≤6V
CB
＝6V
I
CEO
(μA)≤1000≤800≤600≤400V
CE
＝6V
I
EBO
(μA)≤25≤20≤12≤6V
EB
＝6V
V
BES
(V)≤0.6≤0.6≤0.6≤0.6V
CE
＝6VI
C
＝100mA
V
CES
(V)≤0.65≤0.65≤0.65≤0.65V
CE
＝V
BE
V
CB
＝0I
C
＝125mA
直流
参数
h
FE
80~40040~18040~18040~180V
CE
＝1VI
C
＝100mA
交流
参数
f
β
(kHz)－－≥8f
α
≥465V
CB
＝-6VI
E
＝10mA
h
FE
色标分档(黄)40~55(绿)55~80(蓝)80~120(紫)120~180(灰)180~270(白)270~400
管脚
B
EC
(4)3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管
表193DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原型号3DG6
新型号3DG100A3DG100B3DG100C3DG100D
测试条件
P
CM
(mW)100100100100
I
CM
(mA)20202020
BV
CBO
(V
)
≥30≥40≥30≥40I
C
＝100μA
BV
CEO
(V
)
≥20≥30≥20≥30I
C
＝100μA
极
限
参
数
BV
EBO
(V
)
≥4≥4≥4≥4I
E
＝100μA
I
CBO
(μA)≤0.01≤0.01≤0.01≤0.01V
CB
＝10V
I
CEO
(μA)≤0.1≤0.1≤0.1≤0.1V
CE
＝10V
I
EBO
(μA)≤0.01≤0.01≤0.01≤0.01V
EB
＝1.5V
V
BES
(V)≤1≤1≤1≤1I
C
＝10mAI
B
＝1mAB
V
CES
(V)≤1≤1≤1≤1I
C
＝10mAI
B
＝1mAB
直
流
参
数
h
FE≥30≥30≥30≥30VCE＝10VIC＝3mA
f
T
(MHz)≥150≥150≥300≥300VCB＝10VIE＝3mAf＝100MHzRL＝5Ω
K
P
(dB)≥7≥7≥7≥7VCB＝-6VIE＝3mAf＝100MHz
交
流
参
数
C
ob
(pF)≤4≤4≤4≤4V
CB
＝10VI
E
＝0
h
FE
色标分档(红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150
管脚
B
EC
264
(5)3DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管
表203DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管的参数
原型号3DG12
新型号3DG130A3DG130B3DG130C3DG130D
测试条件
P
CM
(mW)700700700700
I
CM
(mA)300300300300
BV
CBO
(V
)
≥40≥60≥40≥60I
C
＝100μA
BV
CEO
(V
)
≥30≥45≥30≥45I
C
＝100μA
极
限
参
数
BV
EBO
(V
)
≥4≥4≥4≥4I
E
＝100μA
I
CBO
(μA)≤0.5≤0.5≤0.5≤0.5V
CB
＝10V
I
CEO
(μA)≤1≤1≤1≤1V
CE
＝10V
I
EBO
(μA)≤0.5≤0.5≤0.5≤0.5V
EB
＝1.5V
V
BES
(V)≤1≤1≤1≤1I
C
＝100mAI
B
＝10mAB
V
CES
(V)≤0.6≤0.6≤0.6≤0.6I
C
＝100mAI
B
＝10mAB
直
流
参
数
h
FE≥30≥30≥30≥30VCE＝10VIC＝50mA
f
T
(MHz)≥150≥150≥300≥300VCB＝10VIE＝50mAf＝100MHzRL＝
5Ω
K
P
(dB)≥6≥6≥6≥6VCB＝–10VIE＝50mAf＝100MHz
交
流
参
数
C
ob
(pF)≤10≤10≤10≤10V
CB
＝10VI
E
＝0
h
FE
色标分档(红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150
管脚
B
EC
(5)9011~9018塑封硅三极管
表219011~9018塑封硅三极管的参数
型号
(3DG)
9011
(3CX)
9012
(3DX)
9013
(3DG)
9014
(3CG)
9015
(3DG)
9016
(3DG)
9018
P
CM
(mW)200300300300300200200
I
CM
(mA)203003001001002520
BV
CBO
(V)20202025252530
BV
CEO
(V)18181820202020
极
限
参
数
BV
EBO
(V)5554444
I
CBO
(μA)0.010.50,50.050.050.050.05
I
CEO
(μA)0.1110.50.50.50.5
I
EBO
(μA)0.010.50,50.050.050.050.05
V
CES
(V)0.50.50.50.50.50.50.35
V
BES
(V)111111
直
流
参
数
h
FE
30303030303030
f
T
(MHz)1008080500600
C
ob
(pF)3.52.541.64
交
流
参
数
K
P
(dB)10
h
FE
色标分档(红)30~60(绿)50~110(蓝)90~160(白)>150
管脚
EBC
265
6．常用场效应管主要参数
表22常用场效应三极管主要参数
N沟道结型MOS型N沟道耗尽型
3DJ23DJ43DJ63DJ73D013D023D04
参数名称
D~HD~HD~HD~HD~HD~HD~H
饱和漏源电流I
DSS
(mA)0.3~100.3~100.3~100.35~1.80.35~100.35~250.35~10.5
夹断电压V
GS
(V)
正向跨导g
m
(μV)>2000>2000>1000>3000≥1000≥4000≥2000
最大漏源电压BV
DS
(V)>20>20>20>20>20>12~20>20
最大耗散功率P
DNI
(mW)10010010010010025~100100
栅源绝缘电阻r
GS
(Ω)≥10
8
≥10
8
≥10
8
≥10
8
≥10
8
≥10
8
~10
9
≥100
管脚
GD
或
SDSG
五．模拟集成电路
1.模拟集成电路命名方法（国产）
表23器件型号的组成
第0部分第一部分第二部分第三部分第四部分
用字母表示器件
符合国家标准
用字母表示器件的类型用字母表示器件
的工作温度范围
用字母表示器件的封装
符
号
意义符
号
意义
用阿拉伯数
字表示器件
的系列和品
种代号
符
号
意义符
号
意义
TTTLC0~70
o
C
W陶瓷扁平
HHTLE-40~85
o
CB塑料扁平
EECLR-55~85
o
CF全封闭扁平
CCMOSD陶瓷直插
F线性放大器P塑料直插
D音响、电视电路J黑陶瓷直插
W稳压器K金属菱形
C中国制造
J接口电路
M
L
L
-55~125
o
C
LL
T金属圆形
例：
CF741CT
266
金属圆形封装
0
o
~70
o
C
器件代号
线性放大器
中国国家标准
2．国外部分公司及产品代号
表24国外部分公司及产品代号
公司名称代号公司名称代号
美国无线电公司(BCA)CA美国悉克尼特公司(SIC)NE
美国国家半导体公司(NSC)LM日本电气工业公司(NEC)μPC
美国莫托洛拉公司(MOTA)MC日本日立公司(HIT)RA
美国仙童公司(PSC)μA日本东芝公司(TOS)TA
美国德克萨斯公司(TII)TL日本三洋公司(SANYO)LA，LB
美国模拟器件公司(ANA)AD日本松下公司AN
美国英特西尔公司(INL)IC日本三菱公司M
3．部分模拟集成电路引脚排列
(1)运算放大器，如图3所示：(2)音频功率放大器，如图所示：
抑抑
正输调电自制制输
电出零源举纹空纹入空
源端端端端波脚波端脚
8765141312111098
LM741LA4100
12341234567
调负正负输电衬补补负空
零输输电出源底偿偿反脚
端入入源端地地端端馈
端端端端
图3图4
(3)集成稳压器，如图所示：
267
LM
317
调输
整入
123
输出
图5
268
4．部分模拟集成电路主要参数
(1)μA741运算放大器的主要参数
表25μA741的性能参数
电源电压+U
CC
-U
EE
+3V~+18V，典型值+15V
-3V~-18V，-15V
工作频率
10kHz
输入失调电压U
IO
2mV单位增益带宽积A
u
?BW1MHz
输入失调电流I
IO
20nA转换速率S
R
0.5V/μS
开环电压增益A
uo
106dB共模抑制比CMRR90dB
输入电阻R
i
2MΩ功率消耗50mW
输出电阻R
o
75Ω输入电压范围±13V
(2)LA4100、LA4102音频功率放大器的主要参数
表26LA4100~LA4102的典型参数
典型值
参数名称/单位
条件
LA4100LA4102
耗散电流/mA静态30.026.1
电压增益/dBR
NF
＝220Ω，f＝1kHz45.444.4
输出功率/WTHD＝10%，f＝1kHz1.94.0
总谐波失真×100P
0
＝0.5W，f＝1kHz0.280.19
输出噪声电压/mVR
g
＝0，U
G
＝45dB0.240.21
注：+U
CC
＝+6V(LA4100)+U
CC
＝+9V(LA4102)R
L
＝8Ω
(3)CW7805、CW7812、CW7912、CW317集成稳压器的主要参数
表27CW78××，CW79××，CW317参数
参数名称/单位CW7805CW7812CW7912CW317
输入电压/V+10+19-19≤40
输出电压范围/V+4.75~+5.25+11.4~+12.6-11.4~-12.6+1.2~+37
最小输入电压/V+7+14-14+3≤V
i
-V
o
≤+40
电压调整率/mV+3+3+30.02%/V
最大输出电流/A加散热片可达1A1.5
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