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代码分析报告 （一） Bootloader代码分析
1． 第一部分 功能：关闭中断，进入ARM状态，切换到SVC模式（复位异常进入SVC 模式）。
MRS r0, cpsr 把状态寄存器CPSR中数据读入r0 寄存器。 BIC r0, r0, #MASK_MODE （MASK_MODE = 0x0000003F）把 r0 寄存器的低6位清零。（把Thumb状态为清零，回到ARM状态） ORR r0, r0, #MODE_SVC32 （MODE_SVC32 = 0x00000013）把r0 寄存器的低5置为 10011（SVC模式）。 ORR r0, r0, #I_BIT （I_BIT = 0x80）把r0 寄存器的第8位置1（关闭中断状态位）。 ORR r0, r0, F_BIT （F_BIT = 0x40 ）把r0 寄存器的第7位置1（关闭快速中断状态位）。 MSR cpsr_c, r0 把r0 寄存器的低8位存储进CPSR寄存器的低8位。
自此进入ARM状态，切换到SVC模式，关闭中断和快速中断。
LDR r2, = ARM7_INTMASK ASIC_BASE EQU 0x03ff0000 ARM7_INTMASK EQU (ASIC_BASE+0x4008) ARM7_INTMASK = 0x03ff4008 把0x03ff4008存入r2 寄存器。
ASIC_BASE 是SYSCFG寄存器的第16位到第25位，是指S3C4510b中特殊寄存器的启始地址。 SYSCFG寄存器复位时缺省值是0x37ff ff91。 SYSCFG寄存器的第16位到第25位的值是0x 3ff。 ARM7_INTMASK EQU (ASIC_BASE+0x4008)
中断模式寄存器：控制中断源的掩码。 偏移地址0x4008。 ARM7_INTMASK 就是中断模式寄存器的寻址地址。 ARM7_INTMASK = 0x03ff4008
第21位是全局模式位：置1时断开所有中断源。 置0时 连接所有中断源。 第0位到第20位：置1时，断开所对应的中断源。 置0时，连接所对应的中断源。 MVN r1, #0 把r1 寄存器的32位全部置1。 STR 1, [r2] 把r1 寄存器中的值存入r2 寄存器中的地址中。 既把中断模式寄存器所有位置1，断开所有中断源。
LDR r2, = ARM 7_INTPEND ASIC_BASE EQU 0x03ff0000 ARM7_INTPEND EQU (ASIC_BASE+0x4004) ARM7_ INTPEND = 0x03ff4004 把0x03ff4004入r2 寄存器。
名称：中断未决寄存器： 偏移地址：0x4004 ARM7_ INTPEND 就是中断未决寄存器的寻址地址
MVN r1, #0 把r1 寄存器的32位全部置1。 STR r1, [r2] 把r1 寄存器中的值存入r2 寄存器中的地址中。 既把中断模式寄存器所有位置1，断开所有中断源。
2． 第二部分 LDR r0， = ARM7_SYSCFG ASIC_BASE EQU 0x03ff0000 ARM7_SYSCFG EQU (ASIC_BASE+0x0000) ARM7_SYSCFG = 0x03ff 0000 把0x03ff 0000入r0寄存器。
系统配置寄存器：偏移地址0x0000。 系统复位的缺省值：0x37ff ff91 ARM7_SYSCFG 就是系统配置寄存器的寻址地址。
[0]：SE必须设为0； [1]：CE cache 使能位； CE置1 时，能够执行cache 的有关操作。 CE 置0时，禁止执行cache 的有关操作。 [2]：WE write buffer 使能位； WE置1 时，能够执行write buffer 的有关操作。 WE置0时，禁止执行write buffer 的有关操作。 [5：4]：CM cache 模式位；（决定了CPU 内部的存储单元cache 和sram 的划分） 00 时，cache为 4 KB，sram 为 4 KB。 01 时，cache为 8 KB，sram 为 0 KB。 10 时，cache为 0 KB，sram 为 8 KB。 [15：6]：sram 的基址。 [25：16]：特殊寄存器的基址。 [30：26]：产品号。 00001 为 S3C4510X。 11001 为 S3C4510B。 [31]：DRAM 同步模式位。 0 时， 1时， LDR r1， 0x87ffffA0 把0x87ffffA0 存入r1 寄存器。 STR r1， [r0] 把r1 寄存器中的值0x87ffffA0 存入 r0 寄存器的地址中，即系统配置寄存器中。 CE 位清 0 ，禁止cache ； WE位清 0 ，禁止write buffer ； CM位 10 ，cache为 0 KB，sram 为 8 KB ； sram 的基址：0x03FE 0000 特殊寄存器的基址：0x03FF 0000 产品号：00001 为 S3C4510X。 DRAM 同步模式位：1 为
3． 第三部分 IMPORT |Image$$RO$$Base| IMPORT |Image$$RO$$Limit| IMPORT |Image$$RW$$Base| IMPORT |Image$$RW$$Limit| IMPORT |Image$$ZI$$Base| IMPORT |Image$$ZI$$Limit| 引入与ADS 内设的6个变量。
4． 第四部分 LDR r1, = rEXTDBWTH （ rEXTDBWTH = 0x00003001 ） LDR r2, = rROMCON0 （rROMCON0 = 0x02000060 ） LDR r3, = rROMCON1 （rROMCON1 = 0x60 ） LDR r4, = rROMCON2 （rROMCON2 = 0x60 ） LDR r5, = rROMCON3 （rROMCON3 = 0x60 ） LDR r6, = rROMCON4 （rROMCON4 = 0x60 ） LDR r7, = rROMCON5 （rROMCON5 = 0x60 ） LDR r8, = rSDRAMCON0 （rSDRAMCON0 = 0x12008380 ） LDR r9, = rSDRAMCON1 （rSDRAMCON1 = 0x00 ） LDR r10, = rSDRAMCON2 （rSDRAMCON2 = 0x00 ） LDR r11, = rSDRAMCON3 （rSDRAMCON3 = 0x00 ） LDR r12, = rSREFEXTCON （rSREFEXTCON = 0xCE278360 ） 把一些配置字存入r0 – r12 寄存器，以至过后初始化SDRAM和FLASH。
LDR r0, =ARM7_EXTDBWTH ASIC_BASE EQU 0x03ff0000 ARM7_EXTDBWTH EQU (ASIC_BASE+0x3010) ARM7_ EXTDBWTH = 0x03ff 3010 把EXTDBWTH 寄存器的地址0x03ff 3010存入r0寄存器。
名称：EXTDBWTH；（P176） 功能：设置每个地址段的数据总线宽度； 偏移地址：0x3010； 缺省值：0x0000 0000；
[1：0] 设置DSR0 的数据总线的宽度。DSR0是只读的。 00 ：不允许； 01 ：8位； 10 ：16位； 11 ：32位； [3：2] 设置DSR1的数据总线的宽度。 [5：4] [7：6] [9：8] [11：10] 00 ：不允许； 01 ：8位； 10 ：16位； 11 ：32位； [13：12] 设置DSD0的数据总线的宽度。 [15：14] [17：16] [19：18] 00 ：不允许； 01 ：8位； 10 ：16位； 11 ：32位； [21：20] 设置DSX0的数据总线的宽度。（I/ O 地址范围） [23：22] [25：24] [27：26] 00 ：不允许； 01 ：8位； 10 ：16位； 11 ：32位；
STMIA r0, {r1-r12} 把r1 – r12 寄存器中的配置字依次写入r0 中地址 到r0 中地址 + 44中。 即 EXTDBWTH寄存器； （ rEXTDBWTH = 0x00003001 ） ROMCON0 寄存器； （rROMCON0 = 0x02000060 ） ROMCON1 寄存器； （rROMCON1 = 0x60 ） ROMCON2 寄存器； （rROMCON2 = 0x60 ） ROMCON3 寄存器； （rROMCON3 = 0x60 ） ROMCON4 寄存器； （rROMCON4 = 0x60 ） ROMCON5 寄存器； （rROMCON5 = 0x60 ） DRAMCON0 寄存器； （rSDRAMCON0 = 0x12008380 ） DRAMCON1 寄存器； （rSDRAMCON1 = 0x00 ） DRAMCON2 寄存器； （rSDRAMCON2 = 0x00 ） DRAMCON3 寄存器； （rSDRAMCON3 = 0x00 ） REFEXTCON寄存器； （rSREFEXTCON = 0xCE278360 ）
名称：ROMCON0 到 ROMCON5 功能：配置DSR 的地址范围和操作模式 偏移地址：0x3014 到 0x3028 缺省值：ROMCON0 为 0x2000 0060 ROMCON1 到ROMCON5 为0x0000 0060 ROMCON0 到 ROMCON5 寄存器（P177）
[1：0] PMC 页模式配置位 00 ： 01 ： 10 ： 11 ： [3：2] tpa 00 ： 01 ： 10 ： 11 ： [6：4] tacc 000 ： 001 ： 010 ： 011 ： 110 ： 111 ： [19：10] DSR 的基址； 基址 = [19：10] 左移 16 位。 [29：20] 当前 DSR 的结束地址； 结束地址 = [29：20] 左移 16 位 + 1。
名称：DRAMCON0 到 DRAMCON3 功能：配置DSD 的地址范围和操作模式 偏移地址：0x302C 到 0x3038 缺省值：0x0000 0000
名称：REFEXTCON 功能： 偏移地址： 0x303C 缺省值：0x0000 0000
DRAMCON0 到 DRAMCON3 寄存器：
[0] EDO 模式 [2：1] [3] [6：4] 保留位 缺省为 000，必须设置为 001； [7] [9：8] [19：10] DSD 的基址； 基址 = [19：10] 左移 16 位。 [29：20] 当前 DSD 的结束地址； 结束地址 = [29：20] 左移 16 位 + 1。 [31：30] CAN
REFEXTCON 寄存器 （P203）
[9：0] I / O 地址基址 基址 = [9：0] 左移 16 位。 结束地址 = 基址 + 16 KB - 1 。 [15] VSF [16] REN Refresh 使能位 0 ：禁止DRAM Refresh； 1 ：允许DRAM Refresh； [19：17] [20] [31：20]
EXTDBWTH寄存器； （ rEXTDBWTH = 0x00003001 ） [1：0] 为 01， 设置FLASH 数据总线宽度为 8 位； [13：12] 为 11，设置SDRAM 数据总线宽度为 32位； 其它位为 00， 禁止使用； ROMCON0寄存器： （rROMCON0 = 0x0200 0060 ） [1：0] PMC 页模式配置位 设置为00 ： [3：2] tpa 设置为00 ： [6：4] tacc 设置为110 ： [19：10] FLASH 的基址； 设置为0x000 基址 = 0x0000 0000 [29：20] 当前 DSR 的结束地址； 设置为0x020 结束地址 = 0x0020 0001 ROMCON1 到 ROMCON5 寄存器 （rROMCON1 = 0x60 ） 不关心ROMCON1 到 ROMCON5 寄存器，把它们设置为缺省值。 DRAMCON0 寄存器 （rSDRAMCON0 = 0x12008380 ） [0] EDO 模式 设置为0， [2：1] 设置为0， [3] 设置为0， [6：4] 保留位 缺省为 000，必须设置为 001；设置为000了， 为什么？ [7] 设置为1， [9：8] 设置为11， [19：10] SDRAM 的基址； 设置为 0x020 基址 = 0x0020 0000
[29：20] 当前 DSD 的结束地址； 设置为 0x120 结束地址= 0x0120 0001 [31：30] CAN 设置为00， DRAMCON1 到 DRAMCON3 寄存器 不关心DRAMCON1 到 DRAMCON3 寄存器，把它们设置为缺省值。 REFEXTCON 寄存器（rSREFEXTCON = 0xCE278360 ） [9：0] I / O 地址基址 基址 = [9：0] 左移 16 位。 结束地址 = 基址 + 16 KB - 1 。 [15] VSF [16] REN Refresh 使能位 0 ：禁止DRAM Refresh； 1 ：允许DRAM Refresh； [19：17] [20] [31：20]
至此，初始化了FLASH 和SDRAM， FLASH 设置为8位数据宽度； 地址范围从0x0000 0000 到 0x0200 0000； SDRAM 设置为32位数据宽度； 地址范围从0x0200 0000 到 0x1200 0000；
5． 第五部分 把Bootloader拷贝到SDRAM中。 LDR r0, = |Image$$RO$$Base| 把RO段的基地址赋给 r0 寄存器。 LDR r1, = |Image$$RO$$Limit| 把RO段的结束地址赋给 r1 寄存器。 LDR r2, = |Image$$RW$$Base| 把RW段的基地址赋给 r2 寄存器。 LDR r3, = |Image$$RW$$Limit| 把RW段的结束地址赋给 r3 寄存器。 SUB r1, r1, r0 RO段的结束地址 - RO段的基地址得到RO段的长度，并赋给 r1 寄存器。 SUB r3, r3, r2 RW段的结束地址 - RW段的基地址得到RW段的长度，并赋给 r3 寄存器。 ADD r1, r1, r3 RO段的长度 + RW段的长度，得到Bootloader的长度，并赋给 r1 寄存器。 LDR r2, = 0x20 0000 设置r2 寄存器的值为 0x0020 0000（2MB），Bootloader拷贝的目标地址。
以下开始了把Bootloader拷贝到SDRAM中。 COPY LDR r3, [r0], #4 r0寄存器包含Bootloader的启始地址，从Bootloader的启始地址读入4个字节的数据进入r3寄存器。 r0寄存器中地址 + 4 STR r3, [r2], #4 r2 寄存器包含Bootloader拷贝的目标地址，把r3寄存器中的数据存入SDRAM中。 R2寄存器中地址 + 4 SUBS r1, r1, #4 r1 寄存器包含Bootloader的长度， r1 寄存器中Bootloader的长度 – 4。 并影响状态位。 BNE COPY 检查状态位Z 位，如果为0，执行这条指令，跳转到COPY，继续拷贝，如果不为0，不执行这个指令，表示Bootloader拷贝已经完成。
6． 第六部分 LDR r1, = rEXTDBWTH_R （rEXTDBWTH_R EQU 0x00003001） LDR r2, = rROMCON0_R （rROMCON0_R EQU 0x12040060） LDR r3, = rROMCON1_R （rROMCON1_R EQU 0x60） LDR r4, = rROMCON2_R （rROMCON2_R EQU 0x60） LDR r5, = rROMCON3_R （rROMCON3_R EQU 0x60） LDR r6, = rROMCON4_R （rROMCON4_R EQU 0x60） LDR r7, = rROMCON5_R （rROMCON5_R EQU 0x60） LDR r8, = rSDRAMCON0_R （rSDRAMCON0_R EQU 0x10000380） LDR r9, = rSDRAMCON1_R （rSDRAMCON1_R EQU （一） Bootloader代码分析
1． 第一部分 功能：关闭中断，进入ARM状态，切换到SVC模式（复位异常进入SVC 模式）。
MRS r0, cpsr 把状态寄存器CPSR中数据读入r0 寄存器。 BIC r0, r0, #MASK_MODE （MASK_MODE = 0x0000003F）把 r0 寄存器的低6位清零。（把Thumb状态为清零，回到ARM状态） ORR r0, r0, #MODE_SVC32 （MODE_SVC32 = 0x00000013）把r0 寄存器的低5置为 10011（SVC模式）。 ORR r0, r0, #I_BIT （I_BIT = 0x80）把r0 寄存器的第8位置1（关闭中断状态位）。 ORR r0, r0, F_BIT （F_BIT = 0x40 ）把r0 寄存器的第7位置1（关闭快速中断状态位）。 MSR cpsr_c, r0 把r0 寄存器的低8位存储进CPSR寄存器的低8位。
自此进入ARM状态，切换到SVC模式，关闭中断和快速中断。
LDR r2, = ARM7_INTMASK ASIC_BASE EQU 0x03ff0000 ARM7_INTMASK EQU (ASIC_BASE+0x4008) ARM7_INTMASK = 0x03ff4008 把0x03ff4008存入r2 寄存器。
ASIC_BASE 是SYSCFG寄存器的第16位到第25位，是指S3C4510b中特殊寄存器的启始地址。 SYSCFG寄存器复位时缺省值是0x37ff ff91。 SYSCFG寄存器的第16位到第25位的值是0x 3ff。 ARM7_INTMASK EQU (ASIC_BASE+0x4008)
中断模式寄存器：控制中断源的掩码。 偏移地址0x4008。 ARM7_INTMASK 就是中断模式寄存器的寻址地址。 ARM7_INTMASK = 0x03ff4008
第21位是全局模式位：置1时断开所有中断源。 置0时 连接所有中断源。 第0位到第20位：置1时，断开所对应的中断源。 置0时，连接所对应的中断源。 MVN r1, #0 把r1 寄存器的32位全部置1。 STR 1, [r2] 把r1 寄存器中的值存入r2 寄存器中的地址中。 既把中断模式寄存器所有位置1，断开所有中断源。
LDR r2, = ARM 7_INTPEND ASIC_BASE EQU 0x03ff0000 ARM7_INTPEND EQU (ASIC_BASE+0x4004) ARM7_ INTPEND = 0x03ff4004 把0x03ff4004入r2 寄存器。
名称：中断未决寄存器： 偏移地址：0x4004 ARM7_ INTPEND 就是中断未决寄存器的寻址地址
MVN r1, #0 把r1 寄存器的32位全部置1。 STR r1, [r2] 把r1 寄存器中的值存入r2 寄存器中的地址中。 既把中断模式寄存器所有位置1，断开所有中断源。
2． 第二部分 LDR r0， = ARM7_SYSCFG ASIC_BASE EQU 0x03ff0000 ARM7_SYSCFG EQU (ASIC_BASE+0x0000) ARM7_SYSCFG = 0x03ff 0000 把0x03ff 0000入r0寄存器。
系统配置寄存器：偏移地址0x0000。 系统复位的缺省值：0x37ff ff91 ARM7_SYSCFG 就是系统配置寄存器的寻址地址。
[0]：SE必须设为0； [1]：CE cache 使能位； CE置1 时，能够执行cache 的有关操作。 CE 置0时，禁止执行cache 的有关操作。 [2]：WE write buffer 使能位； WE置1 时，能够执行write buffer 的有关操作。 WE置0时，禁止执行write buffer 的有关操作。 [5：4]：CM cache 模式位；（决定了CPU 内部的存储单元cache 和sram 的划分） 00 时，cache为 4 KB，sram 为 4 KB。 01 时，cache为 8 KB，sram 为 0 KB。 10 时，cache为 0 KB，sram 为 8 KB。 [15：6]：sram 的基址。 [25：16]：特殊寄存器的基址。 [30：26]：产品号。 00001 为 S3C4510X。 11001 为 S3C4510B。 [31]：DRAM 同步模式位。 0 时， 1时， LDR r1， 0x87ffffA0 把0x87ffffA0 存入r1 寄存器。 STR r1， [r0] 把r1 寄存器中的值0x87ffffA0 存入 r0 寄存器的地址中，即系统配置寄存器中。 CE 位清 0 ，禁止cache ； WE位清 0 ，禁止write buffer ； CM位 10 ，cache为 0 KB，sram 为 8 KB ； sram 的基址：0x03FE 0000 特殊寄存器的基址：0x03FF 0000 产品号：00001 为 S3C4510X。 DRAM 同步模式位：1 为
3． 第三部分 IMPORT |Image$$RO$$Base| IMPORT |Image$$RO$$Limit| IMPORT |Image$$RW$$Base| IMPORT |Image$$RW$$Limit| IMPORT |Image$$ZI$$Base| IMPORT |Image$$ZI$$Limit| 引入与ADS 内设的6个变量。
4． 第四部分 LDR r1, = rEXTDBWTH （ rEXTDBWTH = 0x00003001 ） LDR r2, = rROMCON0 （rROMCON0 = 0x02000060 ） LDR r3, = rROMCON1 （rROMCON1 = 0x60 ） LDR r4, = rROMCON2 （rROMCON2 = 0x60 ） LDR r5, = rROMCON3 （rROMCON3 = 0x60 ） LDR r6, = rROMCON4 （rROMCON4 = 0x60 ） LDR r7, = rROMCON5 （rROMCON5 = 0x60 ） LDR r8, = rSDRAMCON0 （rSDRAMCON0 = 0x12008380 ） LDR r9, = rSDRAMCON1 （rSDRAMCON1 = 0x00 ） LDR r10, = rSDRAMCON2 （rSDRAMCON2 = 0x00 ） LDR r11, = rSDRAMCON3 （rSDRAMCON3 = 0x00 ） LDR r12, = rSREFEXTCON （rSREFEXTCON = 0xCE278360 ） 把一些配置字存入r0 – r12 寄存器，以至过后初始化SDRAM和FLASH。
LDR r0, =ARM7_EXTDBWTH ASIC_BASE EQU 0x03ff0000 ARM7_EXTDBWTH EQU (ASIC_BASE+0x3010) ARM7_ EXTDBWTH = 0x03ff 3010 把EXTDBWTH 寄存器的地址0x03ff 3010存入r0寄存器。
名称：EXTDBWTH；（P176） 功能：设置每个地址段的数据总线宽度； 偏移地址：0x3010； 缺省值：0x0000 0000；
[1：0] 设置DSR0 的数据总线的宽度。DSR0是只读的。 00 ：不允许； 01 ：8位； 10 ：16位； 11 ：32位； [3：2] 设置DSR1的数据总线的宽度。 [5：4] [7：6] [9：8] [11：10] 00 ：不允许； 01 ：8位； 10 ：16位； 11 ：32位； [13：12] 设置DSD0的数据总线的宽度。 [15：14] [17：16] [19：18] 00 ：不允许； 01 ：8位； 10 ：16位； 11 ：32位； [21：20] 设置DSX0的数据总线的宽度。（I/ O 地址范围） [23：22] [25：24] [27：26] 00 ：不允许； 01 ：8位； 10 ：16位； 11 ：32位；
STMIA r0, {r1-r12} 把r1 – r12 寄存器中的配置字依次写入r0 中地址 到r0 中地址 + 44中。 即 EXTDBWTH寄存器； （ rEXTDBWTH = 0x00003001 ） ROMCON0 寄存器； （rROMCON0 = 0x02000060 ） ROMCON1 寄存器； （rROMCON1 = 0x60 ） ROMCON2 寄存器； （rROMCON2 = 0x60 ） ROMCON3 寄存器； （rROMCON3 = 0x60 ） ROMCON4 寄存器； （rROMCON4 = 0x60 ） ROMCON5 寄存器； （rROMCON5 = 0x60 ） DRAMCON0 寄存器； （rSDRAMCON0 = 0x12008380 ） DRAMCON1 寄存器； （rSDRAMCON1 = 0x00 ） DRAMCON2 寄存器； （rSDRAMCON2 = 0x00 ） DRAMCON3 寄存器； （rSDRAMCON3 = 0x00 ） REFEXTCON寄存器； （rSREFEXTCON = 0xCE278360 ）
名称：ROMCON0 到 ROMCON5 功能：配置DSR 的地址范围和操作模式 偏移地址：0x3014 到 0x3028 缺省值：ROMCON0 为 0x2000 0060 ROMCON1 到ROMCON5 为0x0000 0060 ROMCON0 到 ROMCON5 寄存器（P177）
[1：0] PMC 页模式配置位 00 ： 01 ： 10 ： 11 ： [3：2] tpa 00 ： 01 ： 10 ： 11 ： [6：4] tacc 000 ： 001 ： 010 ： 011 ： 110 ： 111 ： [19：10] DSR 的基址； 基址 = [19：10] 左移 16 位。 [29：20] 当前 DSR 的结束地址； 结束地址 = [29：20] 左移 16 位 + 1。
名称：DRAMCON0 到 DRAMCON3 功能：配置DSD 的地址范围和操作模式 偏移地址：0x302C 到 0x3038 缺省值：0x0000 0000
名称：REFEXTCON 功能： 偏移地址： 0x303C 缺省值：0x0000 0000
DRAMCON0 到 DRAMCON3 寄存器：
[0] EDO 模式 [2：1] [3] [6：4] 保留位 缺省为 000，必须设置为 001； [7] [9：8] [19：10] DSD 的基址； 基址 = [19：10] 左移 16 位。 [29：20] 当前 DSD 的结束地址； 结束地址 = [29：20] 左移 16 位 + 1。 [31：30] CAN
REFEXTCON 寄存器 （P203）
[9：0] I / O 地址基址 基址 = [9：0] 左移 16 位。 结束地址 = 基址 + 16 KB - 1 。 [15] VSF [16] REN Refresh 使能位 0 ：禁止DRAM Refresh； 1 ：允许DRAM Refresh； [19：17] [20] [31：20]
EXTDBWTH寄存器； （ rEXTDBWTH = 0x00003001 ） [1：0] 为 01， 设置FLASH 数据总线宽度为 8 位； [13：12] 为 11，设置SDRAM 数据总线宽度为 32位； 其它位为 00， 禁止使用； ROMCON0寄存器： （rROMCON0 = 0x0200 0060 ） [1：0] PMC 页模式配置位 设置为00 ： [3：2] tpa 设置为00 ： [6：4] tacc 设置为110 ： [19：10] FLASH 的基址； 设置为0x000 基址 = 0x0000 0000 [29：20] 当前 DSR 的结束地址； 设置为0x020 结束地址 = 0x0020 0001 ROMCON1 到 ROMCON5 寄存器 （rROMCON1 = 0x60 ） 不关心ROMCON1 到 ROMCON5 寄存器，把它们设置为缺省值。 DRAMCON0 寄存器 （rSDRAMCON0 = 0x12008380 ） [0] EDO 模式 设置为0， [2：1] 设置为0， [3] 设置为0， [6：4] 保留位 缺省为 000，必须设置为 001；设置为000了， 为什么？ [7] 设置为1， [9：8] 设置为11， [19：10] SDRAM 的基址； 设置为 0x020 基址 = 0x0020 0000
[29：20] 当前 DSD 的结束地址； 设置为 0x120 结束地址= 0x0120 0001 [31：30] CAN 设置为00， DRAMCON1 到 DRAMCON3 寄存器 不关心DRAMCON1 到 DRAMCON3 寄存器，把它们设置为缺省值。 REFEXTCON 寄存器（rSREFEXTCON = 0xCE278360 ） [9：0] I / O 地址基址 基址 = [9：0] 左移 16 位。 结束地址 = 基址 + 16 KB - 1 。 [15] VSF [16] REN Refresh 使能位 0 ：禁止DRAM Refresh； 1 ：允许DRAM Refresh； [19：17] [20] [31：20]
至此，初始化了FLASH 和SDRAM， FLASH 设置为8位数据宽度； 地址范围从0x0000 0000 到 0x0200 0000； SDRAM 设置为32位数据宽度； 地址范围从0x0200 0000 到 0x1200 0000；
5． 第五部分 把Bootloader拷贝到SDRAM中。 LDR r0, = |Image$$RO$$Base| 把RO段的基地址赋给 r0 寄存器。 LDR r1, = |Image$$RO$$Limit| 把RO段的结束地址赋给 r1 寄存器。 LDR r2, = |Image$$RW$$Base| 把RW段的基地址赋给 r2 寄存器。 LDR r3, = |Image$$RW$$Limit| 把RW段的结束地址赋给 r3 寄存器。 SUB r1, r1, r0 RO段的结束地址 - RO段的基地址得到RO段的长度，并赋给 r1 寄存器。 SUB r3, r3, r2 RW段的结束地址 - RW段的基地址得到RW段的长度，并赋给 r3 寄存器。 ADD r1, r1, r3 RO段的长度 + RW段的长度，得到Bootloader的长度，并赋给 r1 寄存器。 LDR r2, = 0x20 0000 设置r2 寄存器的值为 0x0020 0000（2MB），Bootloader拷贝的目标地址。
以下开始了把Bootloader拷贝到SDRAM中。 COPY LDR r3, [r0], #4 r0寄存器包含Bootloader的启始地址，从Bootloader的启始地址读入4个字节的数据进入r3寄存器。 r0寄存器中地址 + 4 STR r3, [r2], #4 r2 寄存器包含Bootloader拷贝的目标地址，把r3寄存器中的数据存入SDRAM中。 R2寄存器中地址 + 4 SUBS r1, r1, #4 r1 寄存器包含Bootloader的长度， r1 寄存器中Bootloader的长度 – 4。 并影响状态位。 BNE COPY 检查状态位Z 位，如果为0，执行这条指令，跳转到COPY，继续拷贝，如果不为0，不执行这个指令，表示Bootloader拷贝已经完成。
6． 第六部分 LDR r1, = rEXTDBWTH_R （rEXTDBWTH_R EQU 0x00003001） LDR r2, = rROMCON0_R （rROMCON0_R EQU 0x12040060） LDR r3, = rROMCON1_R （rROMCON1_R EQU 0x60） LDR r4, = rROMCON2_R （rROMCON2_R EQU 0x60） LDR r5, = rROMCON3_R （rROMCON3_R EQU 0x60） LDR r6, = rROMCON4_R （rROMCON4_R EQU 0x60） LDR r7, = rROMCON5_R （rROMCON5_R EQU 0x60） LDR r8, = rSDRAMCON0_R （rSDRAMCON0_R EQU 0x10000380） LDR r9, = rSDRAMCON1_R （rSDRAMCON1_R EQU |
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