|
谈谈二极管压降认识的误区
|
相信许多工程师对二极管压降的认识，仍然停留在模电书上的那句话：硅二极管的正向压降为0.6-0.7V，这句话很害人，它应该加上条件：正向测量电流。
更多的人则了解PN结的伏安特性，即PN结压降与正向电流关系呈对数关系，如果说1mA时为0.6V, 10mA时为0.7V, 那么100mA， 1000mA 将可能对应0.82V及0.95V左右。
实际上，以上关系只在小电流下成立，当电流较大时则要考虑二极管电阻分量的压降了，我们目前知道，二极管除了具有PN结，还具有半导体材料的体电阻，封装绑定线的电阻及引脚的电阻，这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的，可以认为，在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降。
下面的附图是MBR20100的V-I曲线，我们可以看出，在大电流条件下，二极管的压降增加很快
 |
相信许多工程师对二极管压降的认识，仍然停留在模电书上的那句话：硅二极管的正向压降为0.6-0.7V，这句话很害人，它应该加上条件：正向测量电流。
更多的人则了解PN结的伏安特性，即PN结压降与正向电流关系呈对数关系，如果说1mA时为0.6V, 10mA时为0.7V, 那么100mA， 1000mA 将可能对应0.82V及0.95V左右。
实际上，以上关系只在小电流下成立，当电流较大时则要考虑二极管电阻分量的压降了，我们目前知道，二极管除了具有PN结，还具有半导体材料的体电阻，封装绑定线的电阻及引脚的电阻，这些电阻分量在几百mA至几A的情况下，压降是很明显的，可以认为，在小电流时主要由伏安特性决定压降，而大电流时则主要由体电阻决定压降。
下面的附图是MBR20100的V-I曲线，我们可以看出，在大电流条件下，二极管的压降增加很快
|
