，比如：标称阻值为1k的电阻，温度系数为±100ppm/℃，意为温度变化一摄氏度，电阻值的变化为1k±0.1Ω，变化100℃，阻值变化为1k±10Ω，精度非常高了。电阻的温度系数精密级的在几十ppm，普通的是200～250ppm，最差的也不过500ppm。 （上面的0.1Ω应该是这样算出来的：1k的百万分之一再乘以温度系数100，如果温度系数是±200ppm/℃就是1k的百万分之一再乘以温度系数200了 当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值。单位为 ppm/℃（即10E（-6）·℃）。定义式如下：TCR=dR/R.dT 电阻温度系数（TCR）表示电阻当温度改变1度时，电阻值的相对变化， 电容温度系数：电容的容量和损耗随温度的变化而变化,有正温度系数和负温度系数2种. 指的是电容的温度稳定性指标。也就是温度变化时，电容容量的变化方向和幅度。
本例：-号指的是负温漂，也就是温度升高时电容量减小；
750是减小的幅度。本例是温度每升高1°C，电容量减小750ppm，也就是百万分之750，或者说万分之7.5.
120是偏差范围，指的是750在加减120的范围内都属于正常，也就是说偏差的范围最小是750-120，最大值是750+120.
ppm是单位，百万分之一。
以上供参考。 楼主是说ppm/摄氏度，表示电容随着温度的变化，容量变化的大小，PPM 是指百万分之一。
1000ppm/摄氏度的1nF 的电容就是指温度每上升一度电容量变化：1pF.
X7R 中的X 表示低温：-55度，7 表示高温125度。R 表示在-55度到125度间变化时电容量的变化为正负15%。 在直接耦合的放大电路中，即使将输入端短路，用灵敏的直流表测量输出端，也会有变化缓慢的输出电压。这种输入电压为零而输出电压不为零且缓慢变化的现象，称为零点漂移现象。
在放大电路中，任何参数的变化，如电源电压的波动、元件的老化、半导体元件参数随温度变化而产生的变化。都将产生输出电压的漂移。在阻容耦合放大电路中，这种缓慢变化的漂移电压都将降落在耦合电容之上，而不会传递到下一级电路进一步放大。但是，在直接耦合放大电路中，由于前后级直接相连，前一级的漂移电压会和有用信号一起被送到下一级，而且逐级放大，以至于有时在输出端很难区分什么是有用信号、什么是漂移电压、放大电路不能正常工作。
采用高质量的稳压电源和使用经过老化实验的元件就可以大大减小由此而差生的漂移。所以由温度变化所引起的半导体器件参数的变化是产生零点漂移现象的主要原因，因此也称零点漂移为温度漂移，简称温漂。 温度漂移一般是指，环境温度变化时会引起晶体管参数的变化，这样会造成静态工作点的不稳定，使电路动态参数不稳定，甚至使电路无法正常工作。 一般来说，温度升高，晶体管的电流放大倍数增大，Q点升高；反之减小。这部分额外增加的电流是温度变化引起的，理解为温度漂移。 在直接耦合的放大电路中，即使将输入端短路，用灵敏的直流表测量输出端，也会有变化缓慢的输出电压。这种输入电压为零而输出电压不为零且缓慢变化的现象，称为零点漂移现象。 在放大电路中，任何参数的变化，如电源电压的波动、元件的老化、半导体元件参数随温度变化而产生的变化。都将产生输出电压的漂移。在阻容耦合放大电路中，这种缓慢变化的漂移电压都将降落在耦合电容之上，而不会传递到下一级电路进一步放大。但是，在直接耦合放大电路中，由于前后级直接相连，前一级的漂移电压会和有用信号一起被送到下一级，而且逐级放大，以至于有时在输出端很难区分什么是有用信号、什么是漂移电压、放大电路不能正常工作。 采用高质量的稳压电源和使用经过老化实验的元件就可以大大减小由此而差生的漂移。所以由温度变化所引起的半导体器件参数的变化是产生零点漂移现象的主要原因，因此也称零点漂移为温度漂移，简称温漂。 正常情况下，不会检测温漂，温漂实验为例行实验，一般大公司品质要求严格，是季度性随机抽检，温漂实验分高温实验、低温实验。一般48H一个循环实验，具体分析高低温容量、损耗数据变化情况 |
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