场效应管的识别分类及测量 一、 符号: “Q、VT” ,场效应管简称FET,是另一种半导体器件,是通过电压来控制输出电流 的,是电压控制器件 1 g1 k% O# k9 |- _ 0 k2 Y. p/ u0 }& U( T 场效应管分三个极: D极为漏极(供电极) , {6 i; Y. x- g6 v S极为源极(输出极) G极为栅极(控制极) D极和S极可互换使用 & T F% N4 L! |2 X2 n! K A 7 \3 X) `0 o8 s& q 场效应管图例:9 @9 m$ J) M+ Q2 s . ?3 E6 ]# } ] ' p4 h( ?: ^3 w$ {* m- m3 G" P m' T 二、 场效应管的分类: 场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管(在符号图中可看到中间的箭头方向不一样)。/ w/ V6 ?/ ]9 p* c5 A5 B- m" f 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上大多是绝缘栅 型管简称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道,其次是增强型的P沟道,结型管和耗尽型管几乎不用 。2 R$ p+ _! [- U 三、 场效应管的特性: 1、工作条件:D极要有供电,G极要有控制电压 2、主板上的场管N沟道多,G极电压越高,S极输出电压越高 3、主板上的场管G极电压达到12V时,DS完全导通,个别主板上5V导通% `$ |9 |7 U' z* c( Q 4、场管的DS功能可互换 9 w: h# \1 X! ?5 c% C$ Y6 T C N沟道场管的导通截止电压:, j' q% u! M. p6 z9 n2 h: e 导通条件:VG>VS ,VGS=0.45--3V时,处于导通状态,且VGS越大,ID越大8 r; W, m, _7 G 截止条件:VG<VS ,ID没有电流或有很小的电流% t# O, k3 P. @ 2 U+ s* h: Z3 U) X 四、 场效应管的作用:7 h I( {0 y0 C( h 放大、调制、谐振、开关0 E1 C! G$ j4 |% m 8 |8 H6 i1 S2 W, p: n2 m3 j 五、 场效应管的测量及好坏判断 1、测量 极性及管型判断 ; D* ?+ `3 V2 E: `8 [ - u7 F, S9 X+ u P- I' b% @: `0 M s 7 ?: |2 \$ \. ~( { s+ [ 红笔接S、黑笔接D值为(300-800)为N沟道 红笔接D、黑笔接S值为(300-800)为p沟道 如果先没G、D再没S、D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿 贴片场管与三极管难以区分,先按三极管没,如果不是按场管测 场管测量时,最好取下来测,在主板上测量会不准0 |+ |$ h1 v5 c" n, o" A- v 2、好坏判断 A5 S; `1 F) i) T 测D、S两脚值为(300-800)为正常,如果显示“0”且长响,场管击穿;如果显示“1”,场" ~4 G7 Y5 A' x% S 管为开路9 a% m* t N3 [0 M- C4 M b 软击穿(测量是好的,换到主板上是坏的),场管输出不受G极控制。 六、 场管的代换原则(只适合主板)( _. t3 c, }3 n& S; X! [ & h) m# r. _3 y) l8 U; @5 Q, } 场管代换只需大小相同,分清N沟道P沟道即可 功率大的可以代换功率小的2 S$ f2 f7 K% T, \ 技嘉主板的场管最好原值代换 七、 主板上常见的场管型号* u/ n+ s+ T% N7 e) r N沟道: 702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF- j' c g5 Y6 m3 G$ D( O8 j2 E 中等大小的场管:3055、09N05、40N03、45N03 外型较大的场管:L3103S、K3296、K3289、6030、7030 55N03、76139D、76129S、10N03、15M03- s5 {. `) l) @7 W: {. n s * X/ v: o2 {( `5 i F827、F841、BPS100 P沟道:$ u- n4 o. J* p$ C P7 _- b- N 352A、356 6 t- T* F( F; J |
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