【动手做个移动电源】春节后，我这个IT民工直到今天才在这冒泡了~春节后回来忙的不可开交，下面这些实际上是年前的存稿，写好了一点点然后原理图也画好了一点点，然后回来各种立项，新项目攻关、涉及到全球发布的乱七八糟的事情、马上还要再出差等等事情。分身乏力，自己也感觉自己老是占着一个博客专栏，就是没啥好东西共享出来深表歉意~~ 努力中，最近接触到很多非常好的器件，单芯片方案等等。有时候再和大家分享，今年上半年一点要整完这个。下半年转Android的整个手机硬件+软件的系统级方案~~准备好了很多年的开发之路~ 9 BQ2057简介（2）……又是很久没有更新了，原理图已经画完了，但是年底因为公司的事情比较多，而且这些器件方案涉及到不能和工作有交集，所以每个器件型号都是重新选型的，包括BQ2057也是问TI要的样片，其余基本都是自己买的，兄弟们看方案的时候，每个部分都可以按照自己的实际去调整的。原理图因为年底的关系，还没处理好细节，比如反馈电阻值，电容耐压等，在整好后会上传给大家的。年底年初实在是太忙了，IT民工尤其如此。 然后有一点要说明的，现在的这个方案实际上都是分立的，比如充电效率要达到90%，电流达到2A，就必须要选好的输入，而放电效率要达到90%以上，电流达到2A，就需要较好的Boost DCDC。这个是一个方案，同时因为单板的关系，现在正在兼容一个TI的bq24195的单芯片方案。以便自己熟悉业界主流移动电源的方案，后面也可以把这部分详细讲一下。 好了，回到上一节，了解了充电芯片基本的外围引脚后，就需要回到我们更关注的一个话题：Bq2057是一个线性LDO类型的充电芯片，也就是像前面说的一样，效率取决于输入和输出的电压比，而能通过的电流则取决于，LDO的那个调整管能承受的结温功率，这就是这一节要重点讲到的，MOS和晶体管的选取规则。 Topic 1 晶体管的选用规则对于DCDC来说，开关管采用晶体管或者MOS管都是OK的，关键看驱动电路的问题，BQ2057提供了两种方法，首先看下三极管类型的设计。
R1做为基极限流电阻，芯片通过输出反馈来调整CC脚的输出，使PNP三极管工作在可变电阻区，这个可变电阻随着后端的负载来调整阻止，也就是LDO比较严重的问题（和LM1117那种3.3V的LDO一样），如果是5V输入，那么就一定会有（5-3.3）/5的效率损耗在这个LDO上，发热发掉了。所以那些LDO基本都要加散热（当前要看实际的负载以及效率等因素了）。 Step 2 P-MOS选型
总之，晶体管和PMOS选型都按照参考资料中介绍的值来处理就好，如下： 说白了要注意的是：1、LDO是靠发热来做转换的，所以电流越大效率越低；2、这么高的效率损耗就需要晶体管的结温能够承受散热；3、耐压需要做到12V，实际上要比较高才好，插入拔出总是会有影响的；4、VGs这类的控制电压门限尽量小，这样控制端才能在受控的范围内去控制它。 这个MOS管的选型会在后面我就原理图去详细讲解，谢谢！
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