P型直拉硅单晶电阻率虚高原理JinkoSolar晶体技术部周慧敏内容1.直拉硅单晶中氧的来源2.热施主效应（电阻率虚高原理）
3.热施主的消除（真实电阻率获得）4.结论ThanksCrystalTechnologyDepartment1
.直拉硅单晶中氧的来源2.热施主效应（电阻率虚高原理）3.热施主的消除（真实电阻率获得）4.结论液态硅在和石英坩
埚的反应：Si+SiO2→2SiOSiO→Si+O分解的氧便引入熔体中，最终进入硅晶体。热施主
形成——直拉硅单晶在冷却过程中形成的氧施主。热施主效应——热施主效应会使N型单晶电阻率降低，P型单晶电阻率变高，氧施主的数量
大于受主B时硅晶体会发生电阻率反转为N型。真实电阻率获得——热施主的消除：直拉硅单晶在>650℃温度退火30分钟后，热
施主会完全消失，此时获得的电阻率为硅片真实电阻率；我们提供的均为未经过退火的硅片；扩散工艺对热施主影响：电池片硅片扩散工艺温
度有800度，会完全消除热施主，不会对电池片产生影响。P型电阻率虚高硅片或者P型反转成N型硅片可以正常使用。CrystalT
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