晶体管反向击穿电压测试器

晶体管反向击穿电压测试器,Transistor tester

关键字：反压测试电路图

作者：王范

这里介绍一种利用普通万用电表就能测出晶体管反向击穿电压的小仪器，其测量范围为0～1000V，可满足一般测量要求。
　　1.电路原理

    晶体管反向击穿电压测试器的电路如下图所示。
　　电路可看作一个高压恒流源向待测管馈电，用万用表就可直接读出管子的反向击穿电压。电路实质上是一个反馈式直流变换器，它将3V直流电压转换为1200V左右的主高压直流电。电路通通电后，由于变压器T的绕组N1与N2之间的耦合反馈作用，使电路形成强烈振荡，振荡电压经绕组N3升压，由VD2整流后向电容c2充电，使C2两端可获得约1200v直流高压。此高压经高值电阻器R2限流施加到待测管，使管子击穿，并接在待测管两端的万用表就能直接读出管子的反向击穿电压。由于R2电阻值很大，起到一个恒流源作用，且于击穿时电流很小，不会使待测管损坏。

　　
　　2.元器件选择与制作
　　VT采用V（BR）ceo≥60V、Icm≥0.8A的硅NPN三极管，如2SCl008型等，β≥50。VD1可用普通1N4148型等硅开关二极管，VD2要求采用反压大于1500V的快恢复二极管，如FRl08等。
　　RP用WSW型有机实芯微调电位器，R1为RTX—1kΩ/0.125w型碳膜电阻器，R2用RJ一1MΩ/1w型金属膜电阻器。C1为CD11-100μ/16V电解电容器，C2用1000pF/2kV的高压圆片电容器。
　　变压器T需要自制：用初始导磁率为1500或2000的EE20型磁芯，用配套的骨架绕制，先绕N1、N2，再绕N3。N1、N2用φ0.35mm漆包线分别绕10匝，中心抽头；N3用φ0.17mm高强度漆包线绕260匝。层间必须加绝缘胶带，以防止内部电压击穿打火。
　　由于电路工作电流较小，且线圈匝数又少，不存在磁饱和问题，所以磁芯装配时不需加气隙。在绕制与接线时，应注意绕组的同名端，即线圈始端(图中打“?”号端)，接线时同名端不可接反。磁芯绕好后，用胶带缠两圈固定。
　　x1～x4为4个接线柱，x1、x2用来接待测管，x3、X4则用来接万用表。
　　测试器的印制电路板如下图所示。印制电路板尺寸为50mm?30mm。电源G用5号电源两节，机盒外壳最好用有机玻璃板制作。调试时，在x3、x4接500型万用表的直流2500V档，闭合电源开关s，用小螺丝刀微调RP使万用表的读数在1200v左右。此时三极管VT的集电极电流约为200mA。如果电压只有100V左右，说明线圈同名端接反了，只要将绕组N3的两端头对调一下即可。
　　测量时，只要将待测管与x1、x2连接，在x3、x4端接好万用表，表的示数即为管子的反向击穿电压。用本装置楞以测量晶体二极管的反向击穿电压、晶体三极管的反向击穿电压。如：V（BR）ceo、V（BR）ceo等。