三极管和MOS管区别

Mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：

　　1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm;

　　2.驱动能力：MOS管常用来电源开关管，以及大电流地方开关电路;4.BJT线性较差，FET线性较好;

　　5.BJT噪声较大，FET噪声较小;

　　6.BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;

　　7.功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大4.BJT线性较差，FET线性较好;

　　5.BJT噪声较大，FET噪声较小;

　　6.BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;

　　7.功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流;

　　实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制;MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

　　3.成本问题：三极管便宜，MOS管贵;