2440的存储控制器：2440的存储控制器有个8个BANK：BANK0~BANK7，对外引出27根地址线（ADDR0~ADDR26），访问范围是128M，有8个片选信号（nGCS0~nGCS7）与之对应，所有可以访问1G的地址空间。BANK6和BANK7的可访问地址空间是可以设置的。 只有BANK6和BANK7可以外接SDRAM或SRAM。 CPU提供了一组用于SDRAM的信号(具体内容在datasheet的signal description）： nSRAS O SDRAM 行地址选通 nSCAS O SDRAM 列地址选通 nSCS[1:0] O SDRAM 片选 DQM[3:0] O SDRAM 数据屏蔽 SCLK[1:0] O SDRAM 时钟 SCKE O SDRAM 时钟使能 nBE[3:0] O 高位字节/低位字节使能(16 位 SRAM 情况时) nWBE[3:0] O 写字节使能 Mini2440的SDRAM：Mini2440使用的SDRAM芯片是32M的HY57V561620，这是一个4Banks*4M*16bit的SDRAM，也就是由4个逻辑块（Logical Bank，简称L-Bank）组成，每个L-Bank有4M存储单元，每个单元是16bit。所有它的数据线是16根（DQ[15:0])；地址线有13根（A[12:0])，其中行地址13根（A[12:0])，列地址9根（A[8:0]）；还有两根信号线（BA[1:0]）用于选择L-Bank。 两个芯片（U6和U7）并接，就可以组成位宽32位的SDRAM，空间为64M，映射到nGCS6（BANK6），访问的地址空间为0x30000000~0x33ffffff。 管脚连接方式如下： 地址线： ADDR[14:2]同时连接U6和U7的A[12:0];（地址线的连接方法可以依据s3c2440a的datasheet，存储器控制器一节中的“存储器（SRAM/SDRAM）的地址引脚连接”） 数据线： DATA[15:0]连接U6的DQ[15:0]; DATA[31:16]连接U7的DQ[15:0]； L-Bank选择： 使用ADDR[25:24]同时连接U6和U7的BA[1:0];（这个连接依据s3c2440a的datasheet，存储器控制器一节中的“SDRAM BANK地址引脚连接例子”） SDRAM控制信号： SCKE连接U6和U7的时钟使能信号CKE； SCLK0和SCLK1分别连接U6和U7的时钟信号CLK； nSCS0（D2管脚，与nGCS6同一引脚）同时连接U6和U7的片选信号CS，低电平有效； nSRAS同时连接U6和U7的行地址信号RAS，低电平有效； nSCAS同时连接U6和U7的列地址信号CAS，低电平有效； nWE（E6管脚）是总线控制信号，同时连接U6和U7的写使能信号，低电平有效。 寄存器： 1. BWSCON：0x48000000(位宽和等待控制寄存器） 每四位控制一个BANK，BANK6对应[27:24]位； ST6 [27]:使能/禁止数据掩码引脚，对于SDRAM，此位应该设为0，禁止。 WS6 [26]:使能/禁止WAIT信号，设为0，禁止。 DW6 [25:24]:位宽，0b10表示32位。 2. BANKCON6:0x4800001c（BANK6的控制寄存器） MT[16:15]:SRAM - 0b00，SDRAM - 0b11。 Tcrd[3:2]:RAS到CAS的延迟，0b00，两个时钟；0b01，三个时钟。 SCAN[1:0]:列地址数，0b01,9位。 当BANK6或BANK7外接SDRAM时，还需要设置如下寄存器： 3. REFRESH:0x48000024(刷新控制寄存器） REFEN[23]:SDRAM刷新使能，设为1。 TREFMD[22]:刷新模式，设为0，自动刷新。 Trp[21:20]:RAS预充电时间，0b00，两个时钟。 Tscr[19:18]:半行周期时间，0b11,7个时钟。 Refresh Counter[10:0]:刷新计数器，计算公式如下： 2^11 + 1 - SDRAM时钟频率（HCLK）（MHz） * 刷新周期（μs） 在未使用PLL时，HCLK等于晶振频率； 在HY57V561620的数据手册里有写：8192 refresh cycles / 64ms,据此可以计算刷新周期。 注：Trp、Trcd等设置，参照2440数据手册里的SDRAM时序图。 4. BANKSIZE：0x48000028（BANK大小寄存器） BURST_EN[7]:设为1，ARM核支持突发传输。 SCKE_EN[5]:设为1，使用SCKE信号使SDRAM进入省电模式。 SCLK_EN[4]:设为1，仅在访问SDRAM时发出SCLK信号。 BK76MAP[2:0]:设置BANK6/7的大小，0b001,64M。 5.MRSRB6:0x4800002c(SDRAM模式设置） CL[6:4]:CAS等待时间，0b010或0b011,2或3个时钟。 在数据手册里有写：Promgrammable CAS latency：2、3 Clocks 参考：HY57V561620数据手册 S3C2440A数据手册 S3C2440-SDRAM连线分析
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