3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数

3DG6型NPN型硅高频小功率三极管参数

表1.1.14：

原型号		3DG6						测试条件
新型号		3DG100A		3DG100B	3DG100C	3DG100D
极限参数	PCM(mW)	100	100		100		100
	ICM(mA)	20	20		20		20
	BVCBO(V)	≥30	≥40		≥30		≥40	Ic=100μA
	BVCEO(V)	≥20	≥30		≥20		≥30	Ic=100μA
	BVEBO(V)	≥4	≥4		≥4		≥4	IE=100μA
直流参数	ICBO(μA)	≤0.01	≤0.01		≤0.01		≤0.01	VEB=10V
	ICEO(μA)	≤0.1	≤0.1		≤0.1		≤0.1	VCE=10V
	IEBO(μA)	≤0.01	≤0.01		≤0.01		≤0.01	VEB=1.5V
	VBES(V)	≤1	≤1		≤1		≤1	Ic=10mA IB=1mA
	VCES(V)	≤1	≤1		≤1		≤1	Ic=10mA IB=1mA
	hFE	≥30	≥30		≥30		≥30	VCE=10V Ic=3mA
交流 参数	fT(MHz)	≥150	≥150		≥300		≥300	VCE=10V IE=3mA f=100MHz RL=5Ω
	Kp(dB)	≥7	≥7		≥7		≥7	VCE=-6V IE=3mA f=100MHz
	Cob(pF)	≤4	≤4		≤4		≤4	VCE=10V IE=0

hFE色标分档　　　　　　　(红)30~60； (绿)50~110； (蓝)90~160； (白)>150