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持续写入100TB 三星840EVO耐久度测试

 pterodactyl2007 2014-01-16

持续写入100TB 三星840EVO耐久度测试


    【中关村在线 原创】 作者:张鹏zol | 责编:郑兆远     评论(5)

    固态硬盘经过几年的发展现如今已经被一部分人所接受,并且还非常热衷于SSD领域,他们体验到了系统性能大幅提升感受。不过还有很大部分用户对于SSD存在抵触心理,当然价格是一方面,更多的还是SSD的使用寿命。

    相比SSD硬盘的存储方式,大家更愿意相信拥有几十年经验的硬盘记录原理,毕竟经过了太多用户的考验。那么今天笔者就拿市面上最主流的三星840 EVO 120GB固态硬盘来做一个简单实验,全天24小时不停向里面写入随机数据,来考验一下固态硬盘的寿命是否真的如此脆弱。

18日:测试寿命前三星840 EVO 120GB固态硬盘


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CrystalDiskInfo信息

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HD Tune写入性能

    上两个图片为正式测试耐久度前的基准数据记录,在CDI信息中,我们看到B1值为99(原始值为100),在写入493GB数据后有小幅的下降。在HD Tune写入性能中,平均速度为150MB/S。

19日:写入11TB数据 B1数值降至92

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CrystalDiskInfo信息

20日:写入数据21.55TB B1数降至85

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CrystalDiskInfo信息

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写入21TB数据后HD Tune写入速度依然为155MB/S

21+22日:写入数据50.88TB B1数值降至64

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CrystalDiskInfo信息

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写入速度降至143MB/S

    周末两天连续写入随机文件,使得三星840 EVO 120GB固态硬盘写入数据达到50.88TB,此时写入速度为143MB/S,相比150MB/S相差不大。

23日:写入数据60TB B1数值降至58

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CrystalDiskInfo信息

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写入速度降至142MB/S

24日:写入数据65.25TB B1数值降至54

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CrystalDiskInfo信息

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写入速度降至133MB/S

25日:写入数据75.37TB B1数值降至47

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CrystalDiskInfo信息

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写入速度恢复到144MB/S

26日:写入数据84.96TB B1数值降至41

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CrystalDiskInfo信息

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写入速度140MB/S

27日:写入数据109.75TB B1数值降至23

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CrystalDiskInfo信息

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写入速度恢复到140MB/S

    经过了10天不间断随机数据写入,三星840 EVO 120GB固态硬盘已经写入达109.75TB数据,而此时SSD的健康状态也开始下降。因为软件在持续写入时是写满数据就擦除后再写入,如此循环正好是模拟SSD的P/E数值。

    从10天的测试来看,每次大批量数据写入后HD Tune的写入速度并没有下降,平均速度为140MB/S左右,所以从成绩来看性能非常稳定。

    110TB意味着什么?举个简单的例子,假设我们每天要向三星840 EVO 120GB固态硬盘写入20GB的数据,该款SSD的写入放大率为2,那么实际我们每天写入的数据位40TB,一年累计写入量为14.6TB。拿110TB来换算的话,这个写入量是7.5年能够完成的。而事实上,我们平均每天写入一般在10-20GB左右,如果想把SSD写坏还真不容易。

    随着摩尔定律的不断发展,我们手中的SSD应该2-3年就会更换成更大容量或者性能更高的产品,那么大家担心的寿命问题其实大可不必放在心上,SSD没有寿终前我们早就更新换代了。

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