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EEPROM可以直接字节写操作，flash一般要先扇区擦除。EEPROM一般都有10万次以上的擦写寿命周期，而FLASH一般擦写周期较少.程序FLASH空间一般运行过程中不可更改，即使能更改操作也非常复杂,容易出问题. 比如STC89C系列的好像就是用FLASH当EEPROM的，如果你只要改动几个字节的内容，先要把整个EEPROM(其实是FLASH)扇区的内容搬到RAM中，然后在RAM中改动，然后擦除整个EEPROM(其实是FLASH)扇区，再把改动后的扇区内容写入原扇区,呵呵，够受的吧。而AVR的EEPROM就可以单字节写，不需要先擦除整个扇区. |
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