普渡大学成功利用锗制成CMOS晶体管，向后硅时代迈进一步

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美国普渡大学（Purdue University）宣布，该校研究人员成功制造出了沟道采用锗（Ge）的CMOS（互补型金属氧化物半导体）晶体管。

此次开发的CMOS晶体管的示意图（图：普渡大学）

世界上第一个锗晶体管诞生于1947年。但是，由于n沟道MOSFET的制作较难、无法实现CMOS型晶体管等原因，锗晶体管被后起之秀——硅晶体管所取代。

不过，锗在载流子迁移率等沟道层性能方面远远超过硅。在硅晶体管微细化即将到达极限的背景下，作为后硅时代的有力候补，锗CMOS晶体管的研发在全球范围再度活跃起来。

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