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第一部分
1、PNP管做旁路晶体管时，虽然压降较小，但其输出阻抗大，需要特定的ESR的电容才能稳定，同时允许的功率耗散较小，应小心在重载条件下使用。
2、因为晶体管的基极电流较大，导致当晶体管做耗散管时，芯片的接地电流常常较大（几个mA甚至数十个mA），在电池供电的应用中，这可能会大大缩短电池的寿命！
3、因为线性稳压器是通过消耗功率来获得输出电压的稳定，功率的消耗将主要转化为热量，因此，当线性稳压器芯片太烫的时候，一定要考虑是否在其上消耗了过多的能量。
4、A/D转换器的类型和特点：
（1）计数式 ：结构简单、原理清楚、转换速度慢、精度低，价格低，适用于慢速系统。
（2）双积分式 ：精度高、抗干扰性好，但转换速度慢，适用于中速系统；
（3）逐次逼近式 ：转换速度较快、精度较高，实际常用，但是易受干扰；
（4）高速并行式 ：转换速度快，价格高。
5、为了充分发挥AD转换器的分辨率，输入量应与转换量程相称。
例如：某A/D转换的范围为0--10V，输入的模拟信号为0--5V，则应将输入信号放大2倍，再送入A/D进行转换。
6、很多系统，特别是实时时钟系统都是用C和汇编语言联合编程。
7、对时钟要求很严格时，使用汇编语言成了唯一的方法，除此之外，包括硬件接口的操作都应该用C来编程。
8、单片机内部的CPU、寄存器和总线等结构都是通过“1”和“0”两种信号来运作的，数据也是以“1”和“0”来保存的。
9、一般可以使用USB取电，USB最大电流可以提供500mA，但是在实际应用中，如果实验板使用电流超过100mA，就建议使用外部电源。
10、要注意节约硬件资源，也就相当于节省硬件成本，在实际项目设计中，这样就有了成本优势，产品更具有竞争力。
11、所说的反馈信号一般是交流信号，所以判断正负反馈，就要判断反馈信号与输入信号的相位关系，同相为正反馈，反相为负反馈。
12、正反馈用于振荡器，负反馈用于放大器。
13、电路中两个信号的相位不是同相就是反向，因此若两个信号都上升，它们一定同相；若一个信号下降而另一个信号上升，它们一定反相。
14、电路中取样电阻要尽量小（比如小于1欧姆），以便可以探测到更宽的电流。
15、电流监控的实质就是电压监控，然后将检测到的电压通过欧姆定律转换成电流。在选择电阻时应估算一下电流的大小，以免经放大器后使其ADC达到饱和状态。
16、通常，一个电子系统由多个不同的功能模块构成，但总有一个模块将所有模块连接起来，完成整个电子系统的协同工作，这个模块就是顶层模块。
17、在板内或板间，距离很短的情况下，异步串口无需电平转换，可以直接用CMOS电平进行通信。
18、所有有源探头在使用前应该有至少20分钟的预热，有的有源探头和电流探头需要进行零点漂移调整。
19、其实测量功率因素最简单的方式就是：测量电压与电流之间的相位差，得出的结果就是功率因素。
20、限流要求大幅增加输入电阻。因此，输入场效应晶体管的I2R（即损耗）在过渡点后急剧上升，该功率被转换成热量，以致必须得到有效的散热。
21、PCB设计时必须留有一块足够大的铜区域，这样在与散热盘接触时可以确保有效散热。
22、D类放大器具有超高的效率，但是有严重的EMI问题，这个问题是由于D类放大器的开关特性所导致的固有特性。
23、当输出功率较高时，即便是只有几英寸的喇叭连线，其作用就像一根天线，辐射出很高的能量，从而严重威胁着EMI性能。
24、CMOS放大器经常工作在单电源、低电压的环境中，为了满足后端电路的动态范围要求（如ADC的满量程输入），通常希望运放的输出或输出的其中之一或两者都能达到或接近供电电源轨，即轨到轨运放，也称满幅运放。
25、传统的轨到轨输入CMOS运放的输入级采用PMOS和NMOS对管使输入能摆动到正、负电源轨。但其最大的缺点就是PMOS和NMOS不能完美匹配，导致在两者的结合处，会出现因共模抑制比下降导致的失调电压跳变。
26、决定运放直流精度的参数主要有3个：
（1）输入失调电压及其漂移；
（2）输入偏置电流及其漂移；
（3）运放的开环增益响应与增益带宽积。
27、对运放而言，当需要在最低的功耗下实现最高速度时，双极型（Bipolar）技术能提供最优的性能。
28、工业上最广泛采用的是用4~20mA电流来传输模拟量。上限取20mA是因为防爆的要求：20mA的电流通断引起的火花能量不足以引燃瓦斯。下限没有取0mA的原因是为了能检测断线：正常工作时不会低于4mA，当传输线因故障断路，环路电流降为0。常取2mA作为断线报警值。
29、如果ADC在采样和转换时需要吸取瞬时较大的电流，可以考虑参考源和ADC间使用运放构建必要的缓冲器和滤波器。
30、对ADC来说，被转换的模拟信号是从Vin输入，而对DAC来说，被转换的模拟信号是从Vref输入。
31、总线的工作速度是与总线相关寄生电容和终端电阻形成的RC时间常数的函数，终端电阻越低，总线工作速度越快，总线功耗也越大。
第二部分
1、250mV的噪声电平对5V电源来说也许是可接受的，但对1V电源来说就是灾难了。
2、三极管最基本的作用是放大，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。
3、需要注意的是，CMOS集成电路容易被静电击穿，因此需要妥善保存。一般要放在防静电原包装条中，或用锡箔纸包好。
4、在保持输出电容总容量不变的前提下，把原来的一个电容拆分成几个电容的并联，这样，随着电容容量的减少其ESR 相应减少，把几个电容并联后，总的ESR是单个电容的几分之一。
5、目前抑制EMI的技术措施有屏蔽、接地（浮地、单点接地和接地网）与滤波。
6.使运放实现高速的主要措施有：
（1）在信号通道中尽量采用NPN型管，以提高转换速率；
（2）同时加大工作电流，以使电路中各种电容的电压变化加快；
（3）在电路结构上采用FET和BJT相兼容，或使用全MOSFET结构，使电路的输入动态范围加大，因而电路转换速率也增加。
7、LC选频网络容易达到较高的Q值，容许器件进入强非线性区，一般用于设计高频振荡器。而RC振荡器一般工作于低频点。
8、在实际电路中，负阻器件肯定是有源器件，负阻振荡器它主要工作在100MHz以上的超高频段。
9、锁相环其实是一个非线性系统，非线性系统平衡状态的稳定性不仅与系统本身的参数有关，而且与外加干扰强度有关。
10、一般要求接口芯片工作区域要离开高速数字信号，特别要禁止这些高速翻转的信号穿越小信号布线区。
11、微弱电压信号（如来自传感器的电压信号），实现远距离传输比较困难，需要将电压信号转换为电流再进行传输，这样可以得到很好的性能。采用电流信号的原因是不容易受干扰，电流源内阻无穷大，导线电阻串联在回路中不影响精度。
12、进行比例运算时多是同相输入，这是为了使输入电阻非常大，而反向输入则达不到这种效果。
13、在ANSI C标准中的标准用法就是用C语言编写主程序，用汇编语言编写子程序、中断服务程序、一些算法，然后用C语言调用这些汇编程序，这样效率会相对比较高。
14、差模干扰在两导线之间传输，属于对称性干扰；共模干扰在导线与地（机壳）之间传输，属于非对称性干扰。
15、一个编程经验是，所有的中断都要尽快的运行和退出，中断服务程序越短越好，这样才不至于干扰主程序的工作和其他中断的运行。
16、不要成为灌输教育的牺牲品。
17、低频时放大器的输出阻抗非常小，趋向于0，但是在高频时需要仔细考虑。
18、精密应用时，运放外部电阻应选用K欧姆级的电阻：
（1）多数精密运放的输出电流驱动能力在几十毫安，难以带动百欧级以下的反馈电阻；
（2）电阻越小，会导致更大的功耗，精密类应用常常是低功耗需求；
（3）由于反馈电阻网络的作用，使得运放的输入阻抗降低，这时选择10K还是100K级的电阻需要看输入源的内阻抗；
（4）选择大的电阻时，要小心其热噪声。
19、高速应用时，运放外部电阻一般选择100欧姆级或10欧姆级的电阻：
（1）主要原因是，输入和输出寄生电容和大电阻作用后会大大降低运放的带宽；
（2）此时输入源阻抗一般是50欧姆，容易匹配；
（3）高速运放带负载能力强，百欧级以下的反馈电阻通常不是问题。
20、在功率放大器中，管子的运用状态从甲类转向乙类、丙类或开关状态的丁类，目的都是为了高效率地输出所需功率。
21、负反馈也可以称为衰减反馈，虽然会牺牲系统一定程度的控制增益，却可以稳定控制回路的很多性能。
22、功率放大器中信号摆动幅度很大，往往超出晶体管的线性工作区，很小的饱和、截止失真都会带来较大的非线性失真。
23、放大电路的耦合电容和旁路电容是引起低频响应的主要原因；三极管的结电容和分布电容是引起放大电路高频响应的主要原因。
24、RS-232为了增加抗干扰能力，采用负逻辑电路。+5V~+15V定义为逻辑0，而-15V~-5V定义为逻辑1。
25、电源和地对高频信号是等效的。因为电源的内阻很小，提供低阻路径。
26、CMOS门电路工作时，总是一管导通而另一管截止，因而几乎不从电源吸取电流，其功耗极低。
27、一般电源的输入输出端都接有电容，而且是一大一小，大容量电容是低频滤波作用，小容量电容是高频滤波用。需提醒的是输出端一般不要接过大容量电容，一般接几十微法的就可以了。否则有些电路中会出现关闭电源后，输出端电容向前级稳压IC放电的过程，这容易损坏稳压IC。
28、去耦电容应放置于电源入口处，连线应尽可能短。
29、电容降压实际上是利用容抗限流，而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两端电压的角色。
30、对使用高电压及大电流运算放大器的特定应用而言，可以采用单电源供电使其切实地获益。
31、LED的亮度由其上流过的电流大小决定，因此LED的光特性通常都描述为电流的函数，而不是电压的函数，采用恒流源驱动可以更好地控制亮度。
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