 1.片上 SRAM（图上红色方框） （1）M0 和 M1；每块大小为 1K x 16 bit，其中 M0 映射到 0x00 0000 - 0x00 03FF，M1 映射到 0x00 0400 - 0x00 07FF。 （2）L0 和 L1；每块大小为 4K x 16 bit，其中 L0 映射到 0x00 8000 - 0x00 8FFF，L1 映射到 0x00 9000 - 0x00 9FFF。 （3）H0；大小为 8K x 16 bit，映射到 0x3F 8000 - 0x3F 9FFF。 2.片上 Flash（图上绿色方框） F2812 芯片内部包含一片 128K x 16 bit 的 Flash 存储器（代码可直接在上面运行），映射到 0x3D 8000 - 0x3F 8000。 3.片上 OTP（图上蓝色方框） F2812 芯片内部有一块 1K x 16 bit 的一次性可编程存储器（One-Time-Programmable），映射到 0x3D 7800 - 0x3D 7BFF。 4.片上 Boot ROM（图上蓝色含粉色方框） F2812 芯片内部有一块 4K x 16 bit 的 Boot ROM（引导ROM），映射到 0x3F F000 - 0x3F FFFF。在改存储器内 TI 公司装载了产品版本号、发布的数据、校验求和信息、复位向量、CPU 向量表及标准的数学运算表（如正弦表、余弦表）等。Boot ROM 的主要作用是实现 DSP 的 BootLoader 功能，芯片出厂时在 Boot ROM 的 0x3F FC00 - 0x3F FFBF 空间内有厂家的引导装载程序，当芯片被设置为为控制器模式时，CPU 在复位后将执行这段程序。 5.中断向量 F2812 中断向量可以映射到存储器中5个不同的位置。中断向量具体映射的位置由以下模式位/信号控制： VMAP：VMAP 是状态寄存器 ST1 的第3位。可以通过写入 ST1 或使用 SETC/CLRC WMAP 指令修改此位的状态。复位时此位被设置为1。 M0M1MAP：M0M1MAP 是状态寄存器 ST1 的第11位。对于正常的 C28x 模式操作，应保留此外被设置为1。当 M0M1MAP = 0 时，交换 M0 与 M1 的位置， M0M1MAP = 0 保留仅供 TI 测试使用。 ENPIE：ENPIE 是 PIECTRL 寄存器的第0位。在复位时此位被设置为0（禁止PIE）。可以通过写入 PIECRTL 寄存器修改该位的状态。  6.外部扩展接口 F2812 处理器的外部扩展接口（External Interface，XINTF）是用来扩展外部存储器或片外设备。 F2812 “Flash 引导模式”的启动流程（通常这也是产品产品产品最终的状态）： ENPIE 1.系统复位后总是跳到地址 0x3F FFC0 处，此处为 DSP 内部的 Boot-ROM； 2.地址 0x3F FFC0 处是一条跳转指令，执行后跳转到 0x3F FC00（Boot-ROM 里固化的引导代码），该段代码完成基本的初始化，并根据 GPIO 的状态选择 boot 模式； 3.F2812 支持多种引导模式（如：Flah引导装载、SCI引导装载、并行GPIO装载、SPI引导装载），对于 Flash 引导装载程序将跳转到 0x3F 7FF6（片内128K Flash的末端），通常在这里放入一条跳转指令，让 PC 指针指向代码的入口。 注意：用 TDS510 调试程序时，当我们 Load *.out 可执行文件后，调试器将会强制将 PC 指针指向代码段（.text）_c_int00 的入口地址。 |
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