正确理解IGBT模块规格书参数

本文将阐述IGBT模块手册所规定的主要技术指标，包括电流参数、电压参数、开关参数、二极管参数及热学参数，使大家正确的理解IGBT模块规格书，为器件选型提供依据。本文所用参数数据以英飞凌IGBT模块FF450R17ME3 为例。文章来源：http://www./jc/156.html
一、电流参数
1. 额定电流（IC nom）

大功率IGBT模块一般是由内部并联若干IGBT芯片构成，FF450R17ME3内部是3个150A芯片并联，所以标称值为450A

额定电流可以用以下公式估算：

Tjmax–TC= VCEsat·IC nom·RthJC

VCEsat 是IC nom的函数，见规格书后图1，采用线性近似VCEsat=(IC nom+287)/310

Tjmax=150℃,TC=80℃,RthJC =0.055K/W

计算得：IC nom=500A

2. 脉冲电流（Icrm 和Irbsoa）

Icrm是可重复的开通脉冲电流（1ms仅是测试条件，实际值取决于散热情况）

Irbsoa 是IGBT可以关断的最大电流

所有模块的的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值

3. 短路电流ISC

短路条件:t<10μs,Vge<15V,Rg>Rgnom(规格书中的值)，Tj<125℃

短路坚固性

?IGBT2为平面栅IGBT:5-8倍IC

?IGBT3/IGBT4为沟槽栅IGBT:4倍IC

二、电压参数
1. 集电极-发射极阻断电压Vces

测量Vces时，G/E两极必须短路

Vces为IGBT模块所能承受的最大电压，在任何时候CE间电压都不能超过这一数值，否则将造成去器件击穿损坏

Vces和短路电流ISC一起构成了IGBT模块的安全工作区：RBSOA图

由于模块内部寄生电感△V=di/dt*Lin 在动态情况下，模块耐压和芯片耐压有所区别

2. 饱和压降VCEsat

IFX IGBT的VCEsat随温度的升高而增大，称为VCEsat具有正温度系数，利于芯片之间实现均流

VCEsat 是IC的正向函数，随增大而增大IC

VCEsat的变化

VCEsat随IC的增大而增大

VCEsat随VG的减小而增大

VCEsat 值可用来计算导通损耗

对于SPWM 控制, 导通损耗是: