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2016年半导体新亮点:5G、新工艺器件和传感器 (上)

 方珺逸 2016-01-20
  在日前由易维讯主办的第五届中国ICT媒体论坛上,多家国际半导体公司的技术专家,向到场的专业媒体用了一天的精彩分享。电子工程专辑今年照例现场参与,并从活动中学习到了很多的新知识,在此不敢独享,总结一下分享给大家。

Qorvo:4G或者4G+ RF前端集成不可避免

从2G、3G到4G,到现在的下行载波聚合,再到明年的上行载波聚合,越来越为复杂。2G非常简单发射模块,到3G需要有3G的PA,到4G需要有更多滤波器和载波器,载波聚合需要有前端配合的多工器,上行载波器的PA又需要重新设计来满足线性化的要求。随着制式的复杂性,射频前端也是越来越复杂。

Qorvo移动产品市场战略部亚太区经理陶镇:在未来5G的智能机和4G+的智能手机,RF前端集成是趋势。《电子工程专辑》
Qorvo移动产品市场战略部亚太区经理陶镇:在未来5G的智能机和4G+的智能手机,RF前端集成是趋势。

2018年手机载波聚合份额谱非常大。现在中国三大运营商在规划下行三载波,可能2017年会正式用三载波,2018年还有四载波的计划,目前最大值的规划是五载波。正是因为有这样载波聚合的需求,给用户提供数据的连接速度,就要衍生了对射频前端更加复杂的需求,所以集成化模块的方式是解决这样需求的最好的方案。

关于4G或者4G+,甚至是将来5G产品的RF前端技术发啊趋势,Qorvo移动产品市场战略部亚太区经理陶镇在演讲表示,4G到4G+到未来5G的发展,射频前端会不断地集成。

Qorvo所有主动、被动的器件都是来自自己的工艺,它有自己的晶圆厂和封装工厂。从主芯片出来的功率放大器来看,主要有两个工艺,一个是砷化镓,一个是Cmos。主要的市场方案还是以砷化镓的为主。Cmos主要是在超低端的2G的纯GSM手机里面应用,现在的3G、4G,包括六模4G都是用砷化镓。“我们拥有所有射频前端的工艺和所有产品类型,所以在未来5G的智能机和4G+的智能手机里面,我们认为集成式方案是一个市场趋势,”陶镇说。“今年商用的还是两载波的载波聚合,到了明年后年可能有三载波或者四载波甚至五载波,载波数量越多可以提供更快的上行和下行速率。”

除了基本的射频半导体器件这一块,还有一个集成的方向是天线调节技术,频段数量的增加和载波聚合的应用,会导致射频前端的损耗比以往大,这样导致原本的天线不足以覆盖所有的频段的支持,天线调谐技术相应的衍生出来了。目前Qorvo通过天线调谐技术让手机在一根天线的情况下都能达到好的连接质量。

陶镇还预测,到全球最早用5G的可能是韩国或者日本。2018年韩国有冬奥会,2020年日本有夏奥会。这两个最重要的盛事是可以给当地政府、当地运营商来做5G演示最好的平台。所以我们看到,2018年的时候,韩国冬奥会目前用的展示频谱是28G的频谱。到了2020年日本的夏奥会可能采用的还是低于6G的做广域的覆盖,高频的主要用于热点的覆盖,例如体育场这。

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