3 各部分电路的研究与设计 3.1 充、放电驱动电路 充、放电驱动电路采用两组MOSFET实现控制:充电MOSFET(Q1,Q3,Q5)和放电MOSFET(Q2,Q4,Q6)。Q1~Q6均为增强型N沟道MOSFET,Id=60 A,由于此处开断频率并不高,直接采用3个MOSFET并联即可,用以增大电流驱动能力。当保护板1检测过充电时,将控制充电MOSFET组关断,此时电流无法再从Bat10-流向EB-,将禁止充电。但是,由于MOSFET的DS级两端存在寄生二极管,此时电流还是能从EB-流向Bat10-,实现带载放电功能。同理,当保护板1检测过放电时,将控制放电MOSFET组关断,此时电流无法从EB-流向Bat10-,无法放电,但仍可正常充电。
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