MDK 下ARM 程序在RAM 中调试的方法

参照《RealView MDK 下ARM 程序在RAM 中调试的方法》（杨广京 中科院自动化所）文章，实验在RAM中调试程序，以便设置多个断点和延长FLash寿命。步骤如下：

1、修改IROM1（0x40000000，0x2000） 和IRAM1（0x40002000，0x2000）地址空间

2、设置硬件仿真器的初始化文件RAM.ini，其下的Load application at start 一定不要选中：

FUNC void Setup (void) {

PC = 0x40000000;

}

Setup(); // Setup for Download

LOAD gpio.axf INCREMENTAL // Download

g, main

 

3、修改startup.s 选项，选择“options for file’startup.s’”再选择“asm”页，在define 中填入“RAM_MODE”和“REMAP”

 

尝试用外部RAM调试，没有成功，过程为：

1、修改ROM1（0x80000000，0x70000） 和RAM1（0x80070000，0x10000）地址空间

2、设置硬件仿真器的初始化文件RAM.ini，其下的Load application at start 一定不要选中：

FUNC void Setup (void) {

PC = 0x80000000;

}

Setup(); // Setup for Download

LOAD gpio.axf INCREMENTAL // Download

g, main

 

3、修改startup.s 选项，选择“options for file’startup.s’”再选择“asm”页，在define 中填入“EXTMEM_MODE”和“REMAP”

4、boot_sel(jp7)跳线改为outside

5、在startup.s配置EMC为bank0,其他参数默认memory width 为16/8bit都不行

 

现象：反汇编时从0x80000000开始的地址代码都是ff。

估计可能是在startup.s配置EMC的某些参数与外部SRAM不匹配，数据没有写入SRAM中，以后有时间可以按照ADS中的实例来调整。