近日,美国最高科技奖获奖名单正式公布,其中美籍华人科学家胡正明教授荣获年度国家技术和创新奖,没错就是我们半导体人都熟知的FinFET技术的发明者。 美国最高科学奖是美国科学界最高荣誉,1959年设立,旨在表彰在化学、工程、计算、数学、生物、行为和社会以及其他自然科学领域作出杰出贡献的人士。作为FinFET之父,胡正明教授以先进的制程工艺FinFET突破了Bulk CMOS工艺技术在20nm的技术局限,接过电路设计制程的接力棒,再续摩尔定律,将半导体行业带入了新的时代。 什么是FinFET? FinFET称为鳍式场效晶体管, 源自于传统标准的晶体管—场效晶体管的一项创新设计。在传统晶体管结构中,控制电流通过的闸门,只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开,属于平面的架构。在FinFET的架构中,闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构,可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage),也可以大幅缩短晶体管的闸长。 展讯SC9860——FinFET工艺的践行者 早在1999年FinFET技术就已经发布,2015年被成功商用,制程工艺已达14/16nm。且台积电的FinFET工艺已实现从16nm FinFET到FinFET Plus的升级,2016年更是推出第三代超低功耗的16nmFinFET Compact(FFC)。 作为创新的引领者,展讯是国内首家16nm FFC在公开市场的应用者,2016年发布的16纳米LTE解决方案SC9860即是采用该先进工艺。该工艺为展讯SC9860带来了更低的功耗和更加卓越的能效比,相比20nm工艺,SC9860的性能提升30%,相比28纳米性能提升达50%。而同比14nm,SC9860在视频播放上可多出2小时的播放时间。
展讯SC9860的成功推出,一方面引领创新将16nm FFC先进工艺用于商业化移动基带产品,同时也增强了展讯的芯片设计研发能力。饮水思源,让我们致敬胡正明教授为全球半导体事业作出的努力。更重要的是,也许五十年、一百年后,半导体行业又会出现新的困境,但是FinFET工艺的出现向我们展示了人类挑战极限的无穷智慧。
创新、创造,推动人类智能的跳跃式发展,亦是我们半导体人的终身奋斗目标。
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