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高速光耦6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631中文资料

 之_龙 2016-07-24

高速光耦6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631中文资料

常用高速光电耦合器型号:

单通道: 6N137 , HCPL2601 , HCPL2611
双通道: HCPL2630 , HCPL2631
高速10MBit / s的逻辑门光电

作用:6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631是高速光电耦合器

内部结构框图

6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631的内部结构原理如下图所示,信号从脚2和脚3输入,发光二极管发光,经片内光通道传到光敏二极管,反向偏置的光敏管光照后导通,经电流-电压转换后送到与门的一个输入端,与门的另一个输入为使能端,当使能端为高时与门输出高电平,经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时,输出高电平,但这个逻辑高是集电极开路的,可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。

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                             引脚图

原理如上图所示,若以脚2为输入,脚3接地,则真值表如附表所列,这相当于非门的传输,若希望在传输过程中不改变逻辑状态,则从脚3输入,脚2接高电平。

6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631真值表

 真值表 功能(正逻辑)

Input 输入

Enable 使能

Output 输出

H

H

L

L

H

H

H

L

H

L

L

H

H

NC

L

L

NC

H

 

高速光耦6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631参数

 

绝对最大额定值(Ta= 25 ℃除非另有说明):

Symbol 符号

Parameter 参数

Value 数值

Units 单位

TSTG

Storage Temperature 贮藏温度

-55 to 125

TOPR

Operating Temperature 操作温度

-40 to 85

TSOL

Lead Solder Temperature 焊料温度

260 for 10 sec

EMITTER 发送端

IF

DC/Average Forward 直流/平均正向

单通道

50

mA

Input Current 输入电流

双通道(每通道)

30

VE

Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV

单通道

5.5

V

VR

Reverse Input Voltage 反向输入电压

每个通道

5.0

V

PI

Power Dissipation 功耗

单通道

100

mW

双通道(每通道)

45

DETECTOR 接收端

VCC (1 minute max)

Supply Voltage 电源电压

 

7.0

V

IO

Output Current 输出电流

单通道

50

mA

双通道(每通道)

50

VO

Output Voltage 输出电压

每个通道

7.0

V

PO

Collector Output 集电极输出

单通道

85

mW

Power Dissipation 功耗

双通道(每通道)

60

 

建议操作条件:

Symbol 符号

Parameter 参数

最小

最大

Units单位 

IFL

Input Current, Low Level 输入电流,低电平

0

250

μA

IFH

Input Current, High Level 输入电流,高电平

*6.3

15

mA

VCC

Supply Voltage, Output 供电电压,输出

4.5

5.5

V

VEL

Enable Voltage, Low Level 使能电压,低电平

0

0.8

V

VEH

Enable Voltage, High Level 使能电压,高电平

2.0

VCC

V

TA

工作温度范围

-40

85

N

Fan Out (TTL load)扇出期( TTL负载)

 

8

 

 

电学特性(Ta=0至70 ,除非另有规定) 单独的组件特征:

Symbol 符号 

Parameter 参数

测试条件

最小

典型

最大

单位

VF

Input Forward Voltage输入正向电压

IF = 10mA

 

 

 

1.8

V

TA=25℃

 

1.4

1.75

BVR

Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压

IR = 10μA

5.0

 

 

V

CIN

Input Capacitance 输入电容

VF = 0, f = 1MHz

 

60

 

pF

ΔVF / ΔTA

Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数

IF = 10mA

 

-1.4

 

mV/℃

DETECTOR 接收端

ICCH

High Level Supply Current高电源电流

VCC = 5.5V, IF = 0mA, VE = 0.5V

单通道

 

7

10

mA

双通道

 

10

15

ICCL

Low Level Supply Current 低电平电源电流

单通道

VCC=5.5V, IF = 10mA

 

9

13

mA

双通道

VE = 0.5V

 

14

21

IEL

Low Level Enable Current 低电平使能电流

VCC = 5.5V, VE = 0.5V

 

-0.8

-1.6

mA

IEH

High Level Enable Current 高电平使能电流

VCC = 5.5V, VE = 2.0V

 

-0.6

-1.6

mA

VEH

High Level Enable Voltage 高电平使能电压

VCC = 5.5V, IF = 10mA

2.0

 

 

V

VEL

Low Level Enable Voltage 低电平使能电压

VCC = 5.5V, IF = 10mA(3)

 

 

0.8

V

 

开关特性 (TA= -40℃ to 85℃, VCC= 5V, IF= 7.5mA 除非另有说明):

Symbol 符号

 AC Characteristics交流特性

测试条件

最小

典型

最大

单位

TPHH

Propagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间到高电平输出

RL=350Ω,CL=15pF(4)(Fig.12)

TA=25℃

20

45

75

ns

 

 

 

100

TPHL

Propagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间到低电平输出

TA = 25℃(5)

25

45

75

 ns  

RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12)

 

 

100

|TPHL

TPLH|

Pulse Width Distortion 脉宽失真

(RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12)

 

3

35

ns

tr

Output Rise Time (10–90%)输出上升时间( 10-90 % )

RL = 350Ω, CL = 15pF(6)(Fig. 12)

 

50

 

ns

tf

Output Rise Time (90–10%)输出上升时间( 90-10 % )

RL = 350Ω, CL = 15pF(7)(Fig. 12)

 

12

 

ns

tELH

Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出

IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(8)(Fig. 13)

 

20

 

ns

tEHL

Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出

IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(9)(Fig. 13)

 

20

 

ns

|CMH|

Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level) 共模瞬态抑制比(输出高电平)

TA=25℃,|VCM| =50V (Peak), IF=0mA, VOH (Min.)= 2.0V, RL = 350Ω(10)(Fig. 14)

6N137, HCPL2630

 

10,000

 

V/μs

HCPL2601, HCPL2631

5000

10,000

 

|VCM| = 400V

HCPL2611

10,000

15,000

 

V/μs

|CML|

Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输出低电平)

RL = 350Ω, IF = 7.5mA, VOL (Max.)= 0.8V, TA = 25℃(11) (Fig. 14)

6N137, HCPL2630

 

10,000

 

HCPL2601, HCPL2631

5000

10,000

 

|VCM| = 400V

HCPL2611

10,000

15,000

 

 

电气特性(续) 转移特性(TA = -40 to 85℃ 除非另有说明)

Symbol 符号

DC Characteristics 直流特性

测试条件

最小

典型

最大

Unit 单位

IOH

HIGH Level Output Current 高输出电流

VCC = 5.5V, VO = 5.5V, IF = 250μA, VE = 2.0V(2)

 

 

100

μA

VOL

LOW Level Output Current 低电平输出电流

VCC = 5.5V, IF = 5mA, VE = 2.0V, ICL = 13mA(2)

 

.35

0.6

V

IFT

Input Threshold Current 输入阈值电流

VCC = 5.5V, VO = 0.6V, VE = 2.0V, IOL = 13mA

 

3

5

mA

 

 隔离特性(Ta= -40 ℃至 85 ℃ ,除非另有说明. ):

Symbol 符号

Characteristics 特性

测试条件

最小

典型

最大

Unit 单位

II-O

Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流

相对湿度 = 45%, TA = 25℃, t = 5s, VI-O = 3000 VDC(12)

 

 

1.0*

μA

VISO

Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压)

RH < 50%, TA = 25℃, II-O ≤ 2μA, t = 1 min.(12)

2500

 

 

VRMS

RI-O

Resistance (Input to Output)电阻(输入输出

VI-O = 500V(12)

 

1012

 

Ω

CI-O

Capacitance (Input to Output)电容(输入输出)

f = 1MHz(12)

 

0.6

 

pF

 

波形图

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                     测试电路和波形 tPLH, tPHL, tr and tf

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                     测试电路tEHL和tELH

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