高速光耦6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631中文资料
常用高速光电耦合器型号:
单通道: 6N137 , HCPL2601 , HCPL2611
双通道: HCPL2630 , HCPL2631
高速10MBit / s的逻辑门光电
作用:6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631是高速光电耦合器
内部结构框图
6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631的内部结构原理如下图所示,信号从脚2和脚3输入,发光二极管发光,经片内光通道传到光敏二极管,反向偏置的光敏管光照后导通,经电流-电压转换后送到与门的一个输入端,与门的另一个输入为使能端,当使能端为高时与门输出高电平,经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时,输出高电平,但这个逻辑高是集电极开路的,可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。

引脚图
原理如上图所示,若以脚2为输入,脚3接地,则真值表如附表所列,这相当于非门的传输,若希望在传输过程中不改变逻辑状态,则从脚3输入,脚2接高电平。
6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631真值表
真值表 功能(正逻辑)
Input 输入
|
Enable 使能
|
Output 输出
|
H
|
H
|
L
|
L
|
H
|
H
|
H
|
L
|
H
|
L
|
L
|
H
|
H
|
NC
|
L
|
L
|
NC
|
H
|
高速光耦6N137/HCPL2601,HCPL2611,HCPL2630,HCPL2631参数
绝对最大额定值(Ta= 25 ℃除非另有说明):
Symbol 符号
|
Parameter 参数
|
Value 数值
|
Units 单位
|
TSTG
|
Storage Temperature 贮藏温度
|
-55 to 125
|
℃
|
TOPR
|
Operating Temperature 操作温度
|
-40 to 85
|
℃
|
TSOL
|
Lead Solder Temperature 焊料温度
|
260 for 10 sec
|
℃
|
EMITTER 发送端
|
IF
|
DC/Average Forward 直流/平均正向
|
单通道
|
50
|
mA
|
Input Current 输入电流
|
双通道(每通道)
|
30
|
VE
|
Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV
|
单通道
|
5.5
|
V
|
VR
|
Reverse Input Voltage 反向输入电压
|
每个通道
|
5.0
|
V
|
PI
|
Power Dissipation 功耗
|
单通道
|
100
|
mW
|
双通道(每通道)
|
45
|
DETECTOR 接收端
|
VCC (1 minute max)
|
Supply Voltage 电源电压
|
|
7.0
|
V
|
IO
|
Output Current 输出电流
|
单通道
|
50
|
mA
|
双通道(每通道)
|
50
|
VO
|
Output Voltage 输出电压
|
每个通道
|
7.0
|
V
|
PO
|
Collector Output 集电极输出
|
单通道
|
85
|
mW
|
Power Dissipation 功耗
|
双通道(每通道)
|
60
|
建议操作条件:
Symbol 符号
|
Parameter 参数
|
最小
|
最大
|
Units单位
|
IFL
|
Input Current, Low Level 输入电流,低电平
|
0
|
250
|
μA
|
IFH
|
Input Current, High Level 输入电流,高电平
|
*6.3
|
15
|
mA
|
VCC
|
Supply Voltage, Output 供电电压,输出
|
4.5
|
5.5
|
V
|
VEL
|
Enable Voltage, Low Level 使能电压,低电平
|
0
|
0.8
|
V
|
VEH
|
Enable Voltage, High Level 使能电压,高电平
|
2.0
|
VCC
|
V
|
TA
|
工作温度范围
|
-40
|
85
|
℃
|
N
|
Fan Out (TTL load)扇出期( TTL负载)
|
|
8
|
|
电学特性(Ta=0至70 ,除非另有规定) 单独的组件特征:
Symbol 符号
|
Parameter 参数
|
测试条件
|
最小
|
典型
|
最大
|
单位
|
VF
|
Input Forward Voltage输入正向电压
|
IF = 10mA
|
|
|
|
1.8
|
V
|
TA=25℃
|
|
1.4
|
1.75
|
BVR
|
Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压
|
IR = 10μA
|
5.0
|
|
|
V
|
CIN
|
Input Capacitance 输入电容
|
VF = 0, f = 1MHz
|
|
60
|
|
pF
|
ΔVF / ΔTA
|
Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数
|
IF = 10mA
|
|
-1.4
|
|
mV/℃
|
DETECTOR 接收端
|
ICCH
|
High Level Supply Current高电源电流
|
VCC = 5.5V, IF = 0mA, VE = 0.5V
|
单通道
|
|
7
|
10
|
mA
|
双通道
|
|
10
|
15
|
ICCL
|
Low Level Supply Current 低电平电源电流
|
单通道
|
VCC=5.5V, IF = 10mA
|
|
9
|
13
|
mA
|
双通道
|
VE = 0.5V
|
|
14
|
21
|
IEL
|
Low Level Enable Current 低电平使能电流
|
VCC = 5.5V, VE = 0.5V
|
|
-0.8
|
-1.6
|
mA
|
IEH
|
High Level Enable Current 高电平使能电流
|
VCC = 5.5V, VE = 2.0V
|
|
-0.6
|
-1.6
|
mA
|
VEH
|
High Level Enable Voltage 高电平使能电压
|
VCC = 5.5V, IF = 10mA
|
2.0
|
|
|
V
|
VEL
|
Low Level Enable Voltage 低电平使能电压
|
VCC = 5.5V, IF = 10mA(3)
|
|
|
0.8
|
V
|
开关特性 (TA= -40℃ to 85℃, VCC= 5V, IF= 7.5mA 除非另有说明):
Symbol 符号
|
AC Characteristics交流特性
|
测试条件
|
最小
|
典型
|
最大
|
单位
|
TPHH
|
Propagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间到高电平输出
|
RL=350Ω,CL=15pF(4)(Fig.12)
|
TA=25℃
|
20
|
45
|
75
|
ns
|
|
|
|
100
|
TPHL
|
Propagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间到低电平输出
|
TA = 25℃(5)
|
25
|
45
|
75
|
ns
|
RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12)
|
|
|
100
|
|TPHL
TPLH|
|
Pulse Width Distortion 脉宽失真
|
(RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12)
|
|
3
|
35
|
ns
|
tr
|
Output Rise Time (10–90%)输出上升时间( 10-90 % )
|
RL = 350Ω, CL = 15pF(6)(Fig. 12)
|
|
50
|
|
ns
|
tf
|
Output Rise Time (90–10%)输出上升时间( 90-10 % )
|
RL = 350Ω, CL = 15pF(7)(Fig. 12)
|
|
12
|
|
ns
|
tELH
|
Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出
|
IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(8)(Fig. 13)
|
|
20
|
|
ns
|
tEHL
|
Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出
|
IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(9)(Fig. 13)
|
|
20
|
|
ns
|
|CMH|
|
Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level) 共模瞬态抑制比(输出高电平)
|
TA=25℃,|VCM| =50V (Peak), IF=0mA, VOH (Min.)= 2.0V, RL = 350Ω(10)(Fig. 14)
|
6N137, HCPL2630
|
|
10,000
|
|
V/μs
|
HCPL2601, HCPL2631
|
5000
|
10,000
|
|
|VCM| = 400V
|
HCPL2611
|
10,000
|
15,000
|
|
V/μs
|
|CML|
|
Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输出低电平)
|
RL = 350Ω, IF = 7.5mA, VOL (Max.)= 0.8V, TA = 25℃(11) (Fig. 14)
|
6N137, HCPL2630
|
|
10,000
|
|
HCPL2601, HCPL2631
|
5000
|
10,000
|
|
|VCM| = 400V
|
HCPL2611
|
10,000
|
15,000
|
|
电气特性(续) 转移特性(TA = -40 to 85℃ 除非另有说明)
Symbol 符号
|
DC Characteristics 直流特性
|
测试条件
|
最小
|
典型
|
最大
|
Unit 单位
|
IOH
|
HIGH Level Output Current 高输出电流
|
VCC = 5.5V, VO = 5.5V, IF = 250μA, VE = 2.0V(2)
|
|
|
100
|
μA
|
VOL
|
LOW Level Output Current 低电平输出电流
|
VCC = 5.5V, IF = 5mA, VE = 2.0V, ICL = 13mA(2)
|
|
.35
|
0.6
|
V
|
IFT
|
Input Threshold Current 输入阈值电流
|
VCC = 5.5V, VO = 0.6V, VE = 2.0V, IOL = 13mA
|
|
3
|
5
|
mA
|
隔离特性(Ta= -40 ℃至 85 ℃ ,除非另有说明. ):
Symbol 符号
|
Characteristics 特性
|
测试条件
|
最小
|
典型
|
最大
|
Unit 单位
|
II-O
|
Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流
|
相对湿度 = 45%, TA = 25℃, t = 5s, VI-O = 3000 VDC(12)
|
|
|
1.0*
|
μA
|
VISO
|
Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压)
|
RH < 50%, TA = 25℃, II-O ≤ 2μA, t = 1 min.(12)
|
2500
|
|
|
VRMS
|
RI-O
|
Resistance (Input to Output)电阻(输入输出
|
VI-O = 500V(12)
|
|
1012
|
|
Ω
|
CI-O
|
Capacitance (Input to Output)电容(输入输出)
|
f = 1MHz(12)
|
|
0.6
|
|
pF
|
波形图

测试电路和波形 tPLH, tPHL, tr and tf

测试电路tEHL和tELH

TAG标签:
HCPL26
HCPL2631
HCPL2630
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