图6：大电容波形观察于雷击涌浪瞬间
根据电容厂商的规格书记载，如下表2浪涌电压测试。但这会因不同厂牌而有所不同。当雷击涌浪在大电容上产生的过高的电压(浪涌电压)，且累积次数过多，会有机会将电容里的电极铝箔损坏，小则大电容的顶部会突起，大则正负电极铝箔变形后正负短路而造成较大的损坏电流。如表2为例，400V额定电压的大电容，其可耐受的浪涌电压为450Vdc(1000次)。 
表2：大电容浪涌电压耐受力定义(来源Rubycon corp.)
突然产生的损坏电流，会如下图7所示将所流经的零件瞬间烧毁。例如NTC、熔断器、L1(共模电感)的铜线或绝缘漆，及桥式整流器的其中二颗整流二极管。 
图7：雷击测试损坏路径
以实例24W(12伏特2安培)的范例中，测试电击电压4.5KV，所观测到的MOSFET Vds电压如下图8。在雷击瞬间，Vds电压会因大电容电压被慢慢抬升而被垫高，此范例中的MOSFET为600伏特耐压，但图中的Vds压已被抬升至接近700伏特，此时MOSFET已进入Avalanche_breakdown(雪崩击穿：是指对半导体施加足够的电压时，流过它们的电流突然增大。强大的电流而产生的电子能够击出原子中的电子而使它变成自由电子。)。 
图8：MOSFET与限流电阻之波形观察于雷击涌浪瞬间
一般来说共模电感的功用除了在EMI防制上的效果外，在雷击瞬间时，假设电感不饱和的情况下，雷击电压会被电感所抑制住，而产生出的雷击电流涌波也会比较低。但实际上共模电感会在发生电击瞬间后的几μs产生瞬间饱和现象，电感的阻抗瞬间消失，所有的电击电流涌波直接经由桥式整流器进入大电容。 在实验中将共模电感的感量加大，来实测对大电容电压的影响。如图9所示，加大感量后，可以增加电感的感抗，并抑制雷击涌浪的能量，进而将大电容的电压压低，延长电容的使用寿命。并观察MOSFET的Vds耐压，也因此而降低不少，如图10。所以，防止共模电感在瞬间饱和的一般对策有加gas tube(气体放电管)、尖端放电layout等等。
图9：增大共模电感(1)
图10：增大共模电感(2)_ch1：MOSFET的Vds；ch2：VRsense
在雷击涌浪的防制中，除了热敏电阻(NTC)、MOV(金属氧化物压敏电阻)、气体放电管以外，共模电感也可以是其中一个防制组件，再搭配适当的安全距离设计，如变压器的绝缘距离、光耦合器的绝缘距离、Y电容的桥接地路径等，便可有效的强化对于抵抗雷击涌浪的能力。 对于PWM IC部份，以通嘉(Leadtrend)的LD5530(SOT26)为例，如图11所示。侦测Rsense的Rcs-Ccs滤波器需要尽量靠近IC端，以防雷击瞬间产生的干扰。Ccomp电容和Cotp滤波电容也需靠近IC端以防干扰。而Vcc方面，由于LD5530有小于1uA的低启动电流与高节能特性(无负载<100mW@264VAC)，其使用的Rstart_up可以相对较其他厂牌IC来的大，大的电阻(Rstart_up)对雷击瞬间产生的抵抗力也较强，可以抵抗较多的能量由启动电阻进入IC的Vcc引脚，在PCB布线最后进入Vcc引脚时，再加一个CVcc滤波电容0.1uF以稳定IC的Vcc OVP误动作是很重要的一个部件。对于某些6.6KV高雷击测试次数的规范来说，以上都可以有效强化电源产品的抵抗雷击涌浪的能力。
图11：LD5530 PCB Layout建议
目前LD5530有低起动电流(1μA)、低UVLO关断电压(7.5V)及空载时低工作电流(0.65mA工作电流)，对于在调整空载及轻载效能时有很大的帮助，以65W为例，264Vac输入条件时，空载损耗可以达到81mW以下，20W为例，空载损耗可以达到64mW以下。且具备有低开支设计与高性能的优势，内置Vcc OVP、SCP/OPP/OLP保护、精准OCP高低压补偿、外部OTP保护与精准CS OVP设定的功能。FROM EDN |
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