1,MOSFET 源极流出的电流(Is)波形,分析和改善
针对反激电源开发过种中的一些具体问题,以实测波形中的细节作探讨,以下先上一图:
Is电流波形上的细节图
A点,Ids电流前端尖峰所引起的原因
B点,在下降时出现的凹口
A:
首先,这个尖峰为MOS开通时出现的,根据反激回路,Ids电流环为Vbus经变压器原边、MOS形成回路。原边线圈电感特性,其电流不能突变,本应成线性上升,但由于原边线圈匝间存在的分布电容,在开启瞬间,使Vbus经分存电容C到MOS有一高频通路,所以形成一时间很短尖峰:
这个尖峰怎样才能消除呢?
很显然,其为变压器的原边分布参数造成,可以从绕线层间加大间隙来减少耦合,也可以尽量设计成单层绕组(单层绕线,就是变压器尽量选用Ae大的,使设计时绕组圈数少,可以一层或两绕无。尽量减少叠层,减少线与线之间的接触面,进而达到减少分布电容的目的。),如三明治式把原边分开对此尖峰有改善,当然,回为绕组不能完全避免存在分布电容,所以这个尖峰是很难完全消除的。
针对B点的情况,做了以下测试,大家请看两个图
图一,用ST21NM60 ,拐点低一些
图二,用IPA60R190C6,拐点要高一些
1,从水平测试线可以看出,第二款MOS在Ids下降时出现的拐点比第一款MOS要高一点。不同MOS管对此处的影响不同,
2,ST21NM60这款MOS我从外形上看很像假货,丝印下的封装塑面有横向条纹,引脚很单薄,比一般的ST MOS对比很薄很软。这些是题外话,只是说无法从两款MOS的datasheet异对比,具体原因大家可以杜撰下。
MOS关断时,漏感能量流出给Coss充到最点,即Vds反射尖峰的顶点上。到最高点后Lk相位翻转,Coss反向放电,这时电流流出,也就是Id负电流部分的产生。
Is = Id Cgs的充放电流
Id
Is
当然Id波形可看到,关断时刻并不成直线下降,成一定的斜率,关断速度稍慢
ID比IS大,是由于IS叠加了一个反向电流,反以出现下降拐点,所以会低一点。
驱动回路在关断时从MOS流出的电流Igs2。
MOS S脚下测的电流其除Id外,有Ig驱动的叠加,所上面波形其下降沿拐点为Ig造成,并不是MOS在关断时的真实情况