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首先说一下电源IC直接驱动，下图是我们最常用的直接驱动方式，在这类方式中，我们由于驱动电路未做过多处理，因此我们进行PCB
LAYOUT时要尽量进行优化。如缩短IC至MOSFET的栅极走线长度，增加走线宽度，尽量将Rg放置在离MOSFET栅极较进的位置，从而达到减少寄生电感，消除噪音的目的。 
当然另一个问题我们得考虑，那就是PWM CONTROLLER的驱动能力，当MOSFET较大时，IC驱动能力较小时，会出现驱动过慢，开关损耗过大甚至不能驱动的问题，这点我们在设计时需要注意。
如果我们单单要增加MOSFET的关断速度，那么我们可以采用下面的方式来进行。 
关断电流比较大时，能使MOSFET输入电容放电速度更快，从而降低关断损耗。大的放电电流可以通过选择低输出阻抗的MOSFET或N沟道的负的截止的电压器件来实现，最常用的就是加加速二极管。 栅极关断时，电流在电阻上产生的压降大于二极管导通压降时，这时二极管会导通，从而将电阻进行旁路，导通后，随着电流的减小，二极管在电路中的作用越来越小，该电路作用会显著的减小MOSFET关断的延迟时间。 当然这个电路有一定的缺点，那就是栅极的电流仍然需要留过IC内部的输出驱动阻抗，这有什么办法解决呢？
为了满足安全隔离的要求或者提供高端浮动栅极驱动经常会采用变压器驱动。这种驱动将驱动控制和MOSFET进行了隔离，可以应用到低压及高压电路中去，如下图所示 
变压器驱动说白了就是隔离驱动，当然现在也有专门的驱动IC可以解决，但变压器驱动有自己的特点使得很多人一直在坚持用。 图中耦合电容的作用是为磁化的磁芯提供复位电压，如果没有这个电容，会出现磁饱和。 与电容串联的电阻的作用是为了防止占空比突然变化形成LC的震荡，因此加这个电阻进行缓解。
下面上一个实际的自举逆变图，供参考。 
最后给大家推荐一个很不错的栅电阻选择计算的资料 关于MOSFET驱动电阻的选择.pdf 需要的加小编微信免费索取:gcj5055
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