K9F2G08X0A共有2048个Block(块), 每个Block含有 64 Page(页), 每个Page含有2k byte的正常存储空间以及64 byte的校验空间 . 总空间 = 2048 * 64 * (2 * 1024 + 64) byte 实际存储空间 = 2048 * 64 * 2 * 1024 byte 2. 引脚定义及接法
3. 寻址方式
列地址: 进行 Block 和 Page 寻址 行地址: 进行 Page 内寻址 4. 命令 以下为几个命令操作示意, 更多命令请参靠芯片手册. (1) Read ID
说明: 先发送 0x90 然后再发送 0x00, 然后 nand flash 会返回5个数据, 依据芯片型号的不同数据内容也不尽相同, 具体值见手册 (2) Page Read
说明: 先发送 0x00 然后发送要读取数据的地址, 之后发送 0x30, 根据 R/B 可以判断是否发送完成. 命令发送完成之后 从RE 的第一个下降沿开始, 芯片将从该地址开始到当页结束的所有数据依次输出 (3) Page Program
说明: 先发送 0x80 然后发送 地址 和数据, 之后发送 0x10, 读取 R/B , 命令写入完成之后 发送 0x70 再依据 I/O0来判断写入是否成功, 0 : 成功 1 : 失败 (4) Block Erase
说明: 先发送 0x90 然后再发送 行地址 1 2 3, 然后再发送 擦除命令 0xD0, 根据 R/B 引脚判断擦除操作是否完成, 完成之后发送 0x70 根据 I/O0的状态来判断擦除是否成功, 0 : 成功 1: 失败 注释1: /* 初始化NAND Flash */void nand_init(void){#define TACLS 0#define TWRPH0 3#define TWRPH1 0 /* 判断是S3C2410还是S3C2440 */ if ((GSTATUS1 == 0x32410000) || (GSTATUS1 == 0x32410002)) //2410 { nand_chip.nand_reset = s3c2410_nand_reset; nand_chip.wait_idle = s3c2410_wait_idle; nand_chip.nand_select_chip = s3c2410_nand_select_chip; nand_chip.nand_deselect_chip = s3c2410_nand_deselect_chip; nand_chip.write_cmd = s3c2410_write_cmd; nand_chip.write_addr = s3c2410_write_addr; nand_chip.read_data = s3c2410_read_data; /* 使能NAND Flash控制器, 初始化ECC, 禁止片选, 设置时序 */ s3c2410nand->NFCONF = (115)|(112)|(111)|(TACLS8)|(TWRPH04)|(TWRPH10); } else { nand_chip.nand_reset = s3c2440_nand_reset; nand_chip.wait_idle = s3c2440_wait_idle; nand_chip.nand_select_chip = s3c2440_nand_select_chip; nand_chip.nand_deselect_chip = s3c2440_nand_deselect_chip; nand_chip.write_cmd = s3c2440_write_cmd;#ifdef LARGER_NAND_PAGE nand_chip.write_addr = s3c2440_write_addr_lp;#else nand_chip.write_addr = s3c2440_write_addr;#endif nand_chip.read_data = s3c2440_read_data; /* 设置时序 */ s3c2440nand->NFCONF = (TACLS <>12)|(TWRPH0 <>8)|(TWRPH1 <>4); /* 使能NAND控制器, 初始化ECC, 禁止片选 */ s3c2440nand->NFCONT = (1 <>4)|(1 <>1)|(1 <>0); } /* 复位NAND Flash */ nand_reset();}
这里需要注意的是 大页 nand , 地址发送五次, 前两次是 colum addr 后三次是 row addr, colum addr负责页内寻址, 我们实际寻址的空间为2k = 2^11, 所以只需要11位即可, 所以程序中只取了低11位 A0~A10用来页内寻址. 另外64byte的OOB空间可以使用A11来寻址. A12~A17用来在块内寻址页, 共64页 A18~A28用来寻址块, 共2048块 nand flash 底层操作函数: /* 复位 */static void s3c2410_nand_reset(void){ s3c2410_nand_select_chip(); // 选中芯片 s3c2410_write_cmd(0xff); // 复位命令 s3c2410_wait_idle(); // 等待nand就绪 s3c2410_nand_deselect_chip(); // 取消选中 }/* 等待NAND Flash就绪 */static void s3c2410_wait_idle(void){ int i; volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFSTAT; while(!(*p & BUSY)) for(i=0; i10; i++);}/* 发出片选信号 */static void s3c2410_nand_select_chip(void){ int i; s3c2410nand->NFCONF &= ~(111); for(i=0; i10; i++); }/* 取消片选信号 */static void s3c2410_nand_deselect_chip(void){ s3c2410nand->NFCONF |= (111);}/* 发出命令 */static void s3c2410_write_cmd(int cmd){ volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFCMD; *p = cmd;}/* 发出地址 */static void s3c2410_write_addr(unsigned int addr){ int i; volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFADDR; *p = addr & 0xff; for(i=0; i10; i++); *p = (addr >> 9) & 0xff; for(i=0; i10; i++); *p = (addr >> 17) & 0xff; for(i=0; i10; i++); *p = (addr >> 25) & 0xff; for(i=0; i10; i++);}/* 读取数据 */static unsigned char s3c2410_read_data(void){ volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFDATA; return *p;}/* S3C2440的NAND Flash操作函数 *//* 复位 */static void s3c2440_nand_reset(void){ s3c2440_nand_select_chip(); s3c2440_write_cmd(0xff); // 复位命令 s3c2440_wait_idle(); s3c2440_nand_deselect_chip();}/* 等待NAND Flash就绪 */static void s3c2440_wait_idle(void){ int i; volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFSTAT;//状态寄存器, 只用到位0. 0 : busy 1 : ready while(!(*p & BUSY)) for(i=0; i10; i++);}/* 发出片选信号 */static void s3c2440_nand_select_chip(void){ int i; s3c2440nand->NFCONT &= ~(11); for(i=0; i10; i++); }/* 取消片选信号 */static void s3c2440_nand_deselect_chip(void){ s3c2440nand->NFCONT |= (11);}/* 发出命令 */static void s3c2440_write_cmd(int cmd){ volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFCMD;//NFCMD 不同的flash命令不一样, 发送命令信号 *p = cmd;}/* 发出地址(小页 4周期) */static void s3c2440_write_addr(unsigned int addr){ int i; volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFADDR; *p = addr & 0xff; for(i=0; i10; i++); *p = (addr >> 9) & 0xff; for(i=0; i10; i++); *p = (addr >> 17) & 0xff; for(i=0; i10; i++); *p = (addr >> 25) & 0xff; for(i=0; i10; i++);}/* 发出地址(大页 5周期) */static void s3c2440_write_addr_lp(unsigned int addr){ int i; volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFADDR;//NFADDR当向该寄存器写入数据时, 芯片向nand发送地址信号 int col, page; //#define NAND_SECTOR_SIZE_LP 2048 //#define NAND_BLOCK_MASK_LP (NAND_SECTOR_SIZE_LP - 1) col = addr & NAND_BLOCK_MASK_LP; //2048 -1 = 11111111111b, 这里是屏蔽高位, 取低11位数据, 因为寻址空间只到 2k = 2^11 , 所以最多用11位, 这里直接不考虑第12位 //参考链接:http://bbs.csdn.net/topics/360034390 page = addr / NAND_SECTOR_SIZE_LP; //2048 = 2^11, 这里将数据右移11位, 获取高位数据 *p = col & 0xff; /* Column Address A0~A7 */ for(i=0; i10; i++); *p = (col >> 8) & 0x0f; /* Column Address A8~A11 */ for(i=0; i10; i++); *p = page & 0xff; /* Row Address A12~A19 */ for(i=0; i10; i++); *p = (page >> 8) & 0xff; /* Row Address A20~A27 */ for(i=0; i10; i++); *p = (page >> 16) & 0x03; /* Row Address A28~A29 */ for(i=0; i10; i++);}/* 读取数据 */static unsigned char s3c2440_read_data(void){ volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand->NFDATA;//数据寄存器, 读写都是这个寄存器. 只用到它的低 8 位 return *p;}/* 在第一次使用NAND Flash前，复位一下NAND Flash */static void nand_reset(void){ nand_chip.nand_reset();}
发送地址: NFADDR 发送命令: NFCMD 发送/读取数据: NFDATA 读取状态: NFSTAT 初始化控制器: NFCONT 由以上代码可以看出: 初始化完毕之后就不必关系总线上的时序只需要把 地址/命令/数据放到对应的寄存器, 芯片就能在总线上发出对应的时序 而初始化需要配置的是: 时序的参数/数据位宽/只读位/页的大小 注释2: /* 读函数 */void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)//在head.S中设置的r0 r1 r2 分别为该函数的三个参数{ int i, j;#ifdef LARGER_NAND_PAGE if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK_LP) || (size & NAND_BLOCK_MASK_LP)) { return ; /* 地址或长度不对齐 */ }#else if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) { return ; /* 地址或长度不对齐 */ }#endif /* 选中芯片 */ nand_select_chip(); for(i=start_addr; i <>/* 发出READ0命令 */ write_cmd(0); /* Write Address */ write_addr(i);#ifdef LARGER_NAND_PAGE write_cmd(0x30);#endif wait_idle();#ifdef LARGER_NAND_PAGE for(j=0; j <>#else for(j=0; j <>#endif *buf = read_data(); buf++; } } /* 取消片选信号 */ nand_deselect_chip(); return ;}
总结一下： （1）选中芯片 （2）发送00h （3）发出地址 （4）发30h （5）等待就绪 （6）读一页数据 链接文件: SECTIONS { firtst 0x00000000 : { head.o init.o nand.o} second 0x30000000 : AT(4096) { main.o }}
main.c存放到了nand的4096地址处. 入口文件: @******************************************************************************@ File：head.s@ 功能：设置SDRAM，将程序复制到SDRAM，然后跳到SDRAM继续执行@****************************************************************************** .text.global _start_start: @函数disable_watch_dog, memsetup, init_nand, nand_read_ll在init.c中定义 ldr sp, =4096 @设置堆栈 bl disable_watch_dog @关WATCH DOG bl memsetup @初始化SDRAM bl nand_init @初始化NAND Flash 注释1 @将NAND Flash中地址4096开始的1024字节代码(main.c编译得到)复制到SDRAM中 @nand_read_ll函数需要3个参数： ldr r0, =0x30000000 @1. 目标地址=0x30000000，这是SDRAM的起始地址 mov r1, #4096 @2. 源地址 = 4096，连接的时候，main.c中的代码都存在NAND Flash地址4096开始处 mov r2, #2048 @3. 复制长度= 2048(bytes)，对于本实验的main.c，这是足够了 bl nand_read @调用C函数nand_read 注释2 ldr sp, =0x34000000 @设置栈 ldr lr, =halt_loop @设置返回地址 ldr pc, =main @b指令和bl指令只能前后跳转32M的范围，所以这里使用向pc赋值的方法进行跳转halt_loop: b halt_loop
这里将nand flash 从4096地址开始的2048字节复制到sdram的0x3000 0000地址处 main.c中是led闪烁程序. |
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