1.封装及脚位配置图 PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。 PN8305L包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8305L内置13 mohm 55V Trench MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率并降低芯片温度。 2.PCB及DEMO实物图 PCBA尺寸:42.0mm*31.6mm*13mm(板上高度) 3.方案典型应用图 4.方案特性
5.测试数据 (温度数据:CH1环境;CH2 PN8305L;CH3 PN8370M;CH4 ABS10;CH5 变压器线;CH6 变压器铁芯) 6.EMC测试
7.应用要点 PN8370M工作在DCM模式,忽略传输瞬态Tr和Tf,导通时间、去磁时间和振荡时间分别为: PN8370M在T2时间内间接采样输出电压信号,为减小漏感振荡对采样的影响,最小T2时间应足够长: 备注:电源在小负载工况下,PN8370M的Vcs=0.17V以避免音频噪音。 PN8305L须在T2时间内完成Trench MOSFET的开通和关断,其最小导通时间由RT电阻设定: 因此RT电阻中心值建议为: 各位粉丝如需了解详情各位粉丝如需了解详情或申请样品,欢迎在公众号菜单栏“在线咨询” 访问官网
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