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之前，小雷曾给大家报道过三星 Galaxy S8 将推迟至明年 4 月发布的消息，可能有不少机友对此感到失望，但三星似乎为大家准备了额外惊喜。 韩国媒体 MK News 报道，明年三星会推出 6 英寸的 Galaxy S8 Plus。三星明年 4 月将会发布 Galaxy S8 和 Galaxy S8 Plus，它们分别采用分辨率为 2K 级别的 5 英寸和 6 英寸双曲面显示屏。这意味着，三星新旗舰都将会采用双曲面显示屏，不会再有直屏版本了。 从韩媒曝光的截图来看，即将发布的 Galaxy S8 一共会有3个尺寸，三星将在原有 5.1 寸和 5.5 寸版本的基础上增加 6 寸的版本。据悉该版本有可能被命名为 Galaxy S8 Plus。 据传，由于 Galaxy S8 取消了实体 HOME 键，同时采用了类似小米 MIX 的全屏幕设计，因此其屏占比进一步提高，将达到 90% 左右。所以即使是 6 寸的 Galaxy S8 Plus 整体宽度依旧小于 5.7 寸的 Galaxy Note 7。 目前小雷还无法确定消息是否属实，但鉴于今年 Galaxy Note 7 导致的特殊情况，不排除三星将在 Galaxy S8 上推更大屏的版本，以满足用户对大屏手机的需求。小雷个人还是最喜欢 5.1 寸版本的，适合单手握持。对于三星 Galaxy S8 保留小屏版本，小雷必需点个赞。 而在硬件方面，现在有消息称，三星 Galaxy S8 将有可能用上 8GB RAM 和 UFS 2.1 闪存芯片。值得一提的是，今年 10 月份的时候，三星就宣布该公司开发的全球首款 8GB LPDDR4 DRAM 投入量产，采用 10nm 工艺，数据处理能力高达 4266Mbps，性能已经超越 PC 同类 DDR4 DRAM。 这样一来，三星 Galaxy S8 有可能实现处理器、运存双 10nm 的配搭， 理论上功耗将下降不少，续航提升会非常明显。但是，10nm 工艺的良品率低至今仍然是业界普遍关注的一大问题，或许正是因为这个原因，之前有消息传三星 S8 发布时间将延迟到明年 4 月份。 另外也有消息称，如果良品率长期仍然无法改善，那么这款运存芯片很有可能要等到明年 Galaxy Note 8 才能使用。 值得一提的是，三星 Galaxy S8 还有可能首发之前传闻的 Exynos 8895，同样采用 10nm 工艺，早期工程版跑分高达单线程 2301，多线程 7019 分，主频 3.0GHz，性能依然非常强劲。不过国行可能还是得用骁龙 835，毕竟三星彻底搞定全网通还要再等 1-2 年。 小雷觉得三星的确需要一款大屏旗舰手机来弥补 Galaxy Note 7 造成的市场空缺。而且从最近发布的 C9 Pro 来看，用户对 6 寸左右的手机接受度还是蛮高的。只要 Galaxy S8 定价合理，小雷相信三星还是能够挽回 Galaxy Note 7 所造成的颓势的。 |
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