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膜电位与被动电流
静息膜电位是神经细胞膜在静息状态(即非动作电位阶段)的膜两侧电位差。
细胞膜对某种特异离子的渗透性取决于离子通道允许离子穿过细胞膜的程度。
ATP是神经元的主要能量来源,用于控制K+——Na+泵。
电荷梯度源于离子在膜两侧的不对称分布。膜两侧的电荷梯度差就是静息电位的基础。Nernst方程式被用于发现某种离子的平衡电位。Goldman方程式考虑的是决定膜电位的几种离子的通透性。
被动电传导指的是电传导或递减传导。一个去极化电流引起细胞内正性增加,动作电位产生的可能性增加;一个超极化电流使细胞内正性减少,动作电位产生的可能性减低。
动作电位
神经元产生动作电位的部位被称为锋电位启动区。
动作电位是一种全或无的现象:只要去极化程度达到启动动作电位所需的阈值,则动作电位的幅度不再依赖于该去极化的大小。
根据膜电位而开放和关闭的电压门控离子通道在动作电位的产生中发挥重要的作用。
动作电位起始阶段的特征性的大去极化是由电压门控的Na+通道的自我强化循环所控制的。在动作电位的这个阶段,细胞膜去极化,接近于Na+的平衡电位。
K+通道的开放晚于Na+通道,但K+的细胞外流出要强于Na+的细胞内流入。在Na+通道已经关闭后,一些K+通道仍保持开放,使细胞膜电位趋向于K+的平衡电位,即低于静息膜电位水平。
Na+通道的失活导致绝对不应期的出现,在此期间不产生动作电位。
绝对不应期之后是相对不应期阶段,由于K+通道缓慢关闭的细胞膜超极化。在此阶段,动作电位不是不能产生,但相当困难。髓鞘允许动作电位沿轴突快速地、跳跃式传递。
离子通道
离子通道由穿膜蛋白质构成,它能形成离子流动的通道。
构成离子通道的蛋白质具有几个水平的结构:一级(氨基酸序列),二级(氨基酸链如何螺旋),三级(螺旋的氨基酸链折叠形成复杂的三维结构),四级(三级结构的相互结合形成最后的结构)。
离子通道可以是被动的(通常是开放的)或门控的(仅在电、化学或物理刺激的情况下开放)。
化学门控的离子通道是作为神经递质的受体。神经递质也被指为配基。
突触后受体可以是直接连接的货间接连接的,后者需要第二信使系统。
突出传递与神经递质
化学传递导致神经递质从突触前神经元释放,并与突触后神经元受体相结合,它所引起的是兴奋性突触后电位还是抑制性突触后电位(EPSP或IPSP),取决于所释放的神经递质。
神经递质是突触末端的囊泡以胞吐形成释放的。
鉴定某种物质为神经递质的标准如下:
神经递质是由突触前神经元合成,并位于突触前神经元内。
当动作电位到达突触前神经元并使末梢去极化时(在Ca2+介导下),神经递质能被该末梢释放。
突触后神经元针对该物质的受体具有特异性。
当被人工施加到突触后细胞时,该物质能启动与突触前神经元刺激相同的反应。
神经递质包括氨基酸、生物活性胺类和神经肽类。
神经递质在与受体结合后必须被清除。清除机制包括(a)突触前末梢的主动重摄取;(b)突触间隙的酶降解;(c)神经递质的远距离扩散。
激动剂是影响神经递质活性的化学物质,通过以下方式:模拟神经递质在突触后膜受体的活动而增加神经递质的释放,阻止神经递质的再摄取。相反,拮抗剂是降低神经递质影响突触后神经元能力的化学物质。
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来源:高飞
来自: 朕皇考曰福林 > 《它山之石》
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