先定个调,我不是做学问的,研究仿真只是为了尽量与工程应用相结合,本帖只谈仿真与工程应用,只谈仿真与工程应用,只谈仿真与工程应用,重要的事情要说三遍!并且尽量不出现大段的文字(我可以老实交代,我口才不好么),上图,上波形,上源文件!(由于公司的保密机制,不涉及实际产品) 再列个提纲:(所有的仿真均为Circuit Level 以及Systerm Level,不涉及Component Level) 第一部分: 1.Simplis在拓扑控制中的应用 第二部分: 2.2 Simplis与Mathcad组合使用进行环路控制 2.2.1 Simplis考察功率级小信号 为了方便叙述,先列举一个仿真的例子(TL HB LLC): Schematic: Transient分析: 环路Bode分析: 1.1仿真的要素(备注:需要下载的请来原文下载) 1.1.1 脉宽发生器(调宽/调频/移相) C.移相---UCC28950(基于UC3895改的)。 1.1.2 磁元件(电感以及变压器的损耗模型) 建立开关电源核心元件的变压器模型(T模型): 其中,L2模拟初级侧漏感,R9模拟初级线圈的线损,R12模拟变压器的磁损,L3为变压器的励磁电感,变压器为理想变压器。R17、R37模拟次级线圈的线损。
1.1.4 驱动线路(死区控制、隔离变压器) A.互补驱动(带死区控制) 该电路可用来做同步Buck,同步Boost,以及forward同步整流、flyback同步整流、有源嵌位驱动、不对称半桥及其同步整流的驱动信号。 B.变压器驱动 仿真,就是要尽可能地重现实际电路的工作状况,进一步,可以给隔离变压器加上漏感、DCR等参数,该驱动线路可用于驱动LLC,移相全桥,Boost同步整流管,Buck等浮地的开关管。
在下面出现的仿真电路中,用到的所有误差放大器均为Type III(兼容Type I,Type II): 1.1.6 光耦 1.1.7 软启动控制 大致阐述一下基本原理:以UC3843为例(其他的控制IC原理大同小异),系统上电后,由于能量还没有传到副边,此时首先由原边控制软启动,即comp引脚电压缓慢上升(芯片自带或者外加控制线路实现该功能),对应的PWM占空比从小到大慢慢展开,在很短的时间内(ms级)副边的辅助电源电压首先建立,此时运放、光耦开始工作,原边软起线路的使命完成,副边软启动线路开始起作用,TLV431基准电压与副边辅助源电压几乎同时建立,而后该电压通过一个RC(时间常数灵活可调)连接到误差放大运放的同相端。同相端的时域波形如上图绿色线所示,在环路参数合理的条件下,反相端的波形会跟随同相端的波形(如上图所示),而输出电压与反相端波形成正比,于是就实现了软启动。
我觉得,大部分拓扑控制的仿真,可以分解成以上几个要素。就好比搭积木,有了这些基础材料,就可以搭建“高楼大厦”了。下面开始阐述如何“搭积木”。
有了拓扑,有了控制逻辑,就可以开始搭积木了。 A.拓扑,比葫芦画瓢抄一遍,并根据文章提供的计算参数设定变压器、谐振电感、电容等。 B.控制逻辑,看图看重点,关键点有两条,第一条是S1,S2同时导通,S3,S4同时导通;第二条是S1比S2先关断,S4比S3先关断----典型的死区控制电路就能实现,如下: C.控制IC,LLC是典型的调频控制----控制器有了,UCC25600。 加上光耦,软启动控制,误差放大器,就齐活儿了,于是乎: 限于篇幅,这个就不再贴关键点波形了,上传仿真源文件: 1.2拓扑控制(均为闭环控制) 1.2.1 有源钳位正激及其同步整流控制(2015.11.20) 先看低端钳位: 仿真的第二个工程应用价值:在产品开发的初期concept阶段,可以与MathCAD的计算结果交互验证。 B.控制时序----只要电路拓扑中的MOS管超过两个(并联的不算),就得考虑时序问题。通常,MOS导通的时序包括对称、互补等,总结一句话就是死区控制。对于P管钳位的有缘钳位正激,先看钳位管与主管的控制时序: P管GS为负压时导通,所以要用如上图所示的Cc和二极管处理一下,原理很简单,当Out2为高电平时,P管关断,反之则导通。(其实无论N管钳位还是P管钳位,钳位管与主管都是互补带死区导通的关系)。 我们的关注点是如何产生两个PWM信号,使得OUT2先于OUT1出高电平,而又滞后于OUT1出低电平,很简单: C.同步整流控制方式,Active Clamp Forward同步整流的控制方式非常多,在专利检索网站搜一下forward synchronization关键词,不会少于10个同步整流控制方面的专利,但没有哪种同步整流的控制方式是完美的,成本、性能、可靠性等因素的折中,当然,实际产品开发中可能还需要考虑专利规避的问题,这都是后话了。在这里,只聊两种没有专利壁垒的同步整流的控制方式,一种是最简单的自驱,另一种是基于死区控制的外驱动。 最简单的自驱动同步整流方式:(优缺点网上一搜一大把,略) 基于死区控制的同步整流方式(如果排除成本的因素,这种方式几乎可以应用于所有的PWM类变换器的同步整流,如非隔离的Buck、Boost、cuk、sepic,隔离的forward、flyback、半桥、全桥、PSFB等,至于谐振类变换器的同步整流方式,有点难搞,我亦没有专门研究过)。原理同样也很简单,即在4楼1.1.4节的死区电路后面再加一个隔离变压器驱动同步整流管,或者在该死区电路的前面加一个高速数字信号隔离器即可。 D.峰值电流模式(先讨论电流模式,电压模式以后有空再说)----主要涉及一个电流采样的问题,常规的做法大致有两种:一种是在主MOS的S对地加采样电阻(若遇见大电流场合,需要用很小的采样电阻,然后加一级运放放大,但这种方式对运放有着十分苛刻的要求),此时GS尖峰电流会引入进来,需要做好吸收;另一种是用电流互感器(若遇到大电流场合,互感器也是个麻烦事儿,可能需要定制)。 Transient分析: 环路稳定性分析: 至于N管钳位,就很简单了----此时钳位管(N管)与主管是互补导通的---又是死区控制,想想没必要再拿来说一遍,略。 |
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