可控硅(Silicon Controlled Rectifier,简称SCR),是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。 家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。 假如没有电流无法随时关断的缺点,那晶闸管就是完美的半导体开关。下面小编就为大家简单介绍一下晶闸管吧! 晶闸管的结构和工作原理 本文主要是想简单聊聊晶闸管的触发条件及特性,在此之前,需要先了解一下它的结构和工作原理。 晶闸管的基本结构和由两个双极型晶体管组成的等效模型 晶体管工作原理 小编不想在此占用过多篇幅,想了解更多内容可以直接百度,这方面并不是什么秘密,很容易搜到! 触发条件 晶闸管可分成两个子晶体管,一个pnp晶体管和一个npn晶体管,这两个晶体管的共基极电流增益分别为α1和α2。 晶闸管分解成两个子晶体管及其等效电路 静态伏安特性 接下来,我们讨论一下晶闸管的I(V)特性。完整的晶闸管电流-电压特性曲线如下图所示,整条I(V)曲线由一个亚稳态区域和三个稳态区域组成。 晶闸管的电流-电压特性
由于篇幅所限,更加详细的讨论可以浏览《功率半导体器件与应用》一书 开通特性 通过上文,我们已经非常清楚为了开通一个晶闸管必须满足的触发条件(α1+α2=1)。达到这一目的有多种办法,下面简要了解一下可能采用的开通技术:
关断特性 为了使晶闸管从导通状态进入阻断状态,必须移除基极中的过量载流子,在反向偏置pn结J2上重新建立耗尽层。有多种移除过量载流子的方法:
为了详细考察强制关断,请大家考虑下图所示的电路。图中电压突然改变,因此利用图中电路进行关断叫作突变换流。 突变换流测试电路 在t=0-时刻,即关断前一瞬间,假设开关S位于位置“1”,晶闸管擎住,电流为IA0。 在t=0时刻,开关S打向“2”。下图给出了这是应该出现的电压电流波形以及等离子移除过程。 突变关断过程中的电流电压曲线 突变关断过程中晶闸管内的等离子移除过程
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