电力电子器件发展展望
电力电子器件发展展望-图片1 用半导体材料的性能指数FOM(Figure of Merit)来衡量,见表1-4所示,SiC仅次于金刚石,图1-53为5000V级的SiC MOSFET导通特性(计算值)与4500V的Si GTO晶闸管导通持性(实验值)相比,在电流密度为100A/cm2时SiC MOSFET导通电压为1. 4V,而SiGTO晶间管为3V,预测元件使用在600°C是可能的。
表1-4半导体材料的性能指数(FOM)
除SiC材料之外,用超导材料制造元件也引起了注意。当液态氮温度下高温超导材料的使用达到实用化阶段时,用半导体材料和超导材料组合做成元件的可能性是存在的,总之下一世纪是有希望能制造出高耐压,大电流容量、 高速开关,无吸收电路、驱动简单、损耗小、能自关断,带检测信息的风冷元件。电力半导体器件发展水平列于表1-5。 电力电子器件发展展望-图片2
电力电子器件发展展望-图片3 表1-5电力半导体器件发展水平 |
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