由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热
●导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）
●由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比极小）
瞬态功率原因：外加单触发脉冲
●负载短路
●开关损耗（接通、断开） *（与温度和工作频率是相关的）
●内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率是相关的）
器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。
