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http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzI2NjE1Nzk3Ng==&mid=402061909&idx=1&sn=e28bb48d51aca4b38e77e1a467ede461#rd 1. PERC电池电性能测试和常规电池有何区别？ 答：这个简单的说应该是没有什么本质的区别，大多数厂商现在测PERC 电池R-V测试台也好，相关的测试条件和参数也好，都跟常规的相似，没有什么本质上差别，但是从高效电池量测技术角度出发，PERC 电池效率现在都已经超过了20%以上，基本上很多家都已经能达到21%效率，那么对于高效的太阳电池来说，整个模拟电路上面电容效应比较明显。考虑到避免电容效应使得量测更加准确的角度出发的话，希望脉冲宽度更宽一些。 2. PERC电池的电阻率、扩散后方阻有哪些要求？ 答：其实刚才卢总在介绍PERC电池结构和相关技术的时候就已经给大家做了说明，PERC电池叫做Passivated Emitter and Rear Cell，就是钝化他的正面和背面，但与常规电池工艺相比，PERC电池在正面的钝化并没有什么特别的地方，主要的工作在背面，用的就是氧化铝实现背面钝化。正面涉及到扩散的工作，方阻几乎没有什么变化，正常的控制条件几乎就可以了。至于电阻率方面如果用的不是掺鎵的硅片，那么电阻率也是在正常1-3Ωcm的范围都可以，至于说以前在2012年左右特别多的3-6Ωcm或者0-1Ωcm低电阻率的硅片也是能用的，只不过工艺匹配上有一些工作要做，效率也有一些差别（0.1~0.3%左右）。 3. perc多晶的光衰現在有沒有比较明确的解法？ 答：PERC多晶电池和单晶电池，二者光衰所产生的机理都是一样的，那么解决光衰的方法也是一样的；第一种，控制所谓的氧含量；第二种，控制硼含量；第三种，就是我们现在很多厂商比较多的载流子注入法，也叫做氢钝化法。 对于PERC电池来说，想去控制硼含量几乎不可能，毕竟是P型的，那么只能控制氧含量，现在有一些工艺掺硼可以把氧含量降到5ppm一下，对于光衰的控制会有很大的帮助。掺鎵是有效降低光衰的方法，但还没有看到多晶大量应用掺镓的报告。光注入法对多晶也是有效的，已经有很多这方面的报告了。 4. 每道工序的消耗量减薄量是多少？ 答：Perc和常规的差异不在制绒上（制绒和抛光分开），制绒这一段的腐蚀量，厚度减薄在10-12um，制绒和常规一样。但在刻蚀工艺之后，有抛光工艺，单晶电池背面金字塔高，抛光腐蚀量必须多一点，才能打掉金字塔，大约3-6um左右，把金字塔磨掉。多晶的话可以小于3um，就能将背面抛光做得很光亮，比单晶好看。 5. perc单晶生产过程中，厚度问题，相对硅片厚度会加多少或会减多少？ 答：单晶的厚度，硅片比正常薄4-5um,余下的差距不大，现在都是铝浆做背场，湿重会比正常的低不少，厚度差距不大。 6. perc电池光衰问题目前最好的解决方式是什么？能够解决到什么程度？ 答：从性能角度讲，目前单晶掺鎵可以做到1%以内，通过氢钝化控制在1.5%以内，大批量稳定可能有波动，但是可以实现；至于哪种方案最好，从成本角度讲，掺鎵因为应用量还不大，成本可能会高。 7. perc电池产业化的最大困难是什么？电池本身最大的质量问题会有哪些因 素？ 答：对于PERC电池来说，产业化最大的困难，不是设备和工艺，是质量检验标准。目前都是用常规质量标准套用到PERC上，但是PERC本身因为工艺比较娇贵。比如PERC电池背面有钝化层，钝化层轻轻擦一下会有划痕，EL上会有体现。PERC电池本身还有破坏工艺：激光开槽，局部开槽区域和铝浆之间有可能出现虫洞，发生接触不良、在EL上表现为黑点、黑斑、黑线。PERC正背面都害怕擦伤，所以按照常规的检验标准，电池良品率会很低。 目前业内一些台湾厂商的PERC工艺控制很不错，能够达到常规电池一样的检验标准，所以，很值得大家学**。但是确实有一定的难度，不少所谓EL不良的PERC电池从产品使用的可靠性和寿命上讲，是没有问题的，用常规的检验标准来规范，在技术上其实是不必要的。 8. Perc现在的工艺中，激光开槽需要具备什么工艺会有很高的效率？ 答：你是指工艺参数？几个方面，一个是激光器的参数特性，用皮秒激光还是纳秒激光，使用什么样能量的激光，多少脉冲的激光。另外一个就是开槽是开点还是开线还是点化线。其实这就是一个是工艺摸索的过程。 大多数激光器是纳秒激光，理论上用皮秒应该更好，皮秒激光损伤小，开的点/孔 /槽界面比较整齐，但是工业应用时候，发现电池性能上差别反而不大，皮秒的激光贵，就显得不经济。至于，开点还是开线，从电池片性能的模拟结果上看，其实开孔是最好的，只不过实际应用中，开孔的工艺过程不是很容易控制，所以不少厂家选择了开线。 9、perc对于硅片有没有特别的需求，比如电阻，氧含量等？ 答：PERC电池，兼容常见硅片是没问题的，但是氧含量越低越好，小于5PPM最好，光衰会很好控制的，但是在硅片端比较难。 10、退火的氢钝化，为什么多晶上效果不好？ 答：新南威尔士大学最开始的氢钝化就是在多晶上做的。氢钝化的目的不是抗LID，抗LID是副产品，真正的想法是恢复因为内部缺陷导致的电池效率下降。比如17.7、17.8效率的多晶电池，如果是内部缺陷导致的载流子复合比较多的话，通过氢钝化来实现更高的效率，恢复到18%-18.3%，所以氢钝化是能够在多晶上得以实现的。 11、PERC因为要开孔，是否使用更薄的硅片就容易碎片？最适宜的厚度是多少？ 答：PERC开孔深度，完全没到硅片减薄就会提高碎片率的问题，但是激光工艺确实有一个应力不均匀会导致碎片率上升的问题。 12、perc多晶和单晶衰减哪个更大？大致衰减多少？有种说法是多晶prec比单晶衰减更大，不知道对否？如果对？原因为何？ 答：衰减在PERC工艺技术上两年前很严重，多晶的初期衰减大于单晶的，但是不完全是LID造成的。根据LID的机理，光致衰减的特点是具有可恢复性。早期多晶PERC的工艺匹配性不如单晶，所以可靠性不如单晶，导致一些电极/电场剥离等情况发上，使得初期衰减很大，这部分衰减是不可恢复的。但是目前很多家已经有了很大的进步，余下的就是LID的问题了。 常规电池上，多晶的LID小于单晶，有人说是多晶效率低，分母低，所以衰减不大。但是个人认为，主要还是单多晶体各种杂质含量不同引起的。由于生产工艺的问题，单晶氧含量高于多晶，C含量低于多晶，导致常规电池单晶光衰大于多晶。 对于PERC电池，很多报告提到多晶LID大于单晶。我个人猜测，可能是多晶背面晶界上的钝化没有单晶好，同时也是各种杂质含量富集的区域，在光照条件下，局部光衰相对于单晶更加明显，使得多晶PERC的LID高于单晶。 13、对于P型，是不是都需要光热恢复?如果是为了减小硼氧键进行氢钝化，是在原材料端进行好还是扩散步成本低一些？ 答：做氢钝化其实有很多方法，除了光热恢复，还有电注入法，都是合理的。氢钝化，原本不是为了LID，是为了修复体内的缺陷，提高电池转换效率，从此看，做光热恢复是有好处的。 关于在哪个环节处理成本比较低，个人认为，在电池制程后处理比较好，氢钝化原理是利用硼氧晶体结构的转换，来实现抗LID性能的。但是在硅片上进行处理之后，再开始电池制程，因为有一系列的热处理工艺，BO不同结构间的转换无法控制，很可能又回到高LID的状态。在电池制程结束后进行处理，就没有这方面的问题。而且，事先对硅片做抗LID处理，那么检验工艺效果的过程太长，也不利于探索最佳工艺方案。 14、组件生产的封装损耗? PERC没做封装优化时候封损很大，常规的单晶封装损失达到3.5%，CTM基本在96.5%，PERC的CTM95%左右，对于PERC来说，通过优化后，可以实现CTM97%甚至更高。 有几个综合效应，有的PERC电池可靠性不过，初始衰减很大，已经不是LID的范畴了。这方面，有可能是背场浆料、电极的可靠性出了问题，导致组件的FF异常。另一个是BOM材料的优化工作非常重要。第三点，PERC电池效率高，但电压和电流分布较宽。如果将电压电流分布拿出来看，同一个效率档位的电池，电压电流差异很大，若将不同特性电池封装在一起，必然会出木板效应，所以高效电池的封装要进行大量的优化才可以得到好的结果。 -------------------------------------------------------------------------------------------------- |
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