Micro LED关键技术专利盘点

近几年在显示面板市场中相当热门的话题大概就是Micro LED (微发光二极体)了，许多厂商视其为可颠覆市场开创蓝海的杀手级技术，主流大厂或是新创公司均竞相抢进这块领域，在相关技术的专利申请上也在2013年开始急速激增。

如果要用一句话简易说明Micro LED的话，就是其体积约为一般LED的百分之一，尺寸及画素间距都缩小到微米等级。

在Micro LED的生产过程中，由于元件的微缩，有许多问题尚待克服或改善，而制程中转移技术则是产品能否量产且达商业产品之标准的关键。

依据显示基板尺寸不同，大致可分二种转移形式，第一种是小尺寸显示基板，使用半导体制程整合技术，将LED直接键结于基板上，技术代表厂商为工研院，第二种是用于大尺寸(或无尺寸限制)的显示基板，使用pick-and-place的技术，将Micro LED阵列上的画素分别转移到背板上，代表厂商为Apple (LuxVue)、X-Celeprint等，其他厂商例如Sony、eLux等亦有相关转移技术。

Micro LED相关专利介绍

财团法人工业技术研究院

 (A)专利名称：发光元件的转移方法以及发光元件阵列

公告号：TW I521690 优先权：US 61/511,137 

此篇专利系有关发光元件的转移方法，步骤为先于基板1上形成多个LED阵列之排列，一个阵列为一种颜色的LED，例如图1中红光、绿光、蓝光各自为一阵列。

转移过程需要透过多次焊接步骤，依序将基板1上的LED移转到基板2的预定位置，所以如图2所示，每次焊接前先用保护层盖住没有要移转的LED，再将要移转的LED之导电凸块与基板2的接垫接合，最后基板1的LED将全数转移到基板2上。

图1.专利TW I521690之图3 
  
  图片来源: TIPO

图2.专利TW I521690之图HJ  
 图片来源: TIPO

在这篇专利中似乎没有特别提及LED的尺寸或是与Micro LED相关的字词，但在其具有相同优先权的美国的对应案中，有提到发光元件为1至100微米，而间距(pitch)则可依实际产品之需求而调整，如图3中说明书内文以及表格所示。

图3.专利US 14/583594 

    

    
    图片来源: USPTO