常用贴片MOS场效应管参数及丝印

贴片MOS场效应管，因其价格低、体积小、驱动电流大，现已广泛用于各种开关电源、逆变器、锂电池保护板及低压LED驱动器中。本文介绍一些目前最常用的贴片SOT-23封装的MOS场效应管的主要参数及丝印，供大家在维修、代换时参考。

1、AO3400，N沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝30V，ID＝5.8A。导通电阻Rds＜33mΩ（VGS＝4.5V）。



2、AO3401，P沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝-30V，ID＝-4.2A，Rds＜65mΩ（VGS＝-4.5V）。



​3、AO3404，N沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝30V，ID＝5.8A，Rds＜43mΩ（VGS＝4.5V）。


4、AO3407，P沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝-30V，ID＝-4.1A，Rds＜87mΩ（VGS＝-4.5V）。



5、AO3415，P沟道MOS场效应管，PD＝1.4W，VDS＝-20V，ID＝-4A，Rds＜43mΩ（VGS＝-4.5V）。


​6、SI2300，N沟道MOS场效应管，PD＝1.25W，VDS＝20V，ID＝3.8A，Rds＝32mΩ（VGS＝4.5V）。注意：SOT-23封装的SI2300的丝印有两种，分别是2300和A0SHB。



7、SI2301，P沟道MOS场效应管，PD＝0.9W，VDS＝-20V，ID＝-2.3A，Rds＝93mΩ（VGS＝-4.5V）​。



8、SI2302，N沟道MOS场效应管，PD＝0.71W，VDS＝20V，ID＝2.6A，Rds＝45mΩ（VGS＝4.5V）。
9、SI2303，P沟道MOS场效应管， PD＝2.3W（max），VDS＝-30V， ID＝-2.7A。


10、SI2305，P沟道MOS场效应管，PD＝2.3W，VDS＝-8V（注意：该型号的耐压值不高），ID＝-2.7A。

11、SI2306，N沟道MOS场效应管，PD＝0.75W，VDS＝30V，ID＝3.5A。


12、2SK3018，N沟道MOS场效应管，PD＝0.35W，VDS＝30V，ID＝0.1A。


13、20N03，N沟道MOS场效应管， SOT-89封装，VDS＝30V，ID＝20A。

14、2N7002，N沟道MOS场效应管， PD＝0.5W，VDS＝60V，ID＝0.115A。Rds＝5.3Ω（VGS＝4.5V）。 注意：2N7002的丝印有两种，即702和7002。
贴片MOS场效应管应用必知基础知识

①、MOS场效应管的导通电阻Rds是一个很重要的参数。一般MOS管的耐压值VDS越高，Rds越大；若VDS相近，则管子的ID越大，Rds越小。譬如，上面图中的AO3400的ID＝5.8A，其Rds＜33mΩ（毫欧），而2N7002的ID仅0.115A，其Rds达5.3Ω。

同一个MOS管，其栅源电压VGS不同，管子的Rds亦不同。VGS越高，管子的Rds越小。上面图中的Rds皆为VGS＝4.5V时的阻值。故使用MOS场效应管时，要求要有足够幅度的栅源电压VGS，以使管子的Rds尽可能的小。

举例说明，假定某个SOT-23封装的MOS管的PD＝1.2W，若其Rds为1Ω（在VGS较小时，Rds很容易达到1Ω以上），那么在驱动一个1A的负载时，该管的管耗即为1Ax1V＝1W，此时，管子发热较厉害。假定管子的驱动电压VGS足够大，使其Rds降至0.1Ω，那么在驱动1A负载时，管耗仅有0.1W，此时就不需要考虑发热问题。

​②、现在生产的MOS场效应管的栅源两极间都带有保护二极管（如上图所示），故在焊接时，不必如履薄冰，担心被静电击穿（三四十年前生产的MOS管，由于工艺问题，使用不当很容易损坏）。现在一些公司里还有些年龄较大的电子技术人员（头脑中储存着大量的陈旧电子技术知识），在使用CMOS器件时，总担心焊接这类器件时，被静电击穿，要求工人穿上静电服，带上防静电手腕，实际没有必要。