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硅基锂离子电池负极材料

 young1987_tsg 2017-12-29

-1-硅基锂离子电池负极材料硅是目前已知比容量(4200mAh/g)最高的锂离子电池负极材料,但由于其巨大的体 积效应(>300%),硅电极材料在充放电过程中会粉化而从集流体上剥落,使得活性物质 与活性物质、活性物质与集流体之间失去电接触,同时不断形成新的固相电解质层 SEI,最 终导致电化学性能的恶化。

近年来,研究者们做了大量的研究和探索,尝试解决这些问题并 取得了一定的成效, 下面就由小编带着大家看看这一领域的研究进展, 并提出进一步的研究 方向和应用前景。

硅的脱嵌锂机理和容量衰减机制 硅不具有石墨基材料的层状结构,其储锂机制和其他金属一样,是通过与锂离子的合 金化和去合金化进行的,其充放电电极反应可以写作下式: Si+xLi++xeLiXSi图 1 硅基锂离子电池原理图:(a)充电;(b)放电

硅基锂离子电池负极材料

-2-在与锂离子发生合金与去合金化过程中,硅的结构会经历一系列的变化,而硅锂合金 的结构转变和稳定性直接关系到电子的输送。

根据硅的脱嵌锂机理,我们可以把硅的容量衰减机制归纳如下:(1)在首次放电过程 中,随着电压的下降,首先形成嵌锂硅与未嵌锂晶态硅两相共存的核壳结构。

随着嵌锂深度 的增加,锂离子与内部晶体硅反应生成硅锂合金,最终以 Li15Si4 的合金形式存在。

这一过 程中相比于原始状态硅体积变大约 3 倍, 巨大的体积效应导致硅电极的结构破坏, 活性物质 与集流体'活性物质与活性物质之间失去电接触,锂离子的脱嵌过程不能顺利进行,造成巨 大的不可逆容量。

(2)巨大的体积效应还会影响到 SEI 的形成,随着脱嵌锂过程的进行, 硅表面的 SEI 会随着体积膨胀而破裂再形成,使得 SEI 越来越厚。

由于 SEI 的形成会消耗 锂离子,因而造成了较大的不可逆容量。

同时 SEI 较差的导电性还会使得电极的阻抗随着 充放电过程不断增大,阻碍集流体与活性物质的电接触,增加了锂离子的扩散距离,阻碍锂 离子的顺利脱嵌,造成容量的快速衰减。

同时较厚的 SEI 还会造成较大的机械应力,对电 极结构造成进一步破坏。

(3)不稳定的 SEI 层还会使得硅及硅锂合金与电解液直接接触而 损耗,造成容量损失。

硅材料的选择与结构设计 1.无定型硅和硅的氧化物 (1)无定型硅 无定形硅在低电位下拥有较高的容量,作为锂离子电池负极材料"相比于石墨类电极材 料安全性能更高。

但无定形硅材料只能在有限程度上缓解颗粒的破碎和粉化, 其循环稳定性 仍不能满足作为高容量电池负极材料的要求。

(2)硅的氧化物 作为锂离子电池负极材料,SiO 具有较高的理论比容量(1200mAh/g 以上)、良好的 循环性能以及较低的脱嵌锂电位, 因此也是一种极具潜力的高容量锂离子电池负极材料。

但 氧化硅含氧量的不同也会影响其稳定性和可逆容量: 随着氧化硅中氧的提高, 循环性能提高, 但可逆容量减小。

除此之外,硅氧化物作为锂离子电池负极材料还存在一些问题:由于首次嵌锂过程中 Li2O 和锂硅酸盐形成过程是不可逆的, 使得首次库仑效率很低; 同时 Li2O 和锂硅酸盐导电 性差,使得电化学动力学性能较差,因而其倍率性能差;相比于单质硅,硅氧化物作为负极 材料的循环稳定性更好,但是随着循环次数继续增加,其稳定性仍然很差。

2.低维硅材料

硅基锂离子电池负极材料

-3-低维度的硅材料在同质量下拥有更大的表面积,利于材料与集流体和电解液的充分接 触,减少由于锂离子不均匀扩散造成的应力和应变,提高材料的屈服强度和抗粉化能力,使 得电极能够承受更大的应力和形变而不粉碎,进而获得更高的可逆容量和更好的循环稳定 性。

同时,较大的比表面积能承受更高的单位面积电流密度,因此低维硅材料的倍率性能也 更好。

(1)硅纳米颗粒 相比于微米硅,使用纳米粒径硅的电极材料,其电化学性能无论是首次充放电比容量 还是循环容量,都有明显的改善。

尽管纳米硅颗粒相对于微米硅颗粒有着更好的电化学性质, 但当尺寸降至 100nm 以下 时,硅活性颗粒在充放电过程中很容易发生团聚,而加快容量的衰减,且较大的比表面使得 硅纳米粒子与电解液发生更多的接触,形成更多的 SEI 所以其电化学性能没有得到根本的 改善。

因此纳米硅经常与其他材料(如炭材料)复合用于锂离子电池负极材料。

(2)硅薄膜 在硅薄膜的脱嵌锂过程中,锂离子倾向于沿着垂直于薄膜的方向进行,因而硅薄膜的 体积膨胀也主要沿着法线方向进行。

相比于块状硅, 使用硅薄膜可以有效抑制硅的体积效应。

不同于其他形态的硅,薄膜硅不需要黏结剂,可作为电极直接加入锂离子电池中进行测试。

硅薄膜的厚度对电极材料的电化学性能影响很大, 随着厚度的增加, 锂离子的脱嵌过程受到 抑制。

相比于微米级的硅薄膜,纳米级的硅薄膜负极材料表现出了更好的电化学性能。

(3)硅纳米线及纳米管 目前,已报道的能大量合成硅纳米线的方法主要包括激光烧蚀法、化学气相沉积法、 热蒸发法和硅基底直接生长法等。

硅纳米管由于其特有的中空结构,相比于硅纳米线有着更好的电化学性能。

硅纳米线/ 纳米管相比于硅颗粒, 在脱嵌锂过程中横向体积效应不明显, 而且不会像纳米硅颗粒一样发 生粉碎失去电接触,因而循环稳定性更好。

由于直径小,脱嵌锂更快更彻底,因而可逆比容 量也很高。

硅纳米管内外部的较大自由表面可以很好地适应径向的体积膨胀, 在充放电过程 中形成更稳定的 SEI,使得材料呈现出较高的库仑效率。

3.多孔硅和中空结构硅 (1)多孔结构硅 合适的孔结构不仅能够促进锂离子在材料中快速脱嵌,提高材料的倍率性能,同时还 能够缓冲电极在充放电过程中的体积效应,从而提高循环稳定性。

在多孔硅材料的制备中,

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