最接近诺贝尔奖的 薛其坤的学术研究（网摘）（薛其坤：中国科学院院士、清华大学副校长）研究方向
主要研究方向为扫描隧道显微学、表面物理、自旋电子学、拓扑绝缘量子态和低维超导电性等。
研究工作主要涉及利用扫描隧道显微镜、高/低能电子衍射、光学探针以及各种表面分析手段研究各种金属、半导体表面晶体结构/化学性质、异/同质结薄膜外延和低维纳米结构的生长动力学和控制。在微电子工业上具有广泛用途的化合物半导体GaAs和GaN生长表面的两维晶体结构、光学性质以及相关异质结外延中应力释放问题、InAs/GaAs量子点的形成机理和稳定性、纳米团簇的生长、C60/C84/C70在半导体上的薄膜生长等研究中做过比较系统的工作。主要研究兴趣包括稀磁半导体的分子束外延生长和自旋注入、低维纳米结构的磁性和在自旋电子学中的应用、量子效应对低维纳米结构电子性质的影响（比如催化）等。
长期从事超薄膜材料的制备、表征及其物理性能研究。开展了第二代半导体薄膜GaAs、InAs/GaAs量子阱（点）、宽禁带半导体GaN和ZnO 薄膜生长动力学研究, 发展完善了III-V族化合物半导体表面再构的基本规律；开展了半导体Si衬底上金属超薄膜量子尺寸效应的研究，定量建立了金属薄膜体系量子效应和材料性能间内在联系，发现了薄膜热膨胀系数、功函数、超导转变温度等的量子振荡现象；开展了有序纳米结构的自组织生长研究，发明了若干原子尺度精确控制生长技术，解决了异质外延生长纳米有序结构的难题。研制了几套低温生长及原子尺度原位检测装置。[3]
研究成果
发表SCI论文300余篇（包括3篇science、3篇nature physics、30篇Phys. Rev. Lett.、1篇PNAS、40余篇Phys. Rev. A/B、40余篇Appl. Phys. Lett.和4篇英文特邀综述文章或书章节），文章被引用3900多次（两篇代表性文章PRL94和PRL95分别被引用215次和126次）。
在国际会议上应邀做大会/主题/特邀报告100余次，其中四次在美国物理学会年会做邀请报告。
从20世纪80年代开始，有关“量子霍尔效应”的研究已数次斩获诺贝尔奖。但关于这一家族中的“量子反常霍尔效应”，却一直进展缓慢，全世界的物理学家都在苦苦探索。
2013年，中国科学院院士、清华大学副校长薛其坤带领他的研究团队，在国际上首次实现了“量子反常霍尔效应”。 |
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